On the Si-terminated(0001) basal pl

On the Si-terminated(0001) basal plane, vacuum annealing leads to small graphene domains typically 30–100 nm in diameter

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บนระนาบโรค Si-terminated(0001) การอบเหนียวดูดนำโดเมน graphene เล็กปกติ 30 – 100 นาโนเมตรเส้นผ่านศูนย์กลาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในศรีสิ้นสุด (0001) เครื่องบินฐานหลอมสูญญากาศจะนำไปสู่​​โดเมนกราฟีนที่มีขนาดเล็กมักจะ 30-100 นาโนเมตรในเส้นผ่าศูนย์กลาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในจังหวัดยกเลิก ( 0001 ) เครื่องบินแรกเริ่ม , สูญญากาศ Annealing นำไปสู่โดเมน graphene ขนาดเล็กโดยปกติ 30 – 100 nm ในเส้นผ่าศูนย์กลาง