Experimental2.1. Preparation of pho

Experimental2.1. Preparation of photocatalystsGaN:ZnO catalyst was prepared by heating a mixture of 2.16 g -Ga2O3(Acros, 99.99%) and 1.88 g ZnO (J.T. Baker 99%) at 1125 K for15 h under NH3flow [20]. Prior to the nitridation process, -Ga2O3and ZnO were pulverized in a mortar for 30 min. After the nitri-dation process, the resulting powder was pulverized for another30 min. For the final step, GaN:ZnO was calcined under air flow at873 K for 2 h. GaN:ZnO–Ni/NiO catalyst was prepared by incipientwetness impregnation as described previously [23]. Firstly, 0.3 gof GaN:ZnO powder was impregnated with 3–4 mL of de-ionizedwater containing 2.5 wt.% of Ni precursor (Ni(NO3)2·6H2O, NacalaiTesque Inc.) over an evaporating dish. After that, the slurry wasplaced in an oven at 353 K to ensure complete dryness. Lastly, theresulting powder was reduced with H2for 2 h at 573 K and then oxi-dized by air for 1 h at 473 K to form a core-shell structure of Ni/NiOcluster.Pt/WO3catalyst was prepared by a photo-deposition process.Firstly, H2PtCl6solution of desired concentration was mixed withcommercial WO3(Aldrich 99.995%) powder to give a 0.5 wt.%of Pt-loaded. The well-mixed solution was next irradiated byUV lamp with an intensity of 5 W/cm2for 1.5 h to perform thephoto-deposition process. The resulting powder was subsequentlywashed by de-ionized water and centrifuged several times toensure that there was no residual Cl−remaining on the photocata-

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Experimental2.1. การเตรียมตัวเร่งปฏิกิริยา photocatalystsGaN:ZnO จัดทำ โดยเครื่องทำความร้อนเป็นส่วนผสมของ 2.16 g-Ga2O3 (Acros, 99.99%) และ 1.88 g ZnO (J.T. เบเกอร์ 99%) ที่ for15 1125 K h ภายใต้ NH3flow [20] ก่อนกระบวนการ nitridation, -Ga2O3and ZnO ได้คลุกในครก 30 นาที หลังจากกระบวนการ nitri dation ผงผลถูกคลุก another30 นาที สำหรับขั้นตอนสุดท้าย GaN:ZnO เผาผลิตภัณฑ์ภายใต้อากาศไหล at873 K สำหรับ 2 h. GaN:ZnO – ถูกเตรียมตัวเร่งปฏิกิริยา Ni/NiO incipientwetness ทำให้มีขึ้นตามที่อธิบายไว้ก่อนหน้านี้ [23] ประการแรก gof 0.3 GaN:ZnO ผงถูกชุบ ด้วย 3-4 mL ของ de ionizedwater ที่ประกอบด้วย wt.% 2.5 ของปูชนียบุคคล Ni (Ni (NO3) 2·6H2O, NacalaiTesque Inc.) ผ่านจานการระเหย หลังจากนั้น wasplaced สารละลายในเตาอบที่ 353 K เพื่อให้แน่ใจว่าแห้งสมบูรณ์ สุดท้าย ผง theresulting ลดลง ด้วย H2for 2 h ที่ 573 K แล้ว oxi dized ทางอากาศสำหรับ h 1 ที่ 473 K เพื่อเป็นโครงสร้างเปลือก Ni/NiOcluster.Pt/WO3catalyst จัดทำกระบวนการสะสมภาพ ตอนแรก H2PtCl6solution ความเข้มข้นที่ต้องการถูกผสมผง (Aldrich 99.995%) WO3 withcommercial ให้เป็น wt.%o 0.5 f โหลด Pt โซลูชันแบบผสมดีแก้ไขถัดไปฉายรังสี byUV โคมระดับรุนแรงของ 5 W/cm2for 1.5 h เพื่อทำกระบวนการสะสม thephoto ผงผลถูก subsequentlywashed โดยน้ำ de-ไอออน และผลิตภัณฑ์จัดหลายครั้งว่า มันมีไม่มี Cl−remaining เหลือ photocata-

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Experimental2.1 การเตรียมการของ photocatalystsGaN: ตัวเร่งปฏิกิริยา ZnO ถูกจัดทำขึ้นโดยใช้ความร้อนที่มีส่วนผสมของ 2.16 กรัม -Ga2O3 (Acros 99.99%) และ 1.88 กรัมซิงค์ออกไซด์ (JT Baker 99%) ที่ 1125 K for15 ชั่​​วโมงภายใต้ NH3flow [20]? ก่อนที่จะมีกระบวนการไนไตรเดชันที่? -Ga2O3and ZnO ถูกบดในครกเป็นเวลา 30 นาที หลังจากขั้นตอนการ nitri-มูลนิธิผงที่เกิดขึ้นได้รับการแหลกลาญสำหรับ another30 นาที สำหรับขั้นตอนสุดท้ายกาน: ZnO ถูกเผาภายใต้การไหลของอากาศ at873 K สำหรับ 2 ชั่วโมง กาน: ZnO-Ni / ตัวเร่งปฏิกิริยา NiO ถูกจัดทำขึ้นโดยการทำให้ incipientwetness ตามที่อธิบายไว้ก่อนหน้านี้ [23] ประการแรก 0.3 ขาดกาน: ผงซิงค์ออกไซด์ถูกชุบด้วย 3-4 มล de-ionizedwater ที่มีน้ำหนัก 2.5% ของ Ni สารตั้งต้น (Ni (NO3) 2 · 6H2O, NacalaiTesque อิงค์) มากกว่าจานระเหย. หลังจากนั้นสารละลาย wasplaced ในเตาอบที่ 353 K เพื่อให้แน่ใจว่าแห้งสมบูรณ์ สุดท้ายผง theresulting ก็ลดลงด้วย H2for 2 ชั่วโมงที่ 573 K แล้ว Oxi-dized ทางอากาศเป็นเวลา 1 ชั่วโมงใน 473 K ในรูปแบบโครงสร้างหลักของเปลือก Ni / NiOcluster.Pt / WO3catalyst ถูกจัดทำขึ้นโดยกระบวนการภาพทับถม ประการแรก H2PtCl6solution ของความเข้มข้นที่ต้องการผสม withcommercial WO3 (ดิช 99.995%) ผงที่จะให้ 0.5 WT.% ของ PT-โหลด วิธีการแก้ปัญหาที่ดีผสมอยู่ถัดจากการฉายรังสีหลอดไฟที่มีความรุนแรง byUV 5 W / การ cm2for 1.5 ชั่​​วโมงในการดำเนินการของพยาน thephoto-กระบวนการ ผงที่เกิดถูก subsequentlywashed โดยน้ำบริสุทธิ์และหมุนเหวี่ยงหลายครั้ง toensure ว่าไม่มีเหลือ CL-ที่เหลืออยู่บน photocata-

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

experimental2.1 . การเตรียม photocatalystsgan : ซิงค์ออกไซด์ตัวเร่งปฏิกิริยาถูกเตรียมโดยความร้อนส่วนผสมของ 2.16 กรัม ga2o3 ( acros , 99.99% ) และ 1.88 กรัม ZnO ( J.T . Baker 99% ) ที่ 1125 K " H ภายใต้ nh3flow [ 20 ] ก่อนกระบวนการไนไตร , - ga2o3and ZnO ถูกทุบในครกเป็นเวลา 30 นาที หลังจากเกิดกระบวนการไนไตร SIRS , ผงบดสำหรับ another30 นาที ขั้นตอนสุดท้าย โดย : ZnO เผาภายใต้อากาศ at873 K เป็นเวลา 2 ชั่วโมง โดย : ZnO และ Ni / นีโอตัวเร่งปฏิกิริยาถูกเตรียมโดยการเคลือบ incipientwetness ตามที่ระบุไว้ ก่อนหน้านี้ [ 23 ] ประการแรก gof 0.3 ZnO โดย : ผงชุบ 3 – 4 มิลลิลิตร เดอ ionizedwater ที่มี 2.5 % โดยน้ำหนักของชั้นสารตั้งต้น ( Ni ( 3 ) 2 6h2o nacalaitesque Suite , Inc . ) ผ่านการระเหยจาน หลังจากนั้น แป้งชูประเด็นในเตาอบที่คุณ K ให้แห้งสมบูรณ์ ท้ายนี้ ฮาร์ดแวร์ผงขนาด h2for 2 H ที่คุณ K แล้ว oxi dized ทางอากาศ 1 H ที่ 473 K ในรูปแบบโครงสร้าง core-shell Ni / niocluster.pt/wo3catalyst เตรียมได้จากกระบวนการสะสมภาพถ่าย ประการแรก h2ptcl6solution ความเข้มข้นที่ต้องการผสมกัล wo3 ( อัลดริช 99.995 % ) ผงให้ 0.5 % โดยน้ำหนักของ PT โหลด โซลูชั่นผสมต่อไปคือการฉายรังสี byuv โคมไฟกับความเข้มของ 5 W / cm2for 1.5 H แสดง thephoto กระบวนการเคลือบ ผล subsequentlywashed โดย De ionized น้ำผง คือ ไฟฟ้าที่มีหลายครั้งว่าไม่มีตกค้างเหลืออยู่บน photocata - Cl −