Tungsten is the most effective dopa

Tungsten is the most effective dopant for reducing the phase transition temperature(tc) on per atomic percent basis. However, the tc reduction values reported until now is very dispersive from 9 to 36C/at.%w [46,47] compared the concentrated value about 21–24 C/at.%w for single crystals [48,49]. Some authors established the linear relationship between tc and x (x in WxV1_xO2) within experimental uncertainties. In our experiments, the phase transition properties were studied by DSC technology which were shown in Fig. 6(a) and(b). In Fig.6(c), a linear relationship between tc and x (from 0 to 0.025) was established, and the least square approximation gives a tc reduction efficiency of 21.96 K/at.%w. Compared with the literature, our value is in good agreement with those for tungsten doped VO2 single crystals. It is worth noticing that the tc for samples without doping was 55.5 C, which is far lower than the value for single crystal VO2 (68 C). The reason for the obvious decrease of tc might be the size effect or the oxygen vacancies caused by oxygen deficiency in VO2 crystal lattice since our samples were fabricated in reductive circumstance [1]. Oxygen deficiency would lead to the increase of electron concentration and decrease tc. Further reduction of tc was caused by the substitution of tungsten for vanadium.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทังสเตนเป็นสารเจือปนที่มีประสิทธิภาพที่สุดในการลดอุณหภูมิช่วงหัวเลี้ยวหัวต่อ (TC) บนพื้นฐานร้อยละอะตอม แต่การลดค่า TC รายงานจนถึงขณะนี้คือการกระจายมากตั้งแต่ 9 ถึง 36c/at. w% [46,47] เมื่อเทียบกับค่าความเข้มข้นประมาณ 21-24 c / w ที่%. สำหรับผลึกเดี่ยว [48,49]บางคนเขียนเป็นที่ยอมรับในความสัมพันธ์เชิงเส้นระหว่าง TC และ x (x ใน wxv1_xo2) ภายในความไม่แน่นอนในการทดลอง ในการทดลองของเราคุณสมบัติช่วงหัวเลี้ยวหัวต่อกำลังศึกษาเทคโนโลยี DSC ซึ่งแสดงในรูปที่ 6 (ก) และ (ข) ใน Fig.6 (ค) ความสัมพันธ์เชิงเส้นระหว่าง TC และ x (0-0.025) ก่อตั้งขึ้นและประมาณสองน้อยที่สุดจะช่วยให้ประสิทธิภาพการลด TC จาก 2196 / k ที่. w% เมื่อเทียบกับวรรณกรรมมีค่าของเราอยู่ในข้อตกลงที่ดีกับเหล่านั้นสำหรับทังสเตนเจือ VO2 ผลึกเดี่ยว จะมีมูลค่าการสังเกตเห็นว่า TC สำหรับตัวอย่างโดยไม่ต้องยาสลบเป็น 55.5 คซึ่งเป็นที่ต่ำกว่ามูลค่าสำหรับผลึกเดี่ยว VO2 (68 c)สาเหตุของการลดลงอย่างเห็นได้ชัดจาก TC อาจจะมีผลกระทบขนาดหรือตำแหน่งงานว่างออกซิเจนที่เกิดจากการขาดออกซิเจนในผลึกตาข่าย VO2 ตั้งแต่ตัวอย่างของเราได้รับการประดิษฐ์ในกรณีที่ลดลง [1] การขาดออกซิเจนจะนำไปสู่​​การเพิ่มขึ้นของความเข้มข้นของอิเล็กตรอนและลด TC ลดลงต่อไปจาก TC มีสาเหตุมาจากการทดแทนของทังสเตนสำหรับวาเนเดียม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทังสเตน dopant มีประสิทธิภาพสูงสุดเพื่อลด temperature(tc) เปลี่ยนระยะในเกณฑ์ร้อยละอะตอมได้ อย่างไรก็ตาม ค่าลด tc รายงานจนถึงขณะนี้ เป็น dispersive มากจาก 9 36C/at.%w [46,47] การเปรียบเทียบค่าเข้มข้นเกี่ยวกับ 21–24 C/at.%w สำหรับผลึกเดียว [48,49] ผู้เขียนบางสร้างความสัมพันธ์เชิงเส้น ระหว่าง tc และ x (x ใน WxV1_xO2) ภายในแนวทดลอง ในการทดลองของเรา คุณสมบัติเปลี่ยนระยะได้ศึกษาเทคโนโลยี DSC ที่มีปรากฏอยู่ใน Fig. 6(a) and(b) ใน Fig.6(c) ความสัมพันธ์เชิงเส้นระหว่าง tc และ x (จาก 0 ถึง 0.025) ก่อตั้ง และประมาณอย่างน้อยตารางช่วยให้ประสิทธิภาพการลด tc 2196 K/at.%w เปรียบเทียบกับวรรณคดี คุณค่าได้ในข้อตกลงที่ดีกับทังสเตน doped VO2 ผลึกเดี่ยว มันเที่ยวซักถามว่า tc ตัวอย่างโดยไม่มีโดปปิงค์คือ 55.5 C ซึ่งต่ำกว่าค่าสำหรับผลึกเดี่ยว VO2 (68 C) สาเหตุลดลงชัดเจนของ tc อาจผลขนาดหรือตำแหน่งของออกซิเจนที่เกิดจากการขาดออกซิเจนใน VO2 คริสตัลโครงตาข่ายประกอบเนื่องจากตัวอย่างของเราได้หลังสร้างสถานการณ์กล้าหาญ [1] ขาดออกซิเจนจะนำไปสู่การเพิ่มขึ้นของความเข้มข้นของอิเล็กตรอน และลด tc ลดเพิ่มเติมของ tc ที่เกิดจากการแทนที่ของทังสเตนสำหรับวาเนเดียม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทังสเตนคือ dopant มี ประสิทธิภาพ มากที่สุดสำหรับการลด อุณหภูมิ การเปลี่ยนผ่านขั้นตอนที่( Tc )บนพื้นฐานต่อพลังงานปรมาณู% อย่างไรก็ตามการที่ TC การลดค่ารายงานว่าจนถึงตอนนี้มี Energy Dispersive เป็นอย่างมากจาก 9 ถึง 36 C /ที่.% w [ 46,47 ]เมื่อเทียบกับมูลค่าที่เข้มข้นเกี่ยวกับ 21 - 24 C /ที่.% W สำหรับเดี่ยวคริสตัล 48,49 []ผู้เขียนบางคนสร้างความสัมพันธ์กับแนวยาวระหว่าง TC และ X ( X ใน wxv 1 _xo 2 ) ภายใน ทดลองความไม่แน่นอน ในการทดลองของเราคุณสมบัติการเปลี่ยนผ่านขั้นตอนที่เป็นศึกษาโดยเทคโนโลยี DSC ซึ่งได้แสดงไว้ในรูปที่ 6 (ก)และ( B ) ในรูปที่ 6 ( C )ตามแนวยาวความสัมพันธ์ระหว่าง TC และ X (จาก 0 ถึง 0.025 )ถูกก่อตั้งขึ้นและขนาดประมาณอย่างน้อยจะช่วยให้ ประสิทธิภาพ การทำงานลด ภาระ TC ของ 2196 k /ที่. W %. เมื่อเทียบกับเอกสารที่ค่าของเราอยู่ในข้อตกลงที่ดีพร้อมด้วยผู้ทังสเตน Active Crystals doped VO 2 เดียว เป็นที่น่าสังเกตว่า TC สำหรับตัวอย่างโดยไม่ doping เป็น 55.5 C ซึ่งต่ำกว่าค่าสำหรับ single คริสตัล VO 2 ( 68 C )เหตุผลที่ทำให้ลดลงเห็นได้ชัดของ TC อาจจะมีผลขนาดใหญ่หรือเข้าแทนออกซิเจนที่เกิดจากการขาดออกซิเจนที่อยู่ในลูกกรงคริสตัล VO 2 นับตั้งแต่ตัวอย่างของเราได้รับอะไรก็ตามในสถานการณ์อันหยาบกระด้าง[ 1 ] ปัญหาการขาดออกซิเจนจะนำไปสู่การเพิ่มขึ้นของความเข้มข้นอิเลคตรอนและลดลงเป็นข้อบังคับ การลดลงของ TC ก็เกิดจากการชดเชยทังสเตนสำหรับเ