For the contact resistance evaluati

For the contact resistance evaluation, Ge/Pd (150 nm/15 nm)
layers were deposited on the n-type GaAs substrate and Pt/Ti/Pt
(60 nm/50 nm/5 nm) layers were deposited on the p-type Ge substrate
by E-gun evaporation. Cu (150 nm) was then sputtered on
the samples afterward and the contacts were formed by lift-off
method as showed in Fig. 1. Then, the samples were annealed by
RTA method from 100
C to 390
C for 30 s in an N2 atmosphere
to obtain the optimum annealing temperature. The diffusion profiles
of the layers were examined using Auger depth analysis. The
specific contact resistances were determined by transmission line
model measurement.
The thermal stress tests were performed for a duration from 3
to 9 h. The electrical stress test was performed with a continuous
biased DC current with density of 6.5  10
4 mA/lm2 for a duration
from 3 to 9 h. Finally, the contact resistances were measured
after the thermal and electrical treatments to evaluate the stability
of the contacts.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับการประเมินความต้านทานติดต่อ Pd Ge (150 nm 15 nm)มีฝากชั้น n ชนิด GaAs พื้นผิวและ Pt/ตี้/Ptมีฝากชั้น (60 nm/50 nm/5 nm) บนพื้นผิว Ge ชนิด pโดยปืนอีระเหย Cu (150 nm) แล้วถูก sputtered บนตัวอย่างหลังจากนั้นและติดต่อได้ก่อตั้งขึ้น โดย lift-offวิธีการแสดงให้เห็นว่าใน Fig. 1 แล้ว ตัวอย่างถูก annealed โดยวิธี RTA จาก 100 C ถึง 390 C สำหรับ 30 ในบรรยากาศ N2รับมีประสิทธิภาพสูงสุดที่อุณหภูมิการอบเหนียว โพรไฟล์การแพร่ของชั้นถูกตรวจสอบโดยใช้ชอนลึกวิเคราะห์ ที่ต้านทานเฉพาะที่ติดต่อที่กำหนด โดยสายแบบประเมินการดำเนินการทดสอบความเครียดร้อนในระยะเวลา 3การ 9 h ทำการทดสอบความเครียดไฟฟ้า มีความต่อเนื่องภาพดี มีความหนาแน่นของ 6.5 mA 10 4/lm2 สำหรับระยะเวลา3 กับ 9 h สุดท้าย ทานติดต่อที่วัดหลังจากการรักษาความร้อน และไฟฟ้าเพื่อประเมินความมั่นคงติดต่อ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับการประเมินผลความต้านทานติดต่อที่จีอี / Pd (150 นาโนเมตร / 15 นาโนเมตร)
ชั้นที่ถูกวางลงบนพื้นผิว GaAs ชนิดเอ็นและ Pt / ตี / Pt
(60 นาโนเมตร / 50 นาโนเมตร / 5 นาโนเมตร) ชั้นวางในชนิดพี พื้นผิว Ge
ทาง E-ปืนระเหย Cu (150 นาโนเมตร) ถูก sputtered นั้นตัวอย่างหลังจากนั้นและรายชื่อที่ถูกสร้างขึ้นโดยยกออกจากวิธีการตามที่แสดงให้เห็นในรูป 1. จากนั้นกลุ่มตัวอย่างได้รับการอบโดยวิธีการRTA จาก 100? C ถึง 390? C เป็นเวลา 30 วินาทีในบรรยากาศ N2 เพื่อให้ได้อุณหภูมิที่เหมาะสมในการอบ โปรไฟล์การแพร่กระจายของชั้นได้รับการตรวจสอบโดยใช้การวิเคราะห์เชิงลึกสว่าน ต้านทานติดต่อเฉพาะได้รับการพิจารณาโดยสายส่งวัดรูปแบบ. การทดสอบความเครียดความร้อนได้รับการดำเนินการสำหรับระยะเวลา 3 จากที่จะ9 นาฬิกา การทดสอบความเครียดไฟฟ้าที่ได้ดำเนินการอย่างต่อเนื่องกับปัจจุบันดีซีลำเอียงที่มีความหนาแน่น 6.5? 10 4 mA / lm2 สำหรับระยะเวลา3-9 ชั่วโมง ในที่สุดความต้านทานการติดต่อวัดหลังจากการรักษาความร้อนและไฟฟ้าในการประเมินความมั่นคงของรายชื่อ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับความต้านทานติดต่อประเมินผล , GE / PD ( 150 nm / 15 nm )
ชั้นถูกฝากไว้บนทั่วไป GaAs ( PT / Ti / PT
( 60 nm / 50 nm / 5 nm ) ชั้นถูกฝากไว้บนพื้นผิว e-gun พี GE
โดยการระเหย ทองแดง ( 150 nm ) จากนั้น sputtered บน
ตัวอย่างภายหลังและติดต่อขึ้นโดยยกออก
แบบที่แสดงในรูปที่ 1 แล้วทำการอบโดย
วิธี RTA จาก 100
C 390
เป็นเวลา 30 วินาทีใน 2 บรรยากาศ
ที่จะได้รับที่เหมาะสมอุณหภูมิการอบอ่อน . รูปแบบการแพร่กระจายของชั้น
ทดสอบโดยใช้การวิเคราะห์ความลึกสว่าน .
ความต้านทานติดต่อเฉพาะถูกกำหนดโดยรูปแบบการวัด
สายส่ง .
การทดสอบความเครียดความร้อนถูกดำเนินการสำหรับระยะเวลาจาก 3
9 hความเครียดไฟฟ้าทดสอบแสดงกับอย่างต่อเนื่อง
ลำเอียง DC ปัจจุบันกับความหนาแน่นของ 6.5  10
4 มา / lm2 สำหรับระยะเวลา 3 ถึง 9 H .
ในที่สุด การติดต่อ จากวัด
หลังจากความร้อนและไฟฟ้า เพื่อประเมินการรักษาเสถียรภาพ
ของผู้ติดต่อ