3.5. The optical propertiesThe tran

3.5. The optical properties
The transmittance of TNO thin films plotted in Fig. 6 and the optical band gap of the films illustrated in Fig. 7 show that the prepared TNO thin films can be classified in two groups. Group A with total metal concentration of 0.1 M containing samples S1, S3 and S5 with higher transparency and group B with total metal concentration of 0.4 M including samples S2, S4 and S6 with lower transparency. It is found that the average transparency of group A is about 60% and group B is about 50%. The wavy nature in transmission spectra is due to interference effect and a fast decrease in transmittance of S4 can be related to the excitonic transition [18]. The optical band gap determined between 3.4 (eV) to 3.6 (eV) for all samples shows that the group A has a wider band gap than group B, ranking as S1 > S3 > S5 in A and S4 > S2 > S6 in B. Doping with niobium caused the TiO2 optical band gap shift toward higher energies [19] from 3.2 (eV) to 3.6 (eV). Higher band gap of S1 in group A can be explained by increased carrier concentration of electrons in conduction band that is well known as Burstein–Moss effect [20] and also the higher band gap of S3 than S5 can be related to the presence of oxygen due to annealing process in S3. The higher band gap of S4 in group B is related to the oxygen presence caused by annealing process and comparison between S2 and S6 shows wider band gap in S2 because of Burstein–Moss effect. The B–M effect is useful for better conductivity and Oxygen can acts as a conductivity prohibition factor, so in another classification based on the four point surface resistivity meter that demonstrated the conductivity of just S1, S2 and S6 samples, it can be mentioned that the Burstein–Moss effect can be regarded as effective agent in better conductivity of S1, S2 and S6. Also in S3, S4 and S5 that the apparatus did not show any conductivity, the oxygen presence can be regarded as effective factor in optical band gap increasing.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.5.คุณสมบัติแสงTransmittance ของ TNO ฟิล์มบางพล็อตใน Fig. 6 และช่องว่างแถบแสงของฟิล์มที่แสดงใน Fig. 7 แสดงว่า สามารถจัดประเภทภาพยนตร์บาง TNO เตรียมไว้ในกลุ่มที่สอง กลุ่ม A มีความเข้มข้นโลหะรวม 0.1 เมตรตัวอย่าง S1, S3 และ S5 ประกอบด้วยความโปร่งใสและกลุ่ม B มีความเข้มข้นโลหะรวม 0.4 เมตรซึ่งรวมถึงตัวอย่าง S2, S4 และ S6 ความโปร่งใสต่ำกว่าสูงกว่า มันอยู่ที่ประมาณ 60% เป็นความโปร่งใสเฉลี่ยของกลุ่ม A และกลุ่ม B มีราคาประมาณ 50% หยักในแรมสเป็คตราส่งคือเนื่องจากผลกระทบของสัญญาณรบกวน และลดลงอย่างรวดเร็วใน transmittance S4 สามารถที่เกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนแปลง excitonic [18] ช่องว่างของวงแสงที่กำหนดระหว่าง 3.4 (eV) ไป 3.6 (eV) สำหรับตัวอย่างทั้งหมดแสดงว่า กลุ่ม A มีช่องว่างวงกว้างกว่ากลุ่ม B การจัดอันดับเป็น S1 > S3 > S5 ใน A และ S4 > S2 > S6 ใน B. Doping ด้วยไนโอเบียมเกิดกะช่องว่างวงแสง TiO2 ต่อพลังงานสูง [19] จาก 3.2 (eV) 3.6 (eV) สูงแถบช่องว่างของ S1 ในกลุ่ม A สามารถอธิบาย โดยผู้ขนส่งที่เพิ่มความเข้มข้นของอิเล็กตรอนในวงจึงที่เป็นที่รู้จักกันดีเป็นผล Burstein – มอส [20] และสูงแถบช่องว่างของ S3 กว่า S5 สามารถเกี่ยวข้องกับสถานะของออกซิเจนจากกระบวนการใน S3 การอบเหนียว ช่องว่างวงสูงของ S4 ในกลุ่ม B เกี่ยวข้องกับสถานะออกซิเจนที่เกิดจากกระบวนการอบเหนียว และเปรียบเทียบระหว่าง S2 S6 แสดงแถบช่องว่างที่กว้างขึ้นใน S2 เพราะผล Burstein – มอส ผล B-M มีประโยชน์สำหรับนำขึ้นและออกซิเจนสามารถทำหน้าที่เป็นตัวนำ prohibition คูณ ดังนั้น ในการจัดประเภทอื่นตามสี่ชี้วัดความต้านทานพื้นผิวที่แสดงนำเพียงตัวอย่าง S1, S2 และ S6 สามารถกล่าวว่า ผล Burstein – มอสอาจถือเป็นตัวแทนที่มีประสิทธิภาพในการขึ้นนำของ S1, S2 และ S6 ยัง ใน S3, S4 และ S5 ที่เครื่องไม่ได้แสดงนำใด ๆ ออกซิเจนก็อาจถือเป็นปัจจัยที่มีผลในการเพิ่มช่องว่างของวงแสง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.5 คุณสมบัติทางแสง
การส่งผ่านของ TNO ฟิล์มบางจุดในรูป 6 และช่องว่างแถบแสงของภาพยนตร์ที่แสดงในรูป 7 แสดงให้เห็นว่าเตรียม TNO ฟิล์มบางสามารถแบ่งได้เป็นสองกลุ่ม กลุ่มที่มีความเข้มข้นของโลหะรวม 0.1 M ที่มีตัวอย่าง S1, S3 และ S5 ด้วยความโปร่งใสสูงขึ้นและกลุ่ม B กับความเข้มข้นของโลหะรวมของ 0.4 M รวมทั้งตัวอย่าง S2, S4 และ S6 ด้วยความโปร่งใสต่ำ นอกจากนี้ยังพบว่าความโปร่งใสเฉลี่ยของกลุ่มอยู่ที่ประมาณ 60% และกลุ่ม B คือประมาณ 50% ลักษณะหยักในสเปกตรัมการส่งผ่านเป็นเพราะผลกระทบรบกวนและลดลงอย่างรวดเร็วในการส่งผ่านของ S4 อาจจะเกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนแปลง excitonic [18] ช่องว่างแถบแสงกำหนดระหว่าง 3.4 (EV) ถึง 3.6 (EV) สำหรับกลุ่มตัวอย่างทั้งหมดแสดงให้เห็นว่ากลุ่มที่มีช่องว่างวงกว้างกว่ากลุ่ม B, การจัดอันดับเป็น S1> S3> S5 ในและ S4> S2> S6 ในบี ยาสลบกับไนโอเบียมเกิดช่องว่างแถบแสง TiO2 เปลี่ยนแปลงที่มีต่อพลังงานที่สูงขึ้น [19] จาก 3.2 (EV) ถึง 3.6 (EV) ช่องว่างแถบที่สูงขึ้นของ S1 ในกลุ่มสามารถอธิบายได้ด้วยความเข้มข้นของผู้ให้บริการที่เพิ่มขึ้นของอิเล็กตรอนในวงการนำที่เป็นที่รู้จักกันดีว่าเป็นผลกระทบ Burstein-มอส [20] และยังเป็นช่องว่างแถบที่สูงขึ้นของ S3 S5 กว่าอาจจะเกี่ยวข้องกับการปรากฏตัวของออกซิเจน เนื่องจากกระบวนการอบอ่อนใน S3 ช่องว่างแถบที่สูงขึ้นของ S4 ในกลุ่ม B เป็นเรื่องที่เกี่ยวข้องกับการปรากฏตัวของออกซิเจนที่เกิดจากกระบวนการหลอมและการเปรียบเทียบระหว่าง S2 และ S6 แสดงให้เห็นช่องว่างวงกว้างขึ้นใน S2 เพราะผล Burstein-มอสส์ B-M มีผลบังคับใช้จะเป็นประโยชน์สำหรับการนำที่ดีขึ้นและออกซิเจนสามารถทำหน้าที่เป็นปัจจัยข้อห้ามการนำดังนั้นในการจัดหมวดหมู่อื่นขึ้นอยู่กับความต้านทานพื้นผิวเมตรสี่จุดที่แสดงให้เห็นถึงการนำเพียง S1, S2 และตัวอย่าง S6 ก็สามารถที่จะกล่าวว่า ผล Burstein-มอสถือได้ว่าเป็นตัวแทนที่มีประสิทธิภาพในการนำที่ดีขึ้นของ S1, S2 และ S6 นอกจากนี้ใน S3, S4 และ S5 ว่าเครื่องไม่ได้แสดงการนำใด ๆ ปรากฏออกซิเจนสามารถถือเป็นปัจจัยที่มีประสิทธิภาพในช่องว่างแถบแสงที่เพิ่มขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.5 . สมบัติการส่งผ่านของแสง
tno ฟิล์มบางจุดในรูปที่ 6 และช่องว่างแถบเชิงแสงของภาพยนตร์ที่แสดงในรูปที่ 7 แสดงให้เห็นว่า tno เตรียมฟิล์มบางสามารถแบ่งออกเป็นสองกลุ่ม กลุ่มที่มีความเข้มข้น 0.1 M โลหะทั้งหมดที่มีตัวอย่าง S1 , S3 S5 กับที่สูงและความโปร่งใส และ กลุ่ม บี กับความเข้มข้นของโลหะทั้งหมด 0.4 M รวมทั้งตัวอย่าง S2S4 และ s6 ที่มีความโปร่งใสต่ำ พบว่าค่าเฉลี่ยของความโปร่งใสกลุ่มประมาณ 60% และกลุ่ม B มีประมาณ 50% ลักษณะคลื่นในสเปกตรัมการส่งผ่านเนื่องจากผลการแทรกสอดและลดลงอย่างรวดเร็วในการส่งผ่านของ S4 อาจจะเกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนแปลง excitonic [ 18 ] ช่องว่างแถบวัดแสงระหว่าง 3.4 ( EV ) 3 .6 ( EV ) สำหรับตัวอย่างทั้งหมด พบว่า กลุ่มที่มีช่องว่างแถบกว้างกว่ากลุ่ม B , การจัดอันดับที่ S1 S3 S5 ใน > > และ > > s6 S2 S4 B ในการเติมไนโอเบียมทำให้เกิดวงแสง ) ช่องว่างกะต่อสูงกว่าพลัง [ 19 ] จาก 3.2 ( EV ) 3.6 ( EV ) .ช่องว่างแถบ S1 สูงกว่าในกลุ่มที่สามารถอธิบายได้โดยการเพิ่มความเข้มข้นของอิเล็กตรอนในพาหะนำวงดนตรีที่เป็นที่รู้จักกันเป็นอย่างดีในฐานะเบอร์สไตน์–มอส Effect [ 20 ] และยังมีช่องว่างแถบของ S3 S5 ที่สูงกว่าสามารถที่เกี่ยวข้องกับการปรากฏตัวของออกซิเจนเนื่องจากกรรมวิธีการอบใน S3 .วงดนตรีที่สูงขึ้นในช่องว่างของ S4 B กลุ่มที่เกี่ยวข้องกับออกซิเจนตนเกิดจากกรรมวิธีการอบและการเปรียบเทียบระหว่าง S2 และ s6 แสดงกว้างช่องว่างแถบใน S2 เพราะเบอร์สไตน์–มอส ผล b ) M มีผลประโยชน์ไฟฟ้าดีขึ้นและออกซิเจนสามารถทำหน้าที่เป็นนำห้ามจัยดังนั้นในอีกหมวดหมู่ยึดสี่จุดพื้นผิวที่แสดงโดยเครื่องวัดค่าแค่ S1 , S2 และตัวอย่าง s6 ได้กล่าวว่า เบอร์สไตน์–มอสผลสามารถถือเป็นตัวแทนในการนำที่มีประสิทธิภาพดีกว่าของ S1 , S2 และ s6 . นอกจากนี้ใน S3 , S4 และ S5 ที่เครื่องไม่มีการนําออกซิเจนที่ตนสามารถถือเป็นผลปัจจัยในช่องว่างแถบแสงเพิ่ม