By dramatically varying the values

By dramatically varying the values of parameters of the
impedance components of a DSC full-interface equivalent circuit
containing four interfaces and two layers, we have studied
the interaction between the charge interface transfer impedance
and interfacial transport impedance and its effect on the overall
impedance of the cell. The results show that some previously
ignored interfaces, such as the TCO/TiO2 and TCO/EL interfaces,
as well as Nernst diffusion impedance in the electrolyte solution,
can also influence the overall impedance characteristics of DSC
under certain circumstances. When the transfer resistance of the
TCO/TiO2 interface reaches 10 , the speed of the electron transfer
process may become a factor that inhibits the collection of electrons;
the impedance of DSC is not significantly influenced when
the capacitance of the TCO/TiO2 interface is changed by an order
of 103. When the transfer resistance of the TCO/EL interface is
small (1 ), the semicircle of the medium frequency range will
nearly vanish and only the Nernst diffusion impedance and EL/Pt-
TCO interface impedance are left. The impedance of DSC is barely
influenced when it rises to above 104. When the capacitance of
the TCO/EL interface is decreased by 1.5
×
10−6 F, the semicircle of
the TCO/TiO2 interface can be observed; when it is increased, the
impedance of DSC is barely influenced. When the dc resistance is
large enough, the Nernst diffusion impedance will coincide with
the impedance of the Dyed-TiO2/EL interface. As the characteristic
diffusion time decreases, it becomes more and more difficult to
observe the electrolyte diffusion impedance of the low frequency
range.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โดยค่าของพารามิเตอร์ที่แตกต่างกันอย่างมากประกอบความต้านทานของวงจรเท่ากับอินเตอร์เฟซเต็ม DSCประกอบด้วยอินเทอร์เฟซที่สี่และชั้นที่สอง เรามีศึกษาปฏิสัมพันธ์ระหว่างความต้านทานการโอนย้ายอินเทอร์เฟซสำหรับค่าธรรมเนียมและความต้านทานแรงขนส่งและผลกระทบโดยรวมความต้านทานของเซลล์ ผลลัพธ์แสดงว่าบางอย่างก่อนหน้านี้อินเทอร์เฟซ เช่นเฟซ TCO/TiO2 และ TCO/เอล ละเว้นเช่นเดียวกับอิมพีแดนซ์กระจาย Nernst ในละลายอิเล็กโทรไลต์นอกจากนี้ยังสามารถมีอิทธิพลต่อลักษณะความต้านทานโดยรวมของ DSCในบางสถานการณ์ เมื่อความต้านทานการถ่ายโอนของอินเตอร์เฟซ TCO/TiO2 ถึง 10 ความเร็วของการถ่ายโอนอิเล็กตรอนกระบวนการอาจเป็น ปัจจัยที่ช่วยยับยั้งการเก็บอิเล็กตรอนอิมพีแดนซ์ของ DSC จะไม่ได้รับอิทธิพลอย่างมีนัยสำคัญเมื่อความจุของอินเทอร์เฟซ TCO/TiO2 ที่มีการเปลี่ยนแปลงตามใบสั่งของ 103 เมื่อมีความต้านทานการถ่ายโอนของอินเทอร์เฟซ TCO/ELจะเล็ก (1), ครึ่งวงกลมของช่วงความถี่กลางเกือบหายไป และเฉพาะอิมพีแดนซ์กระจาย Nernst และ EL/Pt-อิมพีแดนซ์อินเตอร์เฟซ TCO ที่เหลือ อิมพีแดนซ์ของ DSC เป็นแทบอิทธิพลต่อเมื่อมันขึ้นไปเหนือ 104 เมื่อความจุของอินเทอร์เฟซ TCO/EL จะลดลง 1.5×เวลา 10-6 F ครึ่งวงกลมของอินเทอร์เฟซ TCO/TiO2 จะสังเกตได้ เมื่อมีการเพิ่มขึ้น การแทบไม่มีอิทธิพลความต้านทานของ DSC เมื่อความต้านทาน dc เป็นขนาดใหญ่เพียงพอ ความต้านทานการแพร่ Nernst จะลงรอยกับอิมพีแดนซ์ของอินเทอร์เฟซย้อม-TiO2/เอ เป็นลักษณะลดเวลาการกระจาย ยากยิ่งที่จะสังเกตอิมพีแดนซ์กระจายของอิเล็กโทรไลท์ของความถี่ต่ำช่วงนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยอย่างมากที่แตกต่างกันค่าพารามิเตอร์ของ
ส่วนประกอบต้านทานเต็มอินเตอร์เฟซวงจรสมมูล DSC
ที่มีสี่อินเตอร์เฟซและสองชั้นเราได้ศึกษา
ปฏิสัมพันธ์ระหว่างความต้านทานค่าใช้จ่ายการโอนอินเตอร์เฟซ
และความต้านทานการขนส่ง interfacial และผลกระทบต่อภาพรวมของ
ความต้านทานของ เซลล์ ผลการศึกษาพบว่าบางส่วนก่อนหน้านี้
อินเตอร์เฟซละเว้นเช่น TCO / TiO2 และ TCO / เออินเตอร์เฟซ
เช่นเดียวกับการแพร่กระจาย Nernst สมรรถภาพในการแก้ปัญหาอิเล็กโทรไล,
นอกจากนี้ยังสามารถมีอิทธิพลต่อลักษณะความต้านทานโดยรวมของ DSC
ภายใต้สถานการณ์บางอย่าง เมื่อความต้านทานโอน
? อินเตอร์เฟซ TCO / TiO2 ถึง 10 ความเร็วของการถ่ายโอนอิเล็กตรอน
กระบวนการอาจจะกลายเป็นปัจจัยที่ยับยั้งการสะสมของอิเล็กตรอน;
สมรรถภาพของ DSC จะไม่ได้รับอิทธิพลอย่างมีนัยสำคัญเมื่อ
ความจุของอินเตอร์เฟซ TCO / TiO2 คือ การเปลี่ยนแปลงตามคำสั่ง
ของ 103 เมื่อความต้านทานการถ่ายโอนของอินเตอร์เฟซ TCO / เอลเป็น
ขนาดเล็ก (1), ครึ่งวงกลมของช่วงความถี่กลางจะ
เกือบหายไปและมีเพียง Nernst ความต้านทานการแพร่กระจายและ EL / Pt-
อินเตอร์เฟซ TCO ความต้านทานจะเหลือ . ความต้านทานของ DSC คือแทบจะไม่
ได้รับอิทธิพลเมื่อมันเพิ่มสูงกว่า 104 ?. เมื่อความจุของ
อินเตอร์เฟซ TCO / เอลลดลง 1.5
×
10-6 F, ครึ่งวงกลมของ
อินเตอร์เฟซ TCO / TiO2 สามารถสังเกตได้; เมื่อมีการเพิ่มขึ้น
ความต้านทานของ DSC แทบจะไม่ได้รับอิทธิพล เมื่อต้านทาน DC คือ
มีขนาดใหญ่พอที่แพร่ต้านทาน Nernst จะตรงกับ
ความต้านทานของย้อม-TiO2 / อินเตอร์เฟซเอล ในฐานะที่เป็นลักษณะ
เวลาการแพร่ลดลงมันจะกลายเป็นเรื่องที่ยากมากที่จะ
สังเกตความต้านทานการแพร่กระจายของอิเล็กโทรไลความถี่ต่ำ
ช่วง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยสามารถเปลี่ยนค่าพารามิเตอร์ของส่วนประกอบอิมพีแดนซ์ของ DSC เต็มเฟสวงจรสมมูลที่ประกอบด้วยสี่ interfaces สองชั้น เราได้ศึกษาปฏิสัมพันธ์ระหว่างการชาร์จแบบอิมพีแดนซ์และสมรรถภาพและการขนส่งระหว่างผลกระทบโดยรวมความต้านทานของเซลล์ ผลที่ได้แสดงให้เห็นว่าบางส่วนก่อนหน้านี้ปฏิเสธการเชื่อมต่อ เช่น TCO / TiO2 TCO / เอลและอินเตอร์เฟซรวมทั้งเนินสต์ในสารละลายอิเล็กโทรไลต์อิมพีแดนซ์กระจาย ,ยังสามารถมีอิทธิพลโดยลักษณะของ DSC อิมพีแดนซ์ภายใต้สถานการณ์บางอย่าง เมื่อโอนความต้านทานของTCO / TiO2 อินเตอร์เฟซถึง 10 , ความเร็วของการถ่ายโอนอิเล็กตรอนกระบวนการอาจกลายเป็นปัจจัยที่ยับยั้งคอลเลกชันของอิเล็กตรอนอิมพีแดนซ์ของ DSC ไม่มีผลต่อเมื่อมีความจุของ TCO / TiO2 อินเตอร์เฟซที่มีการเปลี่ยนแปลงคำสั่ง103 . เมื่อโอนต้านทานของอินเตอร์เฟซ TCO / เอล คือขนาดเล็ก ( 1 ) ครึ่งวงกลมของช่วงความถี่กลาง จะเกือบจะหายไปและมีเพียงเนินสต์การแพร่กระจายและเอล / PT - อิมพีแดนซ์อินเตอร์เฟซแบบหนึ่งเดียวที่เหลืออยู่ อิมพีแดนซ์ของ DSC ฉิวเฉียดอิทธิพลเมื่อโผล่ขึ้นเหนือ 104 เมื่อความจุของอินเตอร์เฟซที่สามารถจะลดลง 1.5 / เอล×10 − 6 F , ครึ่งวงกลมของTCO / TiO2 ที่อินเตอร์เฟซที่สามารถสังเกตได้ เมื่อมันเพิ่มขึ้นอิมพีแดนซ์ของ DSC แทบจะชักจูง เมื่อความต้านทาน DC คือมีขนาดใหญ่เพียงพอ เนิร์นสท์กระจายอิมพีแดนซ์จะเหมือนกันกับอิมพีแดนซ์ของอินเตอร์เฟซ dyed-tio2 / เอล เป็นลักษณะเวลาแพร่ลด มันจะกลายเป็นมากขึ้นและยากที่จะสังเกตอิเล็กโทรไลต์กระจายอิมพีแดนซ์ของความถี่ต่ำช่วง