As expected from surface AFM scans

As expected from surface AFM scans and ARS measurements, the current generated in a-Si:H top and mc-Si:H bottom cells is not significantly affected for the first 170 nm of NC-ZnO cover layer (stage 1).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตามที่คาดไว้จากการสแกนพื้นผิว AFM และวัดอาอาร์ส ปัจจุบันสร้างใน-บน Si:H และ mc-Si:H ด้านล่างเซลล์ไม่ได้รับผลกระทบสำหรับ nm first 170 ของ NC ZnO ปกชั้น (ระยะ 1) significantly

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นที่คาดหวังจากพื้นผิวสแกน AFM และการวัด ARS ในปัจจุบันสร้างขึ้นใน-Si ด้านบน H และ Mc-Si: H เซลล์ด้านล่างไม่ได้เป็นอย่างมีนัยนัยสำคัญได้รับผลกระทบสำหรับสายแรก 170 นาโนเมตรของชั้นปก NC-ZnO นี้ (ระยะที่ 1)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นที่คาดหวังจากพื้นผิวและการวัด AFM สแกนดู ปัจจุบันสร้างขึ้นในด้านบนและอะมอร์ฟัสซิลิคอน : H : H พิธีกรจังหวัดด้านล่างเซลล์ไม่ signi จึงลดลงอย่างมีนัยสําคัญเมื่อผลกระทบเพื่อจึงตัดสินใจเดินทาง 170 nm NC ZnO ชั้นครอบคลุม ( ระยะที่ 1 )