where An and fn are, respectively,

where An and fn are, respectively, the magnitude and resonant frequency location for the fingerprint. Ai and fi are the magni-tude and resonant frequency location for all other simulated conditions [9,11].

By using STFT, a third factor can be considered, the rela-tive change in time (Dt), when a resonant frequency compo-nent occurs. This factor, Dt, can be used by technicians, while making decision about changes in the winding structure of a transformer. The Dt can be written as:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่และศุกร์ตามลำดับความสำคัญและสถานที่ที่สะท้อนความถี่กับลายนิ้วมือ ไอและสายเป็นสถานความถี่ Magni-tude และจังหวะสำหรับทุกสภาพจำลองอื่น ๆ [9,11].

โดยใช้ STFT เป็นปัจจัยที่สามสามารถได้รับการพิจารณาการเปลี่ยนแปลงที่สัมพันธ์-tive ในเวลา (dt) เมื่อจังหวะ ความถี่ส่วนประกอบ-nent เกิดขึ้น ปัจจัยนี้ dt, สามารถใช้โดยช่างเทคนิคขณะที่การตัดสินใจเกี่ยวกับการเปลี่ยนแปลงในโครงสร้างของขดลวดหม้อแปลง dt สามารถเขียนเป็น:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่มี และ fn มี ตามลำดับ ขนาดและตำแหน่งความถี่คงลายนิ้วมือ อายและไร้สายเป็น magni tude และตั้งความถี่ที่คงสภาพจำลองทั้งหมด [9,11] ได้

โดยใช้ STFT ตัวคูณที่สามสามารถพิจารณา rela-tive เปลี่ยนแปลงเวลา (Dt), เมื่อ nent-compo ที่ความถี่คงที่เกิดขึ้นได้ สามารถใช้ปัจจัยนี้ Dt ช่างเทคนิค ขณะที่การตัดสินใจเกี่ยวกับการเปลี่ยนแปลงในโครงสร้างของหม้อแปลงที่คดเคี้ยว Dt สามารถเขียนได้เป็น:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สถานที่ซึ่ง FN และได้ตามลำดับความสำคัญและที่ตั้งที่ความถี่ความถี่ของคลื่นวิทยุสำหรับลายนิ้วมือได้. ไฮน์ไฟร์และ AI magni คือที่ตั้งที่มีความความถี่และความถี่ของคลื่นวิทยุสำหรับเงื่อนไขการจำลองอื่นๆทั้งหมด[ 9,11 ].

โดยการใช้ stft ประการที่สามสามารถได้รับการพิจารณาให้เปลี่ยน rela - เป็นหมู่คณะ.ในเวลา( DT )เมื่อความถี่ของคลื่นวิทยุความถี่ compo - nent ที่เกิดขึ้น โครงเครื่องนี้ DT สามารถใช้โดยช่างเทคนิคในขณะที่ทำการตัดสินใจเกี่ยวกับการเปลี่ยนแปลงในโครงสร้างที่คดเคี้ยวของหม้อแปลงที่. DT ที่สามารถเขียนเป็น