From the temperature dependence of

From the temperature dependence of electrical conductivity plotted as versus 103/ shown in Figure 5, the activation energies of films can be calculated from the slopes of the fitted lines by equation (1b), and the results are presented in Table 1 show that the activation energy increases from 0.09 eV to 0.18 eV with the increasing resistivity. With the activation energies, the temperature coefficient of resistivity (TCR) can be obtained and TCR is extensively exploited as one of the most important parameters characterizing the detectivity of uncooled IR sensors, defined as the slope of natural logarithm resistivity [20]:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จากอุณหภูมิพึ่งพาของไฟฟ้าพล็อตเทียบกับ 103 / แสดงในรูปที่ 5 พลังงานเปิดใช้งานของฟิล์มสามารถคำนวณลาดของบรรทัดที่ประกอบ ด้วยสมการ (1b), และผลลัพธ์จะแสดงในตาราง 1 แสดงพลังงานกระตุ้นเพิ่มจาก 0.09 eV ถึง 0.18 eV ความต้านทานเพิ่มขึ้น ด้วยพลังงานเปิดใช้งาน สามารถรับค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความต้านทานไฟฟ้า (TCR) และ TCR เป็นประโยชน์อย่างกว้างขวางเป็นหนึ่งในพารามิเตอร์ที่สำคัญที่สุดลักษณะ detectivity uncooled อินฟราเรดเซ็นเซอร์ กำหนดความชันลอการิทึมธรรมชาติต้าน [20]:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จากขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของการนำไฟฟ้าที่พล็อตเป็นเมื่อเทียบกับ 103 / แสดงในรูปที่ 5, พลังงานยืนยันการใช้งานของภาพยนตร์สามารถคำนวณได้จากลาดของสายการติดตั้งโดยสมการ (1B) และผลที่ได้แสดงไว้ในตารางที่ 1 แสดงให้เห็นว่าการเปิดใช้งาน พลังงานเพิ่มขึ้นจาก 0.09 eV 0.18 eV กับความต้านทานที่เพิ่มขึ้น ด้วยพลังการเปิดใช้งานค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความต้านทาน (TCR) สามารถรับได้และ TCR เป็นประโยชน์อย่างกว้างขวางว่าเป็นหนึ่งในตัวแปรที่สำคัญที่สุดพัฒนาการ detectivity ของเซ็นเซอร์ IR uncooled ที่กำหนดให้เป็นความลาดเอียงของความต้านทานลอการิทึมธรรมชาติ [20]:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

จากขึ้นกับอุณหภูมิ การนำไฟฟ้า เริ่มเป็นเมื่อเทียบกับ 103 / แสดงในรูปที่ 5 การกระตุ้นพลังของภาพยนตร์ที่สามารถคำนวณได้จากความชันของเส้นเข็มขัดด้วยสมการ ( 1B ) และผลลัพธ์จะแสดงใน ตารางที่ 1 แสดงให้เห็นว่าการกระตุ้นพลังงาน เพิ่มจาก 0.09   EV ไป 0.18   EV ด้วย เพิ่มความต้านทาน . ด้วยการกระตุ้นพลังงาน , สัมประสิทธิ์ของอุณหภูมิความต้านทานไฟฟ้า ( ประวัติ ) สามารถรับ และประวัติอย่างกว้างขวางใช้เป็นหนึ่งในที่สำคัญที่สุดพารามิเตอร์ลักษณะ detectivity เซ็นเซอร์อินฟราเรด uncooled , หมายถึงความลาดชันของความต้านทานธรรมชาติลอการิทึม [ 20 ] :