Below, the supporting data are orga

Below, the supporting data are organized along the steps of the above-presented
evolutionary scenario. One outstanding feature, however, deserves preferential
treatment since it is crucial for almost every one of these steps. This feature is the
unique ability of ZnS crystals to store radiation energy (see [144,230-233] for
reviews). This property manifests itself in phosphorescence (afterglow), so that
ZnS – widely known as “phosphor” – is used in numerous devices, from various
types of displays to ‘glow in the dark’ items. ZnS is a broad-band n-type semiconductor
with a gap band energy of 3.2–3.9 eV (depending on the particular
crystal structure). When radiation strikes such a semiconductor, it may excite an
electron and consequently leave a “hole” (see Fig. 1). If the energy of the radiation
quantum is larger than the band gap energy, the electron reaches the so-called
conduction zone and can move inside the crystal. Ultimately, the electron can
recombine with the hole. However, if the electron gets into an energy trap (see
Fig. 1), then the recombination can proceed only slowly, under the condition of
thermal activation [234]. In pure ZnS, the atoms at the surface can trap electrons
[234,235], particularly if the semiconductor interacts with a polar solvent such as
water. At the surface, a photoexcited electron loses part of its energy owing to the
interaction with the molecules of the solvent and, accordingly, is prevented from
returning into the bulk of ZnS. In addition, recombination may be prevented by
prompt replenishing the hole with an electron coming from a potent electron donor
(“hole scavenger”). The trapped electron then remains confined to the surface
until an external electron acceptor, e.g. a molecule of CO2, picks the electron up,
see [144,190,234,236] for reviews.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ด้านล่าง จัดระเบียบข้อมูลสนับสนุนตามขั้นตอนของการเหนือนำเสนอสถานการณ์เชิงวิวัฒนาการ ลักษณะที่โดดเด่นหนึ่ง อย่างไรก็ตาม สมควรต้องรักษา เพราะมันเป็นสิ่งสำคัญสำหรับเกือบทุกขั้นตอนเหล่านี้ คุณลักษณะนี้มีการความสามารถเฉพาะของผลึก ZnS เก็บพลังงานรังสี (ดู [144,230-233]ความคิดเห็น) นี่ปรากฏตัวใน phosphorescence (afterglow), ให้ZnS เป็น "phosphor" – ใช้ในอุปกรณ์มากมาย จากต่าง ๆชนิดของการแสดงรายการ 'เรืองแสงในมืด' ZnS เป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n ที่บรอดแบนด์มีช่องว่างแถบพลังงาน 3.2-3.9 eV (ขึ้นอยู่กับเฉพาะโครงสร้างผลึก) เมื่อรังสีนัดดังกล่าวเป็นสารกึ่งตัวนำ มันสามารถกระตุ้นการอิเล็กตรอน และจึง ออกจาก "หลุม" (ดู Fig. 1) ถ้าพลังงานของรังสีที่ควอนตัมมีขนาดใหญ่กว่าแถบช่องว่างพลังงาน อิเล็กตรอนเหลือเรียกว่านำโซน และสามารถย้ายภายในผลึก สุด อิเล็กตรอนสามารถrecombine กับหลุม อย่างไรก็ตาม ถ้าอิเล็กตรอนที่เป็นกับดักพลังงาน (ดูFig. 1), แล้ว recombination ที่สามารถดำเนินการได้เฉพาะช้า ภายใต้เงื่อนไขของความร้อนเปิด [234] ใน ZnS บริสุทธิ์ อะตอมที่ผิวหน้าสามารถดักอิเล็กตรอน[234,235], โดยเฉพาะอย่างยิ่งถ้าสารกึ่งตัวนำที่โต้ตอบกับตัวทำละลายมีขั้วเช่นน้ำ ที่พื้นผิว อิเล็กตรอน photoexcited สูญเสียส่วนหนึ่งของพลังงานเนื่องจากการโต้ตอบกับโมเลกุลของตัวทำละลาย และ ตามลำดับ ป้องกันจากความเป็นกลุ่มของ ZnS นอกจากนี้ อาจป้องกัน recombination โดยถามตู้หลุมกับอิเล็กตรอนมาจากการบริจาคอิเล็กตรอนที่มีศักยภาพ("รูสัตว์กินของเน่า") อิเล็กตรอนติดอยู่แล้วยังคงถูกคุมขังพื้นผิวจนกว่าจะมีอิเล็กตรอนภายนอก acceptor เช่นโมเลกุลของ CO2 รับอิเล็กตรอนที่ดู [144,190,234,236] สำหรับรีวิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ด้านล่างนี้ข้อมูลการสนับสนุนที่มีการจัดไปตามขั้นตอนที่กล่าวมานำเสนอสถานการณ์วิวัฒนาการ หนึ่งในคุณสมบัติที่โดดเด่น
แต่สมควรได้รับสิทธิพิเศษในการรักษาเพราะมันเป็นสิ่งสำคัญสำหรับเกือบทุกคนขั้นตอนเหล่านี้ คุณลักษณะนี้จะเป็นความสามารถพิเศษของผลึก ZnS การเก็บพลังงานรังสี (ดู [144,230-233] สำหรับความคิดเห็น) สถานที่แห่งนี้ปรากฏตัวในฟอสฟอรัส (สายัณห์) เพื่อให้ZnS - ที่รู้จักกันอย่างกว้างขวางว่าเป็น "สารเรืองแสง" - ใช้ในอุปกรณ์จำนวนมากจากการที่แตกต่างกันชนิดของการแสดงที่'เรืองแสงในที่มืด' ​​รายการ ZnS เป็นวงกว้างสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นด้วยพลังงานวงช่องว่างของ3.2-3.9 eV (ขึ้นอยู่กับโดยเฉพาะอย่างยิ่งโครงสร้างผลึก) เมื่อรังสีนัดเช่นเซมิคอนดักเตอร์ก็อาจตื่นเต้นอิเล็กตรอนและจึงออกจาก "หลุม" (ดูรูปที่ 1). หากพลังงานของรังสีที่ควอนตัมมีขนาดใหญ่กว่าช่องว่างพลังงานวงอิเล็กตรอนถึงสิ่งที่เรียกว่าโซนการนำและสามารถย้ายภายในผลึก ในที่สุดอิเล็กตรอนสามารถrecombine กับหลุม แต่ถ้าอิเล็กตรอนที่ได้รับในกับดักพลังงาน (ดูรูปที่1). แล้วรวมตัวกันอีกสามารถดำเนินการเพียงอย่างช้าๆภายใต้เงื่อนไขของการเปิดใช้งานความร้อน[234] ใน ZnS บริสุทธิ์อะตอมที่อิเล็กตรอนสามารถดักพื้นผิว[234235] โดยเฉพาะอย่างยิ่งถ้าเซมิคอนดักเตอร์โต้ตอบกับตัวทำละลายที่ขั้วโลกเช่นน้ำ ที่พื้นผิวอิเล็กตรอน photoexcited สูญเสียส่วนหนึ่งของพลังงานเนื่องจากการมีปฏิสัมพันธ์กับโมเลกุลของตัวทำละลายและตามถูกขัดขวางจากการกลับเข้ามาในกลุ่มของZnS นอกจากนี้การรวมตัวกันอีกอาจจะป้องกันโดยพรอมต์เติมหลุมที่มีอิเล็กตรอนมาจากอิเล็กตรอนที่มีศักยภาพของผู้บริจาค("กินของเน่าหลุม") อิเล็กตรอนติดแล้วยังคงถูกคุมขังในพื้นผิวจนรับอิเล็กตรอนภายนอกเช่นโมเลกุลของ CO2 ที่หยิบอิเล็กตรอนขึ้นเห็น[144190234236] การแสดงความคิดเห็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ข้างล่าง , ข้อมูลสนับสนุนจัดตามขั้นตอนข้างต้นเสนอ
วิวัฒนาการไปตามสถานการณ์ หนึ่งคุณลักษณะที่ดี อย่างไรก็ตาม ควรได้รับการรักษาพิเศษ
เพราะมันเป็นสิ่งสำคัญสำหรับเกือบทุกหนึ่งของขั้นตอนเหล่านี้ คุณลักษณะนี้คือความสามารถของ zns
ผลึกเพื่อเก็บพลังงานรังสี ( ดู [ 144230-233 ]
รีวิว ) คุณสมบัตินี้ manifests เองในการเรืองแสง ( สายัณห์ )เพื่อให้
zns ซึ่งเป็นที่รู้จักอย่างกว้างขวางว่าเป็น " สาร " ) คือใช้ในอุปกรณ์จำนวนมากจากประเภทต่างๆ
แสดง ' รายการ ' เรืองแสงในที่มืด . zns เป็น broad-band ทั่วไปสารกึ่งตัวนำ
ที่มีช่องว่างแถบพลังงานของ 3.2 – 3.9 EV ( ขึ้นอยู่กับโครงสร้างคริสตัลโดยเฉพาะ
) เมื่อรังสีกัดเช่นสารกึ่งตัวนำ ก็อาจกระตุ้นการ
อิเล็กตรอนและจากนั้นปล่อยให้ " หลุม " ( ดูรูปที่ 1 )ถ้าพลังงานของรังสี
ควอนตัมมีขนาดใหญ่กว่าช่องว่างแถบพลังงานของอิเล็กตรอนที่เรียกว่า
ถึงโซนที่มีและสามารถย้ายภายในคริสตัล ในที่สุด อิเล็กตรอนสามารถ
แขกกับหลุม อย่างไรก็ตาม ถ้าอิเล็กตรอนเข้าไปกับดักพลังงาน ( ดู
รูปที่ 1 ) จากนั้นการสามารถดำเนินการเพียงช้าๆ ภายใต้เงื่อนไขของ
ความร้อนกระตุ้น [ 234 ] ใน zns บริสุทธิ์อะตอมที่ผิวสามารถดักจับอิเลคตรอน 234235
[ ] , โดยเฉพาะอย่างยิ่งถ้าสารกึ่งตัวนำมีการโต้ตอบกับขั้วโลกตัวทำละลายเช่น
น้ำ ที่พื้นผิว , photoexcited อิเล็กตรอนที่สูญเสียส่วนหนึ่งของพลังงานเนื่องจาก
ปฏิสัมพันธ์กับโมเลกุลของตัวทำละลายและตาม ถูกขัดขวางจาก
กลับเข้าไปในกลุ่มของ zns . นอกจากนี้ การรวมตัวกันอาจจะป้องกันได้โดย
พร้อมเติมหลุมที่มีอิเล็กตรอนมาจากต้าอิเล็กตรอน
( " ของ " หลุม ) อิเล็กตรอนนั้น ยังคงติดอยู่ที่ผิว
จนกว่าอิเล็กตรอนภายนอกพระนาสิก เช่น โมเลกุลของ CO2 เก็บอิเล็กตรอนขึ้น
ดู [ 144190234236 ] สำหรับ รีวิว