The inset of Fig. 6 shows the real

The inset of Fig. 6 shows the real M0(ν) and imaginary M00(ν) components of electric modulus as a function of frequency at a xed temperature of 423 K for the CCTO/Zr and CCTO/T samples. By the placing of the maximum M00 on the frequency spectrum the relaxation times can be easier determined. For all samples, the increase in temperature shifts the M00(ν) maximum towards higher frequencies even beyond the range of the spectrum (above 106 Hz). For the CCTO/Zr and CCTO/T samples, below the temperature of 350 K the

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แทรกรูป 6 แสดงจริง M0(ν) และ M00(ν) ส่วนประกอบจินตภาพของโมดูลัสไฟฟ้าเป็นฟังก์ชันของความถี่ที่อุณหภูมิ xed 423 K ตัวอย่าง CCTO/Zr และ CCTO/T โดยวางของ M00 สูงสุดบนคลื่นความถี่ ครั้งผ่อนคลายสามารถง่ายกำหนด สำหรับตัวอย่างทั้งหมด การเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิกะสูงสุด M00(ν) ต่อความถี่สูงแม้อยู่เกินช่วงของสเปกตรัม (เหนือ 106 Hz) สำหรับตัว CCTO/Zr และ CCTO/T อย่าง ด้านล่างอุณหภูมิ 350 K

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพประกอบของรูป 6 แสดงให้เห็นถึงความเป็นจริงของ M0 (ν) และจินตภาพส่วนประกอบ M00 (ν) ของโมดูลัสไฟฟ้าเป็นหน้าที่ของความถี่ที่อุณหภูมิคงที่ 423 K สำหรับ CCTO / Zr และตัวอย่าง CCTO / T โดยการวางของ M00 สูงสุดบนคลื่นความถี่ความถี่ครั้งการผ่อนคลายสามารถกำหนดได้ง่ายขึ้น สำหรับกลุ่มตัวอย่างทั้งหมดเพิ่มขึ้นในอุณหภูมิเลื่อน M00 (ν) สูงสุดต่อความถี่สูงแม้เกินช่วงของสเปกตรัม (เหนือ 106 Hz) สำหรับ CCTO / การ Zr และ CCTO / T ตัวอย่างด้านล่างอุณหภูมิ 350 K ที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ใส่เข้าไปในรูปที่ 6 แสดง m0 จริง ( ν ) และจินตนาการ m00 ( ν ) องค์ประกอบของไฟฟ้า ) เป็นฟังก์ชันของความถี่ที่ xed อุณหภูมิ 423 K สำหรับ ccto / ZR และตัวอย่าง ccto / T โดยการวางของ m00 สูงสุดบนคลื่นความถี่การพักผ่อนครั้งได้ง่ายขึ้นแน่นอน สำหรับตัวอย่าง , การเพิ่มอุณหภูมิกะ m00 ( ν ) สูงสุดต่อความถี่สูงเกินกว่าช่วงของสเปกตรัม ( เหนือ 106 เฮิรตซ์ ) สำหรับ ccto / ZR และตัวอย่าง ccto / T อุณหภูมิ 350 K ที่ด้านล่าง