STEM: scanning transmission electro

STEM: scanning transmission electron microscopy; STEM-HAADF: scanning
transmission electron microscopy high-angle annular dark-field imaging;
STM: scanning tunneling microscopy; STS: scanning tunneling spectroscopy;
SSD: symmetric diagonally dominant; ω: frequency.
Competing interests
The authors declare that they have no competing interests.
Authors’ contributions
AB prepared the manuscript and assembled the detailed statistical methods.
RV prepared sections 4D and 5D data - Band Excitation Spectroscopy Analysis
and Imaging, ‘Sliding Fourier Transform’, and ‘Imaging in k-space’. ES prepared
the sections ‘Independent component analysis’ and ‘Bayesian de-mixing’. CS,
GS, CS, and RA prepared the section ‘Image domain’ in its entirety. SMY carried
out experiments in the section ‘Independent component analysis’. AT and MB
characterized and prepared samples described in sections ‘3D data - CITS in
STEM’ and ‘Imaging in k-space’. AB characterized samples in the section ‘4D and
5D data - band excitation spectroscopy analysis’. SJ and SK heavily contributed
to the writing of manuscript as well as the meaningful discussion. All authors
read and approved the final manuscript.
Acknowledgements
This research was sponsored by the Division of Materials Sciences and
Engineering, BES, DOE (RKV, AT, SVK). The data analysis portion of this
research (ES, MB) was conducted at the Center for Nanophase Materials
Sciences, which is a DOE Office of Science User Facility. Research related to
atomic resolution imaging (AB, AB, SJ) was sponsored by Laboratory
Directed Research and Development Program of Oak Ridge National
Laboratory, managed by UT-Battelle, LLC, for the U.S. Department of Energy.
The authors gratefully acknowledge Dr. S. Zhang (Penn. State) for providing
the PMN-PT ferroelectric relaxor sample as well as Dr. Ying-Hao Chu and
Ying-Hui Hsieh for providing BFO-CFO nanocomposite samples. SMY
acknowledges the support by IBS-R009-D1, Korea.
Author details
1Institute for Functional Imaging of Materials, Oak Ridge National Laboratory,
Oak Ridge, TN 37831, USA. 2The Center for Nanophase Materials Sciences,
Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN 37831, USA. 3Materials
Sciences and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge,
TN 37831, USA. 4Center for Correlated Electron Systems, Institute for Basic
Science (IBS), Seoul 151-747, South Korea. 5Department of Physics and
Astronomy, Seoul National University, Seoul 151-747, South Korea.
6Computer Science and Mathematics Division, Oak Ridge National
Laboratory, Oak Ridge, TN 37831, USA. 7Computational Sciences and
Engineering Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN 37831,
USA. 8Computer, Computational, and Statistical Sciences, Los Alamos
National Laboratory, Los Alamos, NM 87545, USA.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลำต้น: สแกนส่งอิเล็กตรอน ลำต้น-HAADF: การสแกนส่งอิเล็กตรอนมุมสูงมุมดอกเข้มฟิลด์ภาพSTM: การสแกนไมโครสโคอุโมงค์ STS: การสแกนมิกทันเนลSSD: สมมาตรตามแนวทแยงมุมที่โดดเด่น Ω: ความถี่สถานที่แข่งขันผู้เขียนประกาศว่า พวกเขาจะไม่สนใจคู่แข่งผลงานของผู้เขียนAB เตรียมต้นฉบับ และรวบรวมวิธีการทางสถิติโดยละเอียดRV เตรียมส่วน 4D และ 5D ข้อมูล - วิเคราะห์วงไฟฟ้ารุ่นมิกและการถ่ายภาพ 'เลื่อนฟูรีเยเปลี่ยน' และ 'ภาพในพื้นที่ k' ES ที่เตรียมไว้ส่วน 'วิเคราะห์ประกอบอิสระ' และ 'ทฤษฎีผสมยกเลิก' CSเตรียมส่วน 'รูปเมน' ทั้งหมด GS, CS และ RA SMY ดำเนินมาทดลองในส่วน 'การวิเคราะห์ประกอบอิสระ' AT และ MBลักษณะ และเตรียมตัวอย่างที่อธิบายไว้ในส่วน ' ข้อมูล 3D - CITS ในลำต้น ' และ 'ภาพในพื้นที่ k' AB ลักษณะตัวอย่างในส่วน ' 4 D และ5D ข้อมูล - วิเคราะห์วงไฟฟ้ารุ่นมิก' เอสเจและ SK ส่วนมากการเขียนต้นฉบับตลอดจนการสนทนามีความหมาย ผู้เขียนอ่าน และอนุมัติต้นฉบับสุดท้ายถาม-ตอบงานวิจัยนี้สนับสนุนโดยกองวัสดุศาสตร์ และวิศวกรรม BES, DOE (RKV ที่ SVK) ส่วนการวิเคราะห์ข้อมูลนี้วิจัย (ES, MB) ถูกดำเนินการที่ศูนย์กลางสำหรับวัสดุ Nanophaseวิทยาศาสตร์ ซึ่งเป็น DOE Office ของวิทยาศาสตร์ผู้ใช้ งานวิจัยที่เกี่ยวข้องกับอะตอมความละเอียดภาพ (AB, AB, SJ) สนับสนุน โดยห้องปฏิบัติการวิจัยโดยตรงและโปรแกรมการพัฒนาของชาติ Oak Ridgeห้องปฏิบัติการ จัดการ โดย UT-Battelle, LLC สำหรับกระทรวงพลังงานสหรัฐผู้เขียนรับทราบดร. S. Zhang (สถานะ Penn.) สำหรับการให้relaxor ferroelectric PMN PT ตัวอย่างรวมทั้งดร.คุณหญิงเฮ้าส์ชู และเซียฮุยหยิงให้ตัวอย่างของ CFO BFO สิต SMYรับทราบการสนับสนุน โดย IBS-R009-D1 เกาหลีรายละเอียดผู้เขียน1Institute สำหรับงานถ่ายภาพของวัสดุ Oak Ridge ห้องปฏิบัติการแห่งชาติOak Ridge, TN 37831 สหรัฐอเมริกา ศูนย์ 2The Nanophase วัสดุศาสตร์ปฏิบัติการแห่งชาติ Oak Ridge, Oak Ridge, TN 37831 สหรัฐอเมริกา 3Materialsวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีส่วน ปฏิบัติการแห่งชาติ Oak Ridge, Oak RidgeTN 37831 สหรัฐอเมริกา 4Center สำหรับอิเล็กตรอนที่มีความสัมพันธ์ระบบ สถาบันพื้นฐานวิทยาศาสตร์ (IBS), 151-747 โซลเกาหลีใต้ 5Department ฟิสิกส์ และดาราศาสตร์ มหาวิทยาลัยแห่งชาติโซล โซลเกาหลีใต้ 151-7476Computer วิทยาศาสตร์และคณิตศาสตร์ส่วน แห่งชาติ Oak Ridgeห้องปฏิบัติการ Oak Ridge, TN 37831 สหรัฐอเมริกา 7Computational วิทยาศาสตร์ และวิศวกรรมฝ่าย ห้องปฏิบัติการแห่งชาติ Oak Ridge, Oak Ridge, 37831 TNสหรัฐอเมริกา 8Computer วิทยาศาสตร์เชิงคำนวณ และสถิติ ลอสอาลามอสห้องปฏิบัติการแห่งชาติ ลอสอาลามอส NM 87545 สหรัฐอเมริกา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

STEM: การสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน; ลำต้น HAADF: การสแกน
ส่งผ่านอิเล็กตรอนกล้องจุลทรรศน์มุมสูงถ่ายภาพวงแหวนเข้มสนาม
STM: สแกนกล้องจุลทรรศน์อุโมงค์; เอสที: การสแกนสเปกโทรสโกอุโมงค์;
SSD: สมมาตรที่โดดเด่นในแนวทแยงมุม; . ω: ความถี่
การแข่งขันผลประโยชน์
. ผู้เขียนประกาศว่าพวกเขาไม่มีความสนใจที่แข่งขัน
ผู้เขียนผลงาน
AB เตรียมต้นฉบับและประกอบวิธีการทางสถิติรายละเอียด.
RV เตรียมส่วน 4D และข้อมูล 5D - วงดนตรีกระตุ้นสเปกการวิเคราะห์
และการถ่ายภาพ 'เลื่อนฟูริเยร์เปลี่ยน' และ 'การถ่ายภาพใน K-พื้นที่' ES เตรียม
'วิเคราะห์องค์ประกอบอิสระส่วนและ' เบส์เดผสม ' CS,
GS, CS และ RA เตรียมส่วน 'โดเมนภาพ' ในสิ่งทั้งปวง Smy ดำเนิน
การทดลองในส่วน 'วิเคราะห์องค์ประกอบอิสระ AT MB และ
โดดเด่นและตัวอย่างเตรียมที่อธิบายไว้ในส่วน 'ข้อมูล 3D - CITS ใน
STEM' และ 'การถ่ายภาพใน K-พื้นที่' AB ลักษณะตัวอย่างในส่วน '4D และ
ข้อมูล 5D - วงวิเคราะห์กระตุ้นสเปกโทรสโก' SJ และ SK หนักส่วนร่วมใน
การเขียนต้นฉบับเช่นเดียวกับการอภิปรายที่มีความหมาย ผู้เขียนทั้งหมด
อ่านและได้รับการอนุมัติต้นฉบับสุดท้าย.
กิตติกรรมประกาศ
งานวิจัยนี้ได้รับการสนับสนุนจากกองวัสดุศาสตร์และ
วิศวกรรม, บีอีเอส DOE (วิก, AT, SVK) ส่วนการวิเคราะห์ข้อมูลของ
การวิจัย (ES, MB) ได้ดำเนินการที่ศูนย์วัสดุ Nanophase
วิทยาศาสตร์ซึ่งเป็นสำนักงาน DOE วิทยาศาสตร์สิ่งอำนวยความสะดวกของผู้ใช้ งานวิจัยที่เกี่ยวข้องกับ
ความละเอียดในการถ่ายภาพอะตอม (AB, AB, SJ) ได้รับการสนับสนุนโดยห้องปฏิบัติการ
กำกับการวิจัยและพัฒนาโปรแกรมของ Oak Ridge National
ห้องปฏิบัติการการจัดการโดย UT-แบทเทิล, LLC สำหรับกระทรวงพลังงานสหรัฐ.
ผู้เขียนรู้สึกขอบคุณรับทราบดร. S . เหวย (เพนน์. รัฐ) สำหรับการให้
ตัวอย่าง ferroelectric relaxor PMN-PT เช่นเดียวกับดร. Ying-Hao จือและ
Ying-Hui Hsieh สำหรับการให้ตัวอย่างนาโนคอมโพสิต BFO-CFO Smy
รับทราบการสนับสนุนโดย IBS-R009-D1 เกาหลี. the
เขียนรายละเอียด
1Institute สำหรับการถ่ายภาพการทำงานของวัสดุ Oak Ridge National Laboratory,
Oak Ridge, TN 37831, USA 2The ศูนย์ Nanophase วัสดุศาสตร์,
Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN 37831, USA 3Materials
วิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีกอง Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge,
TN 37831, USA 4Center สำหรับความสัมพันธ์ระบบอิเลคตรอนสถาบันพื้นฐาน
วิทยาศาสตร์ (IBS), โซล 151-747, เกาหลีใต้ 5Department ฟิสิกส์และ
ดาราศาสตร์มหาวิทยาลัยแห่งชาติโซล, โซล 151-747, เกาหลีใต้.
6Computer วิทยาศาสตร์และกองคณิตศาสตร์ Oak Ridge National
ห้องปฏิบัติการ Oak Ridge, TN 37831, USA 7Computational วิทยาศาสตร์และ
วิศวกรรมกอง Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN 37831,
USA 8Computer, การคำนวณทางสถิติและวิทยาศาสตร์ Los Alamos
National Laboratory, Los Alamos, NM 87545, USA