In combination with gate dielectric

In combination with gate dielectrics (e.g. HfSiO) that have a higher permittivity compared to standard SiO2 the gate length can be scaled down with low leakage, higher drive current and same or better threshold voltage.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ร่วมกับเก dielectrics (เช่น HfSiO) ที่มี permittivity สูงเมื่อเทียบกับ SiO2 มาตรฐาน สามารถปรับลงความยาวประตูรั่วไหลต่ำ สูงไดรฟ์ปัจจุบัน และเดียวกัน หรือดีกว่าขีดจำกัดแรงดันไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ร่วมกับ dielectrics ประตู (เช่น HfSiO) ที่มี permittivity สูงขึ้นเมื่อเทียบกับระยะเวลามาตรฐาน SiO2 ประตูสามารถปรับขนาดลงกับการรั่วไหลต่ำไดรฟ์ปัจจุบันและแรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่าเกณฑ์เดียวกันหรือดีกว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการรวมกันกับประตูชนิด ( เช่น hfsio ) ที่มีค่าความซาบซึมสูงกว่ามาตรฐาน ซิลิเกตความยาวสามารถปรับขนาดลงกับการรั่วไหลต่ำขับกระแสสูงขึ้นเหมือนกัน หรือดีกว่าของแรงดันไฟฟ้า