Aluminum (Al) doped zinc oxide (AZO

Aluminum (Al) doped zinc oxide (AZO) polycrystalline thin films with Al incorporation of 0–20 at.% were
deposited through the sol–gel dip coating technique. The important role of Al incorporation level in the
microstructure evolution was determined using X-ray diffractometer, atomic force microscopy (AFM)
and scanning electron microscopy (SEM). The XRD patterns confirmed that the hexagonal wurtzite type
polycrystalline structure of the films and the incorporation of Al lead to substantial changes in the structural characteristics of ZnO films. The oriented structures of ZnO wrinkle network arrays are formed at a
high Al level. The transmittance spectra were recorded by UV–vis spectrophotometer. Optical characterizations have revealed that the band gap energy of AZO films can be tuned between 3.23 eV and 3.30 eV
as the Al concentration is varied from 0 to 20 at.%. Four-point probe (FPP) method has been used to determine the electrical resistivity values of the films. The best sample with a resistivity of 3.2 × 10
−4 cm
and a transmittance of about 80% in visible region was achieved for the undoped film

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีฟิล์มบางของคสังกะสีออกไซด์ (AZO) อลูมิเนียม (Al) เจือ ด้วยอัลรวมตัวกันของ at.% 0-20ฝากผ่านเทคนิคโซลเจลจุ่มเคลือบ บทบาทสำคัญของอัลประสานระดับในการกำหนดวิวัฒนาการโครงสร้างจุลภาคโดยใช้ X-ray diffractometer กล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม (AFM)และการสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) รูปแบบการ XRD ยืนยันว่า wurtzite หกเหลี่ยมพิมพ์คโครงสร้างของภาพยนตร์และการรวมตัวของอัลทำให้พบการเปลี่ยนแปลงในลักษณะโครงสร้างของ ZnO ภาพยนตร์ เน้นโครงสร้างของ ZnO ริ้วรอยเครือข่ายอาร์เรย์จะเกิดขึ้นที่เป็นอัลระดับ มีบันทึกสเปกตรัมสัมประสิทธิ์การส่งผ่าน โดยสเปค UV – vis ออปติคอ characterizations ได้เปิดเผยว่า สามารถปรับวงช่องว่างพลังงานของ AZO ภาพยนตร์ระหว่าง 3.23 eV และ 3.30 eVเป็นความเข้มข้นแตกต่างกันจาก 0 ถึง 20 at.% วิธีการวัดสี่จุด (FPP) ถูกใช้เพื่อกำหนดค่าความต้านทานไฟฟ้าของภาพยนตร์ ตัวอย่างที่ดีที่สุดกับความต้านทานที่ได้ 3.2 × 10ซม. 4และจัดส่งประมาณ 80% ในภูมิภาคที่สามารถมองเห็นได้ผลฟิล์ม undoped

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อลูมิเนียม (AL) เจือสังกะสีออกไซด์ (AZO) polycrystalline ฟิล์มบางกับอัลรวมตัวกันของ 0-20 ที่.% ถูก
ฝากผ่านโซลเจลเทคนิคการเคลือบกรมทรัพย์สินทางปัญญา บทบาทที่สำคัญของการรวมตัวระดับอัลใน
วิวัฒนาการจุลภาคถูกกำหนดโดยใช้ X-ray diffractometer กล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม (AFM)
และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) รูปแบบ XRD ยืนยันว่าชนิดหกเหลี่ยม wurtzite
โครงสร้างผลึกของภาพยนตร์และรวมตัวกันของอัลนำไปสู่การเปลี่ยนแปลงที่สำคัญในลักษณะโครงสร้างของภาพยนตร์ซิงค์ออกไซด์ โครงสร้างเชิง ZnO อาร์เรย์เครือข่ายลดริ้วรอยที่จะเกิดขึ้นที่
อัลระดับสูง สเปกตรัมการส่งผ่านที่ถูกบันทึกไว้โดย UV-Vis spectrophotometer สมบัติออฟติคอลได้เปิดเผยว่าพลังงานวงช่องว่างของภาพยนตร์ AZO สามารถปรับระหว่าง 3.23 EV และ 3.30 eV
เป็นความเข้มข้นของอัลจะแตกต่างกัน 0-20 ที่.% สี่จุดสอบสวน (FPP) วิธีการได้รับใช้ในการกำหนดค่าความต้านทานไฟฟ้าของภาพยนตร์ ตัวอย่างที่ดีที่สุดกับความต้านทาน 3.2 × 10
-4? ซม.
และการส่งผ่านประมาณ 80% ในภูมิภาคที่มองเห็นก็ประสบความสำเร็จสำหรับภาพยนตร์โคบอลต์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อะลูมิเนียม ( Al ) เจือสังกะสีออกไซด์ ( AZO ) เป็นของฟิล์มกับ อัล ประสาน 0 และร้อยละ 20 ที่ฝากผ่านโซล - เจลจุ่มเคลือบเทคนิค บทบาทที่สำคัญของบริษัทในระดับอัลวิวัฒนาการของโครงสร้างถูกกำหนดโดยใช้เอกซเรย์ดิฟแฟรกโทมิเตอร์ ( AFM ) กล้องจุลทรรศน์แรงอะตอมและกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM ) การวิเคราะห์รูปแบบการยืนยันว่าประเภท wurtzite หกเหลี่ยมโครงสร้างของผลึกของฟิล์มและการประสานของ อัล นำไปสู่การเปลี่ยนแปลงอย่างมากในลักษณะโครงสร้างของซิงค์ออกไซด์ฟิล์ม วางโครงสร้างของอาร์เรย์ไฟฟ้าจะเกิดขึ้นในเครือข่าย ลดริ้วรอยระดับลสูง ถูกบันทึกไว้โดยส่องผ่านแสง UV ) ซึ่งวัสดุ แสง characterizations เปิดเผยว่ามีช่องว่างแถบพลังงานของฟิล์ม : สามารถปรับช่วง 3.30 EV EV และระหว่างเป็นสมาธิที่อัลจะแตกต่างกันตั้งแต่ 0 ถึง 20 % . Four point probe ( FPP ) ถูกใช้เพื่อตรวจสอบสภาพต้านทานไฟฟ้าคุณค่าของภาพยนตร์ ตัวอย่างที่ดีที่สุดกับความต้านทานของ 3.2 × 10− 4 ซม.และการส่งผ่านของประมาณ 80% ในพื้นที่ที่มองเห็นคือความสําหรับภาพยนตร์เคมีไฟฟ้า