However, in the FRAM, the dielectri

However, in the FRAM, the dielectric material in theDRAM capacitor cell is replaced with a ferroelectric (FE) thin lm. Information can be stored in the polarization states of the lms under zero electric eld, which can be utilized as `0' and `1' digital states.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อย่างไรก็ตาม ใน FRAM วัสดุเป็นฉนวนในเซลล์ theDRAM ตัวเก็บประจุจะถูกแทน ด้วย lm แบบบาง (FE) ferroelectric สามารถเก็บข้อมูลในสถานะโพลาไรซ์ของ lms ภายใต้ศูนย์พักไฟฟ้า สามารถใช้เป็น '0' และ '1' อเมริกาดิจิตอล

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อย่างไรก็ตามในเฟรมวัสดุอิเล็กทริกในเซลล์ตัวเก็บประจุ theDRAM จะถูกแทนที่ด้วย ferroelectric (FE) LM บาง ข้อมูลจะถูกเก็บไว้ในรัฐโพลาไรซ์ของ LMS ภายใต้ศูนย์ ELD ไฟฟ้าซึ่งสามารถนำไปใช้เป็น `0 'และ` 1' รัฐดิจิตอล