The presented eGaN HEMTs models are

The presented eGaN HEMTs models are
more or less derived fromsilicon MOSFETs models,whereas eGaN
HEMTs are different from three aspects: higher switching speed,
muchmore reduced parasitic inductance in switching loop, and absence
of reverse recovery.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รุ่น HEMTs eGaN นำเสนอfromsilicon น้อยรับ MOSFETs โมเดล ขณะ eGaNHEMTs จะแตกต่างจากสามด้าน: สูงสลับเร็วmuchmore inductance เสียงฟู่เหมือนกาฝากในสลับวน และการขาดงานที่ลดลงของการฟื้นตัวกลับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่นำเสนอรูปแบบ HEMTs Egan
มีมากหรือน้อยได้มาfromsilicon รุ่น MOSFETs ขณะ Egan
HEMTs จะแตกต่างจากสามด้าน: ความเร็วในการเปลี่ยนที่สูงขึ้น
muchmore
ลดเหนี่ยวนำปรสิตในการเปลี่ยนวงและการขาดของการกู้คืนกลับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เสนอ แกน hemts รุ่น
มากขึ้นหรือน้อยลงได้ fromsilicon สอดโมเดล ส่วนอีแกน
hemts แตกต่างจากทั้ง 3 ด้านสูงกว่าการรักษาปรสิตตัวเหนี่ยวนำลดความเร็ว
เปลี่ยนห่วงและขาด
ของการกู้คืนกลับ