[4] Q. S. Chen, G. Y. Deng, E. Ali,

[4] Q. S. Chen, G. Y. Deng, E. Ali, and P. Vish, “Numerical study on
flow field and temperature distribution in growth process of 200 mm
Czochralski silicon crystals,” Journal of Rare Earths, vol. 25, pp.
345–348, Jun. 2007, suppl..

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

[4] Q. S. Chen, G. ประกันศูนย์ปี Deng, E. Ali และ P. Vish "ตัวเลขศึกษาบนกระแสฟิลด์อุณหภูมิจ่ายและในกระบวนการเติบโต 200 มม.Czochralski ซิลิคอนผลึก สมุดรายวันของหายากอักษรของโลก ฉบับ 25, pp345-348, 2007 มิ.ย. ธาตุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

[4] QS เฉิน GY เติ้งอีอาลีพีฉกชิง, "การศึกษาเชิงตัวเลขบน
สนามการไหลและการกระจายตัวของอุณหภูมิในกระบวนการเจริญเติบโตของ 200 มม
Czochralski ผลึกซิลิคอน" วารสารธาตุหายากฉบับ 25, PP.
345-348, มิถุนายน 2007, suppl ..