temperature. In both types of motio

temperature. In both types of motions, i.e., charge carriers
through the polymer backbone system and hopping of electron
between localised sites can be affected by the frequency and
also the aniline concentration positively.
The Cole–Cole or Nyquist plot of the complex impedance
Z=Z/+ Z//, (Real (Z) versus Im (Z)) at room temperature
for D2–D4 is shown in Fig. 9 for frequency range of 50 kHz
to 1 MHz. Theoretically, an ideal Nyquist impedance plot features
a semicircle over the high frequency region and a linear
part in the low frequency range. The plot for three
PANI(DBSA)/PVA blends shows similar trend like ideal
Nyquist impedance plot. The D2 blend with low aniline content
has the larger semicircle amongst the three, which represents
higher interfacial charge-transfer resistance and is
attributed to the poor electrical conductivity of the materials,
whereas D4 has the smallest radius of semicircle indicating
low resistance and high conductivity of the material. And the
straight line of the Nyquist plot in the lower frequency region
corresponds to the resistance resulting from ion diffusion.
The temperature dependent conductivity for sample D4 for
five different frequencies conducted is shown in Fig. 10. From
the plot it is seen that at high temperature region for all frequencies
there is no change in conductivity. However the difference
in the conductivity values can be seen in low
temperature region. From the plot it is also clear that the mode
of conductivity is different for low temperature and high temperature
for all the frequency ranges.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อุณหภูมิ ในทั้งสองชนิดดัง เช่น ค่าธรรมเนียมสายการบินระบบแกนหลักของพอลิเมอร์และการกระโดดของอิเล็กตรอนระหว่างไซต์ไหนสามารถได้รับผลกระทบจากความถี่ และนอกจากนี้ยังเข้มข้น aniline บวกโคลโคลหรือ Nyquist พล็อตของความต้านทานที่ซับซ้อนZ = Z / + Z / /, (จริง (Z) และ Im (Z)) ที่อุณหภูมิห้องD2 – D4 มีแสดงใน Fig. 9 สำหรับช่วงความถี่ 50 kHzกับ 1 MHz. ตามหลักวิชา ความต้านทาน Nyquist เหมาะพล็อตคุณลักษณะsemicircle ภาคความถี่สูงและแบบเชิงเส้นส่วนในช่วงความถี่ต่ำ พล็อตในสามPANI (DBSA) / ผสม PVA แสดงแนวโน้มที่คล้ายกันเช่นเหมาะNyquist พล็อตความต้านทาน การผสมเนื้อหาต่ำ aniline D2มี semicircle ใหญ่หมู่ 3 ซึ่งแสดงถึงค่าธรรมเนียมโอน interfacial ต้านทานที่สูงและเกิดจากการนำไฟฟ้าที่ดีของวัสดุในขณะที่ D4 มีรัศมีเล็กบอก semicircleความต้านทานต่ำและนำสูงวัสดุ และเส้นตรงของ Nyquist พล็อตในภูมิภาคความถี่ต่ำสอดคล้องกับความต้านทานที่เกิดจากไอออนแพร่นำขึ้นอยู่กับอุณหภูมิในตัวอย่าง D4แสดง 5 ความถี่ต่าง ๆ ดำเนินการใน Fig. 10 จากเห็นพล็อตที่ภูมิภาคอุณหภูมิสูงสำหรับความถี่ทั้งหมดไม่มีการเปลี่ยนในนำ อย่างไรก็ตามความแตกต่างในการนำ ค่าสามารถแก้ไขต่ำภูมิภาคที่อุณหภูมิ จากพล็อต มันจะชัดว่าโหมดของนำจะแตกต่างกันสำหรับอุณหภูมิต่ำและอุณหภูมิสูงสำหรับทั้งหมดช่วงความถี่ที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อุณหภูมิ ในทั้งสองประเภทของการเคลื่อนไหวเช่นการเรียกเก็บเงินจากผู้ให้บริการผ่านระบบกระดูกสันหลังลิเมอร์และกระโดดของอิเล็กตรอนระหว่างเว็บไซต์ภาษาท้องถิ่นที่ได้รับผลกระทบจากความถี่และยังเข้มข้นสวรรค์บวก. โคลโคลหรือ Nyquist พล็อตของความต้านทานที่ซับซ้อนZ = Z / + Z // (จริง (Z) กับ Im (z)) ที่อุณหภูมิห้องสำหรับD2-D4 แสดงในรูป 9 สำหรับช่วงความถี่ 50 เฮิร์ทซ์ของ1 MHz ในทางทฤษฎีพล็อตที่เหมาะต้านทาน Nyquist มีครึ่งวงกลมเหนือภูมิภาคความถี่สูงและเชิงเส้นมีส่วนร่วมในช่วงความถี่ต่ำ พล็อตสำหรับสามPANI (DBSA) / PVA ผสมผสานแสดงให้เห็นถึงแนวโน้มที่คล้ายกันเช่นที่เหมาะสำหรับพล็อตต้านทานNyquist การผสมผสาน D2 ที่มีเนื้อหาสวรรค์ต่ำมีครึ่งวงกลมขนาดใหญ่หมู่ที่สามซึ่งหมายถึงความต้านทานค่าใช้จ่ายการโอนinterfacial ที่สูงขึ้นและประกอบกับการนำไฟฟ้าที่ดีของวัสดุที่ขณะD4 มีรัศมีที่เล็กที่สุดของครึ่งวงกลมแสดงให้เห็นความต้านทานต่ำและการนำความสูงของวัสดุ. และเส้นตรงของพล็อต Nyquist ในภูมิภาคความถี่ต่ำสอดคล้องกับความต้านทานที่เกิดจากการแพร่กระจายของไอออน. อุณหภูมิขึ้นอยู่กับการนำตัวอย่าง D4 สำหรับห้าความถี่ที่แตกต่างดำเนินการแสดงในรูป 10. จากพล็อตจะเห็นว่าภูมิภาคที่มีอุณหภูมิสูงสำหรับความถี่ทั้งหมดมีการเปลี่ยนแปลงในการนำไม่มี แต่ความแตกต่างในค่าการนำไฟฟ้าที่สามารถมองเห็นต่ำในภูมิภาคอุณหภูมิ จากพล็อตก็ยังเป็นที่ชัดเจนว่าโหมดของการนำความแตกต่างกันสำหรับอุณหภูมิต่ำและอุณหภูมิสูงสำหรับทุกช่วงความถี่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุณหภูมิ ทั้งสองประเภทของญัตติ เช่น ประจุพาหะ
ผ่านระบบหลักและพอลิเมอร์กระโดดของอิเล็กตรอน
ระหว่างการแปลเว็บไซต์สามารถรับผลกระทบจากความถี่และความเข้มข้นยังอะนิ

( บวก โคล โคล หรือ ไนควิสต์พล็อตที่ซับซ้อนสมรรถภาพ
Z = Z / Z / / ( จริง ( Z ) เมื่อเทียบกับ IM ( Z ) ) ที่อุณหภูมิห้อง สำหรับ D2 D4
( แสดงในรูปที่ 9 ช่วงความถี่ 50 kHz
1 MHz ทฤษฎีของไนควิสต์เหมาะแปลงอิมพีแดนซ์ลักษณะ
ครึ่งวงกลมเหนือความถี่สูงในภูมิภาค และส่วนหนึ่งเส้นตรง
ในช่วงความถี่ต่ำ แปลงที่ 3
พานี ( dbsa ) / PVA ผสมกัน เช่น แสดงแนวโน้มเหมาะ
Nyquist ซึ่งแปลง ผสมผสานกับ D2
เนื้อหาต่ำมีขนาดใหญ่ทางครึ่งวงกลมหมู่ 3 ซึ่งหมายถึง
ค่าธรรมเนียมการโอนที่สูงขึ้น ( ความต้านทานและ
เกิดจากการนำไฟฟ้าที่ดีของวัสดุ ,
( D4 มีรัศมีน้อยที่สุดของครึ่งวงกลมแสดงความต้านทานต่ำและสูง
การนำของวัสดุ และ
เส้นตรงของไนควิสต์แปลงในขอบเขตล่างความถี่
สอดคล้องกับความต้านทานที่เกิดจากไอออน
แพร่อุณหภูมิขึ้นอยู่กับการนำตัวอย่าง D4
5 ความถี่แตกต่างกันสำหรับจัดแสดงไว้ในรูปที่ 10 จาก
พล็อตจะเห็นได้ว่าในเขตอุณหภูมิสูงสำหรับทุกความถี่
ไม่มีความเปลี่ยนแปลงในการนำ อย่างไรก็ตาม ความแตกต่าง
ในการนำค่าสามารถมองเห็นได้ในเขตอุณหภูมิต่ำ

จากพล็อตมันยังเป็นที่ชัดเจนว่าโหมด
ของการนำที่แตกต่างกัน อุณหภูมิต่ำและอุณหภูมิสูงสำหรับ
ความถี่ช่วง