We investigated gamma-ray irradiati

We investigated gamma-ray irradiation effects on electrical properties of ferroelectric PbTiO3 (PTO) and
Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) thin films. PTO and PZT thin films were prepared on the Pt/Ti/SiO2/Si substrates by
using a sol–gel method with a spin-coating process. The prepared PTO and PZT thin films were subjected to
gamma radiation with various total doses from 0 kGy to 300 kGy. There were no noticeable morphological and
structural changes in PTO and PZT films before and after irradiation. As a total dose increases up to 300 kGy, a
larger degradation behavior of electrical properties was observed in the PZT films rather than in the PTO films.
About 35% of remanent polarization value decreased for the PZT films, while just 10% of that decreased for the
PTO films. Dielectric constant of PZT films decreased much from 850 to 580, but that of the PTO films decreased
just a little from400 to 340. This degradation behavior of polarization and dielectric properties can be explained
by the pinning of domain walls by some radiation-induced defects. These results suggest that the PTO films have
higher radiation hardness properties than the PZT films.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราตรวจสอบผลกระทบวิธีการฉายรังสีแกมมาคุณสมบัติทางไฟฟ้าของ ferroelectric PbTiO3 (PTO) และPb (Zr0.52Ti0.48) O3 (PZT) ฟิล์มบาง ส่งกำลังออกและฟิล์มบาง PZT วจัดบนพื้นผิวโดย Pt/Ti/SiO2 เทียบศรีโดยวิธีโซลเจล ด้วยกระบวนการหมุนเคลือบ เตรียมส่งกำลังออกและ PZT บางภาพยนตร์ถูกรังสีแกมมา ด้วยปริมาณรวมต่าง ๆ จาก 0 kGy ถึง 300 kGy มีไม่เห็นสัณฐาน และการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างในภาพยนตร์ PTO และ PZT ก่อน และ หลังการฉายรังสี เป็นยารวมเพิ่มถึง 300 kGy การขนาดใหญ่การลดพฤติกรรมของคุณสมบัติทางไฟฟ้าพบว่า ในภาพยนตร์ PZT แทน ในภาพยนตร์ PTOประมาณ 35% ของค่าโพลาไรซ์ remanent ลดลงสำหรับฟิล์ม PZT ในขณะที่เพียง 10% ของที่ลดลงสำหรับการภาพยนตร์ PTO ค่าคงเป็นฉนวนฟิล์ม PZT ลดลงมากจาก 850 ไป 580 แต่ที่ PTO ภาพยนตร์ลดลงfrom400 เพียงเล็กน้อยกับ 340 ลักษณะการทำงานนี้ลดประสิทธิภาพคุณสมบัติโพลาไรซ์และเป็นฉนวนสามารถอธิบายได้โดยตรึงผนังโดเมนโดยบางข้อบกพร่องที่เกิดจากการแผ่รังสี ผลลัพธ์เหล่านี้แนะนำว่า มีฟิล์ม PTOคุณสมบัติการแข็งรังสีสูงกว่าภาพยนตร์ PZT

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราตรวจสอบผลกระทบการฉายรังสีแกมมาที่มีต่อสมบัติทางไฟฟ้าของ PbTiO3 ferroelectric (PTO) และ
Pb (Zr0.52Ti0.48) O3 (PZT) ฟิล์มบาง PTO และ PZT ฟิล์มบางได้ถูกเตรียมไว้บนพื้นผิว Pt / Ti / SiO2 / ศรีโดย
ใช้วิธีโซลเจลด้วยกระบวนการปั่นเคลือบ เตรียมส่งกำลังและ PZT ฟิล์มบางถูกยัดเยียดให้
รังสีแกมมาที่มีปริมาณรวมต่าง ๆ จาก 0 ถึง 300 กิโลเกรย์กิโลเกรย์ ไม่มีก้านและที่เห็นได้ชัดมี
การเปลี่ยนแปลงโครงสร้างในการส่งกำลังและ PZT ภาพยนตร์ก่อนและหลังการฉายรังสี เป็นยารวมเพิ่มขึ้นถึง 300 กิโลเกรย์ซึ่งเป็น
พฤติกรรมการย่อยสลายขนาดใหญ่ของคุณสมบัติทางไฟฟ้าพบว่าในภาพยนตร์ PZT มากกว่าในภาพยนตร์ของ pto
ประมาณ 35 ของค่าโพลาไรซ์ remanent% ลดลงสำหรับภาพยนตร์ PZT ในขณะที่เพียง 10% ของที่ลดลงสำหรับ
ภาพยนตร์ PTO
ฉนวนคงที่ของภาพยนตร์ PZT ลดลงมาก 850-580 แต่ที่ของภาพยนตร์ส่งกำลังออกลดลง เพียงเล็กน้อยเพื่อ from400 340 พฤติกรรมการย่อยสลายนี้ของโพลาไรซ์และอิเล็กทริกคุณสมบัติสามารถอธิบายได้
โดยตรึงของผนังโดเมนโดยบางข้อบกพร่องรังสีเหนี่ยวนำ ผลการศึกษานี้ชี้ให้เห็นว่าภาพยนตร์ PTO มี
คุณสมบัติแข็งรังสีสูงกว่าภาพยนตร์ PZT

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราศึกษารังสีแกมมาต่อสมบัติทางไฟฟ้าของ pbtio3 เฟอร์โรอิเล็กทริก ( PTO ) และตะกั่ว ( zr0.52ti0.48 ) O3 ( PZT ) ฟิล์มบาง วิธีเตรียมและ PTO ฟิล์มบางบน PT / Ti / SiO2 / จังหวัด ) โดยโดยใช้วิธีโซลเจลเคลือบด้วยการหมุนและกระบวนการ พร้อม PTO วิธีถูกและฟิล์มบางด้วยปริมาณรังสีรวมต่างๆตั้งแต่ 0 กิโลเกรย์ 300 kGy . ไม่มีสามารถและสัณฐานวิทยาโครงสร้างการเปลี่ยนแปลงและฟิล์ม PZT PTO ก่อนและหลังการฉายรังสี เป็นปริมาณรวมเพิ่มขึ้นถึง 300 kGy ,พฤติกรรมการย่อยสลายขนาดใหญ่ของสมบัติทางไฟฟ้าพบว่าในหนังมากกว่าใน PTO ภาพยนตร์ประมาณ 35% ของมูลค่า remanent ว่าฟิล์มโพลาไรเซชันลดลง ในขณะที่เพียง 10% ของที่ลดลงสำหรับPTO ภาพยนตร์ ค่าคงที่ไดอิเตรียมฟิล์มลดลงมากจาก 850 กับผม แต่ของ PTO ฟิล์มลดลงแค่ชั้นประถมเล็กน้อย 340 . การย่อยสลายนี้พฤติกรรมของโพลาไรเซชันและสมบัติไดอิเล็กทริกสามารถอธิบายได้โดยให้ผนังโดเมน โดยบาง radiation-induced ข้อบกพร่อง ผลลัพธ์เหล่านี้ชี้ให้เห็นว่า PTO ภาพยนตร์มีสูงความแข็งรังสีคุณสมบัติมากกว่าว่าภาพยนตร์