The variation of the band gap energ

The variation of the band gap energy (Eg) with the processing variables is also summarized in Table 2. The increase in VF led to a shift towards increasing Eg values; while the increase in tF had the opposite effect, diminishing the estimated values for Eg. This behavior is in accordance with that observed in the variation of Nd in Table 2; because the insertion of C or N induces energetic states over the TiO2 valence band, decreasing Eg Additionally, according to previous studies, doping TiO2 with these elements leads to a shift of Efb towards more distant values from the TiO2 conduction band disagreeing with the trend observed in Table 2. However, it is worth mentioning that the measurement of semiconductor properties using EIS is limited to compact oxide film so in order to obtain information about the flat band potential of the nanotube film, open circuit potential measurements were performed under illumination (OCPon), see Figure 2a.
The increase in VF and tF during the growth of the TiO2 nanotubes modified the OCPon, showing that defects induced by the insertion of N and/or C during film growth, primarily impacts the properties of the porous outer film, and no the internal compact layer. This behavior is consistent with that observed by other researchers, that have shown than fluoride ions migrates faster than oxygen, or C and N species, due to their size and mobility in the TiO2 lattice; so fluoride ions are mainly present in the compact film, while species of C and N, remain TiO2 nanotubes

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นอกจากนี้ยังมีสรุปการเปลี่ยนแปลงของพลังงานช่องว่างวง (Eg) กับตัวแปรการประมวลผลในตารางที่ 2 นำไปสู่การเปลี่ยนแปลงมากขึ้นค่า Eg; VF ที่เพิ่มขึ้น ในขณะที่การเพิ่มขึ้นของ tF ได้ผล ลดลงค่าประมาณสำหรับ Eg ลักษณะการทำงานนี้เป็นที่ที่สังเกตในการเปลี่ยนแปลงของ Nd ในตารางที่ 2 เนื่องจากแทรกของ C หรือ N ก่อให้เกิดพลังอเมริกาเหนือแถบวาเลนซ์ TiO2 ลดเช่นนอกจากนี้ ตามการศึกษาก่อนหน้านี้ ยาสลบ TiO2 กับองค์ประกอบเหล่านี้นำไปสู่กะของ Efb ไปทางไกลกว่าค่าจากวงนำ TiO2 ประชดแนวโน้มสังเกตในตารางที่ 2 อย่างไรก็ตาม มันเป็นมูลค่าการกล่าวขวัญว่า การวัดคุณสมบัติสารกึ่งตัวนำที่ใช้ EIS ถูกจำกัดการกระชับออกไซด์ฟิล์มดังนั้นเพื่อให้ได้ข้อมูลเกี่ยวกับศักยภาพวงแบนของทิวบ์ฟิล์ม วงจรเปิดดำเนินการภายใต้แสงสว่าง (OCPon), การวัดศักยภาพเห็นรูป 2aVF และ tF ในระหว่างการเจริญเติบโตของ TiO2 nanotubes แก้ไข OCPon แสดงว่า ข้อบกพร่องเกิดจากการแทรกของ N และ C ระหว่างฟิล์มเติบโต การเพิ่มขึ้นเป็นหลักส่งผลกระทบต่อคุณสมบัติของฟิล์มนอกรูพรุน และไม่มีชั้นที่กระชับภายใน ลักษณะนี้จะสอดคล้องกับที่ตรวจสอบ โดยนักวิจัยอื่น ๆ ที่แสดงให้เห็นกว่าฟลูออไรด์ไอออนย้ายได้เร็วกว่าออกซิเจน หรือ C และ N ชนิด ขนาดและจำนวนในตาข่าย TiO2 ฟลูออไรด์ไอออนดังนั้นส่วนใหญ่อยู่ในฟิล์มขนาดเล็ก ในขณะที่พันธุ์ C และ N ยังคง TiO2 nanotubes

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเปลี่ยนแปลงของพลังงานวงช่องว่าง (เช่น) กับตัวแปรที่มีการประมวลผลยังเป็นที่สรุปไว้ในตารางที่ 2 การเพิ่มขึ้นของ VF นำไปสู่การเปลี่ยนแปลงไปสู่การเพิ่มค่าเช่น; ในขณะที่เพิ่มขึ้นในการลุยมีผลตรงข้ามลดลงค่าประมาณสำหรับเช่น ลักษณะการทำงานนี้เป็นไปตามที่พบในรูปแบบของ Nd ในตารางที่ 2 นั้น เพราะการแทรกของ C หรือ N เจือจางรัฐมีพลังมากกว่าวง TiO2 Valence ลดลงเช่นนอกจากนี้ตามการศึกษาก่อนหน้านี้ยาสลบ TiO2 กับองค์ประกอบเหล่านี้จะนำไปสู่การเปลี่ยนแปลงของ EFB ต่อค่าห่างไกลมากขึ้นจากวง TiO2 การนำไม่เห็นด้วยกับแนวโน้มสังเกต ในตารางที่ 2 แต่ก็เป็นมูลค่าการกล่าวขวัญว่าการวัดคุณสมบัติของสารกึ่งตัวนำที่ใช้ EIS จะถูก จำกัด ฟิล์มออกไซด์ขนาดกะทัดรัดดังนั้นเพื่อที่จะได้รับข้อมูลเกี่ยวกับศักยภาพวงแบนของฟิล์มนาโนวงจรเปิดวัดที่อาจเกิดขึ้นได้ดำเนินการภายใต้การส่องสว่าง (OCPon ) เห็น 2a เต็มตัว.
เพิ่มขึ้นใน VF และ tF ในช่วงการเจริญเติบโตของท่อนาโน TiO2 ที่ปรับเปลี่ยน OCPon แสดงให้เห็นว่าข้อบกพร่องที่เกิดจากการแทรกของ N และ / หรือ C ในช่วงการเจริญเติบโตของภาพยนตร์เป็นหลักส่งผลกระทบต่อคุณสมบัติของฟิล์มด้านนอกมีรูพรุน, และไม่มีชั้นขนาดกะทัดรัดภายใน ลักษณะการทำงานนี้มีความสอดคล้องกับที่พบโดยนักวิจัยอื่น ๆ ที่มีการแสดงกว่าไอออนฟลูออไรย้ายเร็วกว่าออกซิเจนหรือ C และ N สายพันธุ์เนื่องจากขนาดและการเคลื่อนไหวของพวกเขาในตาข่าย TiO2 นั้น เพื่อให้ฟลูออไรไอออนส่วนใหญ่จะอยู่ในภาพยนตร์ที่มีขนาดกะทัดรัดในขณะที่สายพันธุ์ของ C และ N, ท่อนาโนยังคง TiO2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเปลี่ยนแปลงของช่องว่างแถบพลังงาน ( EG ) กับการประมวลผลของตัวแปรยังสรุปได้ในตารางที่ 2 เพิ่มขึ้นใน VF LED จะเปลี่ยนต่อเพิ่ม เช่น ค่า ในขณะที่เพิ่มขึ้นใน TF ได้ผลตรงกันข้าม ลดลงประมาณค่าพฤติกรรมเช่นนี้สอดคล้องกับที่พบในรูปแบบของตารางในอันดับ 2 ด้วย เพราะการใส่ C หรือ N ก่อให้เกิดพลังรัฐกว่า TiO2 ความจุลดลง เช่น วงดนตรี นอกจากนี้ จากการศึกษาการ TiO2 ด้วยองค์ประกอบเหล่านี้จะนำไปสู่การเปลี่ยนแปลงของแก๊สต่อไกลมากค่าจาก TiO2 นำวงดนตรีไม่เห็นด้วยกับแนวโน้มพบในรางที่ 2 อย่างไรก็ตาม เป็นมูลค่าการกล่าวขวัญว่า การวัดคุณสมบัติของสารกึ่งตัวนำโดยใช้ EIS จำกัดฟิล์มออกไซด์ขนาดกะทัดรัดเพื่อขอรับข้อมูลเกี่ยวกับวงแบนศักยภาพของนาโนฟิล์ม เปิดวงจรการวัดศักยภาพการวิจัยภายใต้แสง ( ocpon ) เห็นรูปที่ 2A .เพิ่มขึ้นใน VF และ TF ในระหว่างการเจริญเติบโตของ TiO2 นาโนปรับ ocpon , แสดงข้อบกพร่องที่เกิดจากการแทรกของ N และ / หรือ C ในช่วงการเจริญเติบโตภาพยนตร์หลักผลกระทบต่อคุณสมบัติของฟิล์มด้านนอกมีรูพรุน และไม่มีชั้นกระชับภายใน ซึ่งมีลักษณะเดียวกันกับที่พบโดยนักวิจัยอื่น ๆ ที่ได้แสดงกว่าฟลูออไรด์ไอออนย้ายเร็วกว่าออกซิเจน หรือ C และ N ชนิด เนื่องจากขนาดและการเคลื่อนไหวของพวกเขาใน TiO2 ขัดแตะ ดังนั้นฟลูออไรด์ไอออนส่วนใหญ่อยู่ในฟิล์มกระชับ ในขณะที่ชนิดของ C และ N นาโน TiO2 , ยังคง