An erbium-doped silica-on-silicon planar waveguide optical amplifier i การแปล - An erbium-doped silica-on-silicon planar waveguide optical amplifier i ไทย วิธีการพูด

An erbium-doped silica-on-silicon p

An erbium-doped silica-on-silicon planar waveguide optical amplifier is described. The active core is a topographic guide formed from aluminophosphosilicate glass doped with erbium and ytterbium. The buffer is formed from silica deposited by thermal oxidation and the cladding from borophosphosilicate glass obtained by plasma-enhanced chemical vapor deposition.
The use of low process temperatures allows relatively heavy doping and careful control of the core etching allows low background insertion losses to be obtained. Spontaneous emission and gain measurements are given and 5.4-dB fiber-device-fiber gain is demonstrated using a 5-cm-long chip pumped using a 980-nm laser diode at 175-mW pump power.
0/5000
จาก: -
เป็น: -
ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]
คัดลอก!
เพาเวอร์แอมป์แสง doped เออร์เบียมซิลิกาซิลิคอนบนระนาบ waveguide ได้อธิบายไว้ หลักการใช้งานมีคู่มือ topographic เกิดจากแก้ว aluminophosphosilicate doped เออร์เบียมและอิตเทอร์เบียม บัฟเฟอร์ที่จะเกิดขึ้นจากซิลิก้าที่ฝากเงิน โดยสนิมความร้อนและอาคารจากแก้ว borophosphosilicate ได้ โดยเพิ่มพลาสม่าไอสารเคมีสะสมการใช้อุณหภูมิต่ำการให้โดปปิงค์ค่อนข้างหนัก และควบคุมระวังกัดหลักช่วยให้พื้นหลังต่ำแทรกการขาดทุนที่ได้รับ วัดเล็ดรอดและกำไรอยู่จะได้รับ และแสดงกำไรอุปกรณ์ใย 5.4 dB โดยใช้ชิปที่ยาว 5 ซม.ใช้เป็นไดโอดเลเซอร์ 980-nm ที่ไฟ 175 mW ปั๊มสูบ
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]
คัดลอก!
erbium เจือซิลิกาในซิลิกอนระนาบเครื่องขยายเสียงท่อนำคลื่นแสงที่อธิบายไว้ หลักที่ใช้งานเป็นคู่มือภูมิประเทศเกิดขึ้นจากแก้ว aluminophosphosilicate เจือด้วยเออร์เบียมและอิตเทอร์เบียม บัฟเฟอร์ที่จะเกิดขึ้นจากซิลิกาฝากออกซิเดชันความร้อนและหุ้มกระจก borophosphosilicate ที่ได้รับจากสารเคมีพลาสม่าเพิ่มการสะสมไอ.
การใช้อุณหภูมิกระบวนการต่ำช่วยให้ยาสลบค่อนข้างหนักและการควบคุมอย่างระมัดระวังของการแกะสลักแกนช่วยให้การสูญเสียการแทรกพื้นหลังต่ำที่จะได้รับ . ปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่เกิดขึ้นเองและการวัดกำไรที่จะได้รับและได้รับใยอุปกรณ์ไฟเบอร์ 5.4 เดซิเบลจะแสดงให้เห็นการใช้ชิป 5 ซม. ยาวสูบโดยใช้เลเซอร์ไดโอด 980 นาโนเมตรที่ 175 mW ปั๊มพลังงาน
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 3:[สำเนา]
คัดลอก!
การ erbium-doped ซิลิกาซิลิคอนระนาบในท่อนำคลื่นแสง เครื่องขยายเสียงจะอธิบาย หลักใช้งานอยู่เป็นภูมิประเทศคู่มือที่เกิดขึ้นจาก aluminophosphosilicate แก้วเจือด้วยแพทย์แผนจีน และ อิตเทอร์เบียม . บัฟเฟอร์จะเกิดขึ้นจากซิลิกาฝากโดยความร้อนจากปฏิกิริยาออกซิเดชันและหุ้ม borophosphosilicate แก้วได้ด้วยพลาสมาเพิ่มขึ้น chemical vapor deposition .
การใช้อุณหภูมิต่ำช่วยให้หนักค่อนข้างกระบวนการการเติมและควบคุมระวังแกนช่วยให้การสูญเสียการแทรกภาพพื้นหลังน้อยที่จะได้รับ ธรรมชาติและได้รับการวัดได้ 5.4-db ไฟเบอร์อุปกรณ์ไฟเบอร์ได้แสดงให้เห็นการใช้ 5-cm-long ชิปสูบใช้ 980 nm ไดโอดเลเซอร์ที่ 175 เมกะวัตต์ ปั๊มไฟฟ้า
การแปล กรุณารอสักครู่..
 
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.

Copyright ©2024 I Love Translation. All reserved.

E-mail: