Fig. 3. FTIR analysis. (a) Polyanil

Fig. 3. FTIR analysis. (a) Polyaniline film and (b) ammonia exposed polyaniline film.
3.4. XRD analysis
The X-ray diffraction pattern of PANI as shown in Fig. 4 exhibited a highly disordered arrangement [41]. The pattern affirmed the amorphous nature of deposited PANI. A broad wide scattering around 2θ = 26◦ was evident which was probably due to the perpendicular periodicity of the X-ray beam to the polymer chain [42].










Fig. 4. XRD graph of polyaniline emeraldine salt.
3.5. Electrical impedance spectroscopy
The shape of the Nyquist plot obtained might be modeled by a typical doubly superimposed Randle’s circuit depicted in Fig. 5(a). The Nyquist plot yielded two semi circles entailing two halves of the frequency spectrum. An overlay of the Nyquist plots obtained
experimentally is given in Fig. 5(b).










Fig. 5. (a) Simple representative electrical circuit to model the experimental impedance data of the PANI ammonia sensor. R1 represents the contact resistance, R2 and R3 are the charge transfer resistances operationally effective at high and low frequencies respectively. The capacitances C1 and C2 are respectively important at high and low frequencies. (b) Nyquist plot of 5 ppm ammonia concentration.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 3 การวิเคราะห์ FTIR (ก) ฟิล์ม Polyaniline และ (ข) แอมโมเนียสัมผัสฟิล์ม polyaniline3.4 การวิเคราะห์ XRDรูปแบบการเลี้ยวเบนเอกซเรย์ PANI มาก Fig. 4 จัดแสดงจัดสูง disordered [41] รูปแบบการยืนยันลักษณะของ PANI นำฝากไป การ scattering กว้างกว้างรอบ 2θ = 26◦ ได้ชัดซึ่งเป็นจากประจำงวดเส้นของแสงเอ็กซ์เรย์กับห่วงโซ่พอลิเมอร์ [42]Fig. 4 กราฟ XRD ของ polyaniline emeraldine เกลือ3.5 การกความต้านทานที่ไฟฟ้ารูปร่างของ Nyquist พล็อตได้อาจเป็นแบบจำลอง โดยแบบปกติสองเหตุการณ์ superimposed Randle ของวงจรแสดงใน Fig. 5(a) พล็อต Nyquist เต็มวงกลมกึ่งสองมรดกสองซีกของสเปกตรัมความถี่ การซ้อนทับของ Nyquist ผืนได้experimentally จะได้รับใน Fig. 5(b)Fig. 5 (ก) เรื่องตัวแทนวงจรไฟฟ้าการโมเดลข้อมูลทดลองความต้านทานของเซ็นเซอร์แอมโมเนีย PANI ต้านทานติดต่อแทน R1, R2 และ R3 มีการค่าธรรมเนียมโอนทาน operationally มีประสิทธิภาพที่สูงและความถี่ต่ำตามลำดับ Capacitances C1 และ C2 มีความสำคัญลำดับสูงและความถี่ต่ำ (b) พล็อต Nyquist ของความเข้มข้นของแอมโมเนีย 5 ppm

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ 3. การวิเคราะห์ FTIR (ก) ภาพยนตร์ polyaniline และ (ข) แอมโมเนียสัมผัสภาพยนตร์ polyaniline.
3.4 การวิเคราะห์ XRD
รูปแบบ X-ray diffraction ของ PANI ดังแสดงในรูป 4 มีการจัดระเบียบอย่างมาก [41] รูปแบบยืนยันลักษณะสัณฐานของฝาก PANI กระเจิงกว้างกว้างรอบ2θ = 26◦เห็นได้ชัดซึ่งอาจเป็นเพราะช่วงตั้งฉากของ X-ray beam โซ่ลิเมอร์ [42]. รูป 4. กราฟ XRD ของเกลือ polyaniline emeraldine. 3.5 สเปกความต้านทานไฟฟ้ารูปร่างของพล็อต Nyquist ที่ได้รับอาจจะมีการสร้างแบบจำลองโดยทั่วไปทับทวีคูณวงจรแรนเดิลของภาพในรูป (5) พล็อต Nyquist ผลวงกลมสองวงกึ่งผูกพันทั้งสองส่วนของคลื่นความถี่ ซ้อนทับของแปลง Nyquist ที่ได้รับการทดลองจะได้รับในรูป 5 (ข). รูป 5. (ก) วงจรไฟฟ้าอย่างง่ายที่เป็นตัวแทนในการจำลองข้อมูลความต้านทานการทดลองของเซ็นเซอร์แอมโมเนีย PANI R1 แสดงให้เห็นถึงความต้านทานการติดต่อ, R2 และ R3 มีการถ่ายโอนค่าใช้จ่ายที่มีประสิทธิภาพความต้านทานในการดำเนินงานที่ความถี่สูงและต่ำตามลำดับ ประจุ C1 และ C2 มีความสำคัญตามลำดับที่ความถี่สูงและต่ำ (ข) การพล็อต Nyquist ของความเข้มข้นของแอมโมเนีย 5 ppm

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 3 การวิเคราะห์ FTIR . ( ก ) และ ( ข ) พอลิแอนิลีนฟิล์มพอลิแอนิลีนแอมโมเนียตากฟิล์ม
3.4 . การวิเคราะห์ XRD
ลวดลายการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ปานิดังแสดงในรูปที่ 4 แสดงสูงจัดไม่เป็นระเบียบ [ 41 ] แบบแผนยืนยันธรรมชาติซึ่งฝากปานิ .กว้างกว้างกระจายรอบ 2 θ = 26 ◦เห็นได้ชัดซึ่งอาจจะเนื่องจากการกำหนดออกตั้งฉากของรังสีแสงโซ่พอลิเมอร์ [ 42 ]










รูปที่ 4 วิเคราะห์กราฟของเกลือ emeraldine พอลิแอนิลีน .
3.5 . ไฟฟ้าอิมพีแดนซ์สเปกโทรสโกปี
รูปร่างของไนควิสต์พล็อตที่ได้อาจเป็นแบบทวีคูณมิติทั่วไป แรนเดิลวงจรปรากฎในรูปที่ 5 ( )พล็อตของไนควิสต์ให้ผลสองกึ่งวงกลม Entailing สองซีกของสเปกตรัมความถี่ ซ้อนทับของไนควิสต์แปลงได้โดยจะได้รับในรูปที่ 5
( B )










รูปที่ 5 ( 1 ) วงจรไฟฟ้าแบบง่าย ตัวแทนนักเรียนข้อมูล อิมพีแดนซ์ของผณิแอมโมเนีย เซ็นเซอร์ แสดงถึงความต้านทาน R1 ติดต่อและ R2 R3 เป็นค่าธรรมเนียมการโอน จากการปฏิบัติที่มีประสิทธิภาพที่ความถี่สูงและต่ำ ตามลำดับ การ capacitances C1 และ C2 ตามลำดับความสำคัญที่ความถี่สูงและต่ำ ( ข ) Nyquist วางแผน 5




แอมโมเนีย ppm