In the case of blends the ρv has va

In the case of blends the ρv has values in between that of natural rubber and chitosan.
As the concentration of chitosan increases in the blend the ρv value decreases.
The increase in resistivity may be due to the enhancement in interfacial interaction between the two phases and reduction in polarity in the blends during vulcanization and MA treatment.
The decrease in resistivity upon heating isobserved.
chitosan exhibits high dielectric constant, especially at lower frequencies.
With increase in frequency at first the interfacial contribution vanishes followed by orientation polarization, which in turn reduces the dielectric constant at higher frequencies.
The orientation polarization requires more time compared to electronic and atomic polarization to reach static field value.
Therefore, at lower frequency region, the orientation polarization decreases with increase in frequency compared to electronic and atomic polarizations.
The interfacial polarization generally occurs at much lower frequencies.
The blend NR85CS15 shows the least frequency dependent and more stable.
Above 20% chitosan in the blend, the dielectric constant increased, which can be attributed to the change in overall polarity of the system with the addition of chitosan.
The cross-linked structure will avoid increase in free volume resulting in stable dielectric properties.
The dielectric constant decreases by vulcanization and it is more stable than pure blend at lower frequencies.
The vulcanized NR90CS10 blend is more stable than MA compatibilized NR90CS10 and the vulcanized blend is frequency independent at lower frequencies.
The dielectric loss increases with chitosan content.
The magnitude of dielectric loss is minimum for natural rubber and maximum for chitosan.
As the chitosan content increases, more dipoles are incorporated into the system that leads to a lag in the orientation of the dipoles upon the application of electric field.
The dielectric loss decreases by the vulcanization and compatibilization of the blend.
The AC conductivity study shows the vulcanized material sample becomes more insulative compared to pure and MA treated blends.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในกรณีที่ผสม ρv มีค่าระหว่างของยางธรรมชาติและไคโตซานเป็นความเข้มข้นของไคโตซานเพิ่มราย ค่า ρv ลดลงความต้านทานที่เพิ่มขึ้นอาจเนื่องจากในการโต้ตอบแรงระหว่างสองขั้นตอนและลดในขั้วในการผสมผสานระหว่างการรักษาและบำบัด MA ลดลงความต้านทานไฟฟ้าเมื่อเครื่องทำความร้อน isobservedไคโตซานจัดแสดงนิทรรศการคงเป็นฉนวนสูง โดยเฉพาะอย่างยิ่งที่ความถี่ต่ำ เพิ่มขึ้นในความถี่ที่หายไปส่วนจะแรงตามแนวโพลาไรซ์ ซึ่งจะลดค่าคงเป็นฉนวนที่ความถี่สูงการโพลาไรซ์แนวต้องใช้เวลามากเมื่อเทียบกับโพลาไรซ์อิเล็กทรอนิกส์ และอะตอมถึงค่าของเขตข้อมูลแบบคงดังนั้น ที่ต่ำกว่าความถี่ภูมิภาค การโพลาไรซ์แนวลดลงเพิ่มขึ้นในความถี่เมื่อเทียบกับ polarizations อิเล็กทรอนิกส์ และอะตอมโพลาไรซ์แรงมักเกิดขึ้นที่ความถี่ต่ำมากการผสมผสาน NR85CS15 แสดงความถี่อย่างน้อยขึ้น และมีเสถียรภาพมากข้างในผสมไคโตซาน 20% เพิ่มค่าคงเป็นฉนวน ซึ่งสามารถนำมาประกอบกับการเปลี่ยนแปลงในขั้วโดยรวมของระบบของไคโตซานโครงสร้างครอสลิงค์จะหลีกเลี่ยงฟรีปริมาณส่งผลให้คุณสมบัติเป็นฉนวนที่มีเสถียรภาพเพิ่มขึ้นค่าคงอิเล็กทริกลด โดยหลอม และมีเสถียรภาพมากขึ้นกว่าบริสุทธิ์ผสมที่ความถี่ต่ำการผสมผสาน NR90CS10 บอกระดับมีเสถียรภาพมากขึ้นกว่า MA compatibilized NR90CS10 และอิสระที่ความถี่ต่ำความถี่เป็นตัวบอกระดับการสูญเสียอิเล็กทริกเพิ่มขึ้นกับเนื้อหาของไคโตซานขนาดของขาดเป็นฉนวนเป็นขั้นต่ำสำหรับยางธรรมชาติ และสูงสุดสำหรับไคโตซานเป็นเนื้อหาที่ไคโตซานเพิ่ม dipoles เพิ่มเติมจะรวมอยู่ในระบบที่นำไปสู่ความล่าช้าในการวางแนวของ dipoles เมื่อแอพลิเคชันของสนามไฟฟ้าการสูญเสียอิเล็กทริกลดลง โดยการหลอมและ compatibilization ของการผสมผสานการศึกษาการนำ AC แสดงตัวอย่างวัสดุบอกระดับกลายเป็นเพิ่มเติม insulative เทียบถึงบริสุทธิ์ และ MA ถือว่าผสม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในกรณีของการผสมρvมีค่าในระหว่างที่ทำจากยางธรรมชาติและไคโตซาน.
เป็นความเข้มข้นของไคโตซานเพิ่มขึ้นในการผสมผสานค่าρvลดลงได้.
เพิ่มขึ้นในการต้านทานอาจจะเกิดจากการเพิ่มประสิทธิภาพในการปฏิสัมพันธ์ interfacial ระหว่างสองขั้นตอนและ การลดลงของกระแสไฟฟ้าในการผสมระหว่างการหลอมโลหะและการรักษา MA.
การลดลงของความต้านทานความร้อน isobserved.
การจัดแสดงนิทรรศการไคโตซานคงเป็นฉนวนสูงโดยเฉพาะอย่างยิ่งที่ความถี่ต่ำ.
ด้วยการเพิ่มความถี่ในตอนแรกผลงาน interfacial หายตามด้วยโพลาไรซ์ปฐมนิเทศซึ่งจะช่วยลด คงอิเล็กทริกที่ความถี่สูง.
โพลาไรซ์ปฐมนิเทศต้องใช้เวลามากขึ้นเมื่อเทียบกับโพลาไรซ์อิเล็กทรอนิกส์และอะตอมไปถึงค่าของฟิลด์คง.
ดังนั้นในภูมิภาคความถี่ต่ำ, โพลาไรซ์ปฐมนิเทศลดลงด้วยการเพิ่มความถี่ในการเปรียบเทียบกับ polarizations อิเล็กทรอนิกส์และอะตอม.
โพลาไรซ์ interfacial มักเกิดขึ้นที่ความถี่ที่ต่ำกว่ามาก.
NR85CS15 ผสมผสานแสดงความถี่น้อยขึ้นและมีเสถียรภาพมากขึ้น.
เหนือไคโตซาน 20% ในการผสมผสานที่ฉนวนคงเพิ่มขึ้นซึ่งสามารถนำมาประกอบกับการเปลี่ยนแปลงในกระแสไฟฟ้าโดยรวมของระบบด้วยนอกเหนือจากไคโตซานที่ .
โครงสร้าง cross-linked จะหลีกเลี่ยงการเพิ่มขึ้นของปริมาณฟรีผลในคุณสมบัติเป็นฉนวนที่มีเสถียรภาพ.
ลดลงอย่างต่อเนื่องอิเล็กทริกโดยการหลอมโลหะและมีเสถียรภาพมากขึ้นกว่าการผสมผสานบริสุทธิ์ที่ความถี่ต่ำ.
ผสมผสาน NR90CS10 วัลคาไนมีเสถียรภาพมากขึ้นกว่า MA compatibilized NR90CS10 และวัลคาไน ผสมผสานความถี่อิสระที่ความถี่ต่ำ.
เพิ่มขึ้นสูญเสียอิเล็กทริกที่มีเนื้อหาไคโตซาน.
ขนาดของการสูญเสียอิเล็กทริกเป็นขั้นต่ำสำหรับยางธรรมชาติและสูงสุดสำหรับไคโตซาน.
ในฐานะที่เป็นการเพิ่มขึ้นของเนื้อหาไคโตซาน, ไดโพลมากขึ้นจะรวมอยู่ในระบบที่จะนำไปสู่ความล่าช้าใน การวางแนวของไดโพลกับการประยุกต์ใช้ของสนามไฟฟ้าได้.
การสูญเสียอิเล็กทริกลดลงโดยการหลอมโลหะและ compatibilization ของการผสมผสาน.
การศึกษาการนำ AC แสดงตัวอย่างวัสดุวัลคาไนกลายเป็นฉนวนขึ้นเมื่อเทียบกับที่บริสุทธิ์และได้รับการรักษา MA ผสม