As an important wide-band-gap (3.37

As an important wide-band-gap (3.37 eV, 300 K) semiconductor with large exciton binding energy (60 meV), zinc oxide
(ZnO) has been found quite useful in the fields of gas sensors, piezoelectric devices, ultraviolet (UV) lasers and solar cells
owing to its superior electronic, chemical and optical properties [11–14].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นตัวสำคัญทั้งวงช่องว่าง (3.37 eV, 300 K) สารกึ่งตัวนำกับพลังงานยึดเหนี่ยว exciton ขนาดใหญ่ (60 meV), สังกะสีออกไซด์(ZnO) พบค่อนข้างมีประโยชน์ในด้านของเซนเซอร์ก๊าซ อุปกรณ์ piezoelectric เลเซอร์รังสีอัลตราไวโอเลต (UV) และเซลล์แสงอาทิตย์เนื่องจากกว่าอิเล็กทรอนิกส์ สารเคมี และแสงคุณสมบัติ [11-14]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในฐานะที่เป็นสิ่งสำคัญวงกว้างช่องว่าง (3.37 eV 300 K) เซมิคอนดักเตอร์กับ exciton ขนาดใหญ่ที่มีผลผูกพันพลังงาน (60 MeV) ซิงค์ออกไซด์
(ZnO) ได้รับพบว่ามีประโยชน์มากในด้านของการเซ็นเซอร์ก๊าซอุปกรณ์ piezoelectric, อัลตราไวโอเลต (UV) เลเซอร์และเซลล์แสงอาทิตย์
เนื่องจากการที่เหนือกว่าอิเล็กทรอนิกส์เคมีและคุณสมบัติทางแสง [11-14]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นแถบกว้างช่องว่างที่สำคัญ ( 3.37 EV , 300 K ) เซมิคอนดักเตอร์พลังงานผูกพัน exciton ขนาดใหญ่ ( มากกว่า 60 ) , สังกะสีออกไซด์( ไฟฟ้า ) ได้พบว่ามีประโยชน์มากในด้านของก๊าซเซ็นเซอร์ อุปกรณ์เพียโซอิเล็กทริก รังสีอัลตราไวโอเลต ( UV ) เลเซอร์และเซลล์แสงอาทิตย์เนื่องจากที่เหนือกว่าของ อิเล็กทรอนิกส์ เคมีและสมบัติเชิงแสง [ 11 – 14 ]