In the reverse-bias region the reve

In the reverse-bias region the reverse current of a silicon diode doubles for every 10°C rise in temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในภูมิภาคอคติกลับย้อนกลับปัจจุบันของซิลิคอนไดโอด ขึ้นคู่สำหรับทุก ๆ 10° C อุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในภูมิภาคย้อนกลับอคติปัจจุบันย้อนกลับของซิลิกอนไดโอดคู่สำหรับทุก ๆ เพิ่มขึ้น 10 ° C อุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในตรงกันข้ามอคติภูมิภาคกลับปัจจุบันของซิลิคอนไดโอดคู่ทุก 10 องศา C อุณหภูมิสูงขึ้น .