(h) 29.8 m thick Ni and 0.2 m thick

(h) 29.8 m thick Ni and 0.2 m thick Au are electroplated consecutively, the composition is the same as step (d).
(i) Removing the exposed photo resist by soaking the glass substrate in very clean acetone, and removing the exposed seed layer by using lift-off process.
(j) Removing the photoresist between fixed plate and floating plate by soaking in very clean acetone a longer time to obtain the released inertia micro capacitive sensor.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

(h) 29.8 m Ni และ 0.2 m หนาหนา Au มี electroplated ติดต่อกัน องค์ประกอบเหมือนกันคือเป็นขั้นตอน (d)(i) เอาต่อต้านภาพสัมผัสอย่างพื้นผิวแก้วอะซิโตนสะอาด และเอาชั้นเมล็ดสัมผัส โดยใช้กระบวนการ lift-off(j) เอา photoresist ระหว่างคงจานและจานลอยโดย soaking ในอะซีโตนมากเวลานานรับเซนเซอร์ควบคุมไมโครออกแรงเฉื่อย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

(ซ) 29.8 เมตรหนา Ni และ 0.2 เมตร Au หนาจะ electroplated ติดต่อกันองค์ประกอบเป็นเช่นเดียวกับขั้นตอน (ง).
(i) การถอดภาพสัมผัสต่อต้านโดยการแช่พื้นผิวแก้วในอะซีโตนสะอาดมากและลบเมล็ดสัมผัส ชั้นโดยใช้กระบวนการยกออก.
(ญ) การถอด photoresist ระหว่างแผ่นและแผ่นคงลอยโดยการแช่ในอะซีโตนสะอาดมากเป็นเวลานานที่จะได้รับการปล่อยตัวออกมาแรงเฉื่อยเซ็นเซอร์ capacitive ขนาดเล็ก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

( H ) 29.8 เมตรหนาและหนา 0.2 M ฉัน AU จะชุบตามลำดับ องค์ประกอบเป็นเช่นเดียวกับขั้นตอน ( D )
( i ) การเปิดเผยภาพถ่ายต่อต้านโดยแช่แผ่นแก้วในสะอาดมาก ) และการตากเมล็ดชั้นโดยใช้ลิฟท์ปิดกระบวนการ .
( I ) การเอาระบบระหว่างจานและจานลอยถาวรโดยการแช่ในสะอาดมาก ) นานเพื่อให้ได้ออกความเฉื่อยไมโคร capacitive sensor