Some results of these studies that

Some results of these studies that Bi-Te-based films produced via sputtering, in imply which film growth is known to occur in a manner far from that of an equilibrium process, exhibit a microstructure quite different from that of their bulk counterparts.

For example, the x-ray diffraction (XRD) curves of the as-deposited films show several peaks with a very low intensity and only after annealing at elevated temperatures, some major peaks emerge strong, which makes post- annealing an essential process step for sputtered Bi-Te thermoelectric films

In this study, we investigated the effects of post-annealing on the microstructure of sputtered Bi-Te thin films annealed at various temperatures by carefully analyzing the microstructure with XRD and scanning electron microscopy (SEM).

In addition, we checked how the microstructure changes affected the electrical and thermoelectric properties by measuring the carrier concentrations, electron mobilities and Seebeck coefficients.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลลัพธ์บางอย่างเหล่านี้ศึกษาที่ Bi Te-ใช้ฟิล์มผลิตผ่านการพ่น ในเป็นสิทธิ์แบบเติบโตฟิล์มที่เป็นที่รู้จักกันเกิดขึ้นอย่างมากของกระบวนการสมดุล แสดงการต่อโครงสร้างจุลภาคให้แตกต่างจากคู่ของพวกเขาจำนวนมากตัวอย่าง เส้นโค้งเอ็กซ์เรย์การเลี้ยวเบน (XRD) ของฝากเป็นภาพยนตร์แสดงยอดหลายความเข้มต่ำมาก และหลัง จากการอบเหนียวที่อุณหภูมิสูง เกิดยอดบางใหญ่แข็งแรง ซึ่งทำให้หลังมีขั้นตอนของกระบวนการที่จำเป็นสำหรับฟิล์มแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ของ Bi-Te sputtered การอบเหนียว ในการศึกษานี้ เราตรวจสอบผลกระทบของการอบเหนียวหลังบนต่อโครงสร้างจุลภาคของ sputtered Bi เต้บางฟิล์ม annealed ที่อุณหภูมิต่าง ๆ โดยละเอียดวิเคราะห์ต่อโครงสร้างจุลภาค ด้วย XRD และการสแกน microscopy อิเล็กตรอน (SEM) นอกจากนี้ เราตรวจสอบการเปลี่ยนแปลงต่อโครงสร้างจุลภาคกระทบคุณสมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ และไฟฟ้า โดยการวัดความเข้มข้นของบริษัทขนส่ง mobilities อิเล็กตรอน และสัมประสิทธิ์ Seebeck

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลการบางส่วนของการศึกษาเหล่านี้ว่าหนัง Bi-Te-based ผลิตผ่านทางสปัตเตอร์ในการบ่งบอกถึงการที่การเจริญเติบโตของภาพยนตร์เรื่องนี้เป็นที่รู้จักกันที่จะเกิดขึ้นในลักษณะที่ห่างไกลจากที่ของกระบวนการสมดุล, แสดงจุลภาคค่อนข้างแตกต่างจากคู่ของกลุ่มของพวกเขา. ยกตัวอย่างเช่น การเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ (XRD) เส้นโค้งของภาพยนตร์ตามที่ฝากแสดงยอดเขาหลายมีความรุนแรงที่ต่ำมากและหลังจากการอบที่อุณหภูมิสูงบางยอดเขาใหญ่โผล่ออกมาแข็งแกร่งซึ่งจะทำให้หลังการอบอ่อนเป็นขั้นตอนขั้นตอนที่จำเป็นสำหรับการ sputtered Bi ภาพยนตร์เทอร์โม -Te ในการศึกษาครั้งนี้เราตรวจสอบผลกระทบของการโพสต์การหลอมจุลภาคของ sputtered Bi-Te ฟิล์มบางอบที่อุณหภูมิต่างๆโดยระมัดระวังการวิเคราะห์โครงสร้างจุลภาคด้วย XRD และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM). นอกจากนี้เรามีการตรวจสอบ วิธีการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างจุลภาคได้รับผลกระทบและคุณสมบัติทางไฟฟ้าเทอร์โมโดยการวัดความเข้มข้นของผู้ให้บริการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนและค่าสัมประสิทธิ์ Seebeck

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บางผลลัพธ์ของการศึกษาเหล่านี้ที่บีทีใช้ภาพยนตร์ที่ผลิตผ่านการสปัตเตอร์ริง ในนัยที่ภาพยนตร์เป็นที่รู้จักกันเกิดขึ้นในลักษณะที่ไกลจากที่ของสมดุลกระบวนการแสดงโครงสร้างจุลภาคที่ค่อนข้างแตกต่างจากที่ของคู่ขนาดใหญ่ของพวกเขา .

ตัวอย่างการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ ( XRD ) เส้นโค้งของที่ฝากภาพยนตร์ที่แสดงยอดหลายที่มีความเข้มต่ำมากเท่านั้น และเมื่ออบอ่อนที่อุณหภูมิสูง บางสาขายอดออกมาแข็งแรง ซึ่งทำให้การ annealing กระบวนการที่จำเป็นขั้นตอน sputtered บีเทเทอร์โมฟิล์ม

ในการศึกษานี้เราได้ศึกษาผลของการอบอ่อนโพสต์ในโครงสร้างจุลภาคของฟิล์มบางเคลือบอนุภาคบีทีอบที่อุณหภูมิต่างๆ โดยรอบคอบ วิเคราะห์โครงสร้างจุลภาคด้วย XRD และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM ) .

นอกจากนี้ เราตรวจสอบว่า โครงสร้างการเปลี่ยนแปลงที่มีผลต่อคุณสมบัติทางไฟฟ้า และ เทอร์โม โดยวัดความเข้มข้นของผู้ให้บริการ ,mobilities อิเล็กตรอนและสัมประสิทธิ์วัด .