Oxide thin films of Cu2O and ZnOwer

Oxide thin films of Cu2O and ZnOwere prepared by dip-coating into
the corresponding colloidal dispersions. Contact profilometrymeasurements
showed that a thin layer of ~300 nm can be obtained after one
dip-coating sequence for both compounds, although particle shapes
are different for Cu2O (spheres) and ZnO (rods).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มบาง ๆ ออกไซด์ Cu2O และ ZnOwere โดยจุ่มเคลือบเป็นdispersions colloidal สอดคล้องกัน ติดต่อ profilometrymeasurementsพบว่าบางชั้น ~ 300 nm ได้หลังหนึ่งลำดับการจุ่มเคลือบสำหรับสารประกอบทั้งสอง แม้ว่ารูปร่างของอนุภาคแตกต่างกันสำหรับ Cu2O (ทรงกลม) และ ZnO (rods)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ออกไซด์ฟิล์มบางของ Cu2O ZnOwere
และจัดทำโดยกรมทรัพย์สินทางปัญญาเคลือบลงในกระจายคอลลอยด์ที่สอดคล้องกัน ติดต่อ profilometrymeasurements
แสดงให้เห็นว่าชั้นบาง ๆ ของ ~ 300
นาโนเมตรสามารถรับได้หลังจากลำดับจุ่มเคลือบสารทั้งสองแม้ว่ารูปร่างของอนุภาคแตกต่างกันสำหรับ
Cu2O (ทรงกลม) และซิงค์ออกไซด์ (แท่ง)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ออกไซด์แบบฟิล์มบางของ cu2o และ znowere เตรียมโดยการเคลือบจิ้ม
ที่คอลลอยด์ dispersions . ติดต่อ profilometrymeasurements
แสดงว่าชั้นบางของ ~ 300 nm ได้หลังหนึ่ง
จุ่มเคลือบลำดับสำหรับสารทั้งสอง ถึงแม้ว่าอนุภาครูปร่าง
จะแตกต่างกันสำหรับ cu2o ( ทรงกลม ) และสังกะสี ( แท่ง )