Geometric leaks are memory leaks ca

Geometric leaks are memory leaks caused by current
flow from bit-lines to the ground via activated ROM cells.
Since input data corresponds to address in the ROM, secret
keys can easily be discovered during memory leaks by the
attacker.
To reduce geometric leaks, new ROM structures are
needed. For example, a ROM consists of NMOS transistor
pairs allows the charge flows from the bit-lines to the
ground. Nakai proposed a ROM circuit with the bit-line
fixed to ground and a sense amplifier circuit for the output;
thus, geometric leaks can be hidden

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รั่วทางเรขาคณิตเป็นหน่วยความจำรั่วเกิดจากปัจจุบันไหลจากบิตบรรทัดล่างผ่านการเรียกใช้ ROM เซลล์เนื่องจากข้อมูลการป้อนเข้าตรงกับที่อยู่ในรอม ลับคีย์สามารถค้นพบได้อย่างง่ายดายระหว่าง leaks หน่วยความจำโดยการผู้โจมตีเพื่อลดการรั่วไหลของรูปทรงเรขาคณิต โครงสร้างรอมใหม่มีจำเป็นต้อง ตัวอย่างเช่น รอมประกอบด้วยทรานซิสเตอร์ NMOSกระแสชาร์จจากบรรทัดบิตเพื่อให้คู่ความพื้นดิน นำเสนอวงจรรอมกับบิตบรรทัด Nakaiยึดพื้นและวงจรเครื่องขยายเสียงความรู้สึกสำหรับการแสดงผลดังนั้น สามารถซ่อนรอยรั่วทางเรขาคณิต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เรขาคณิตรั่วเป็นหน่วยความจำรั่วเกิดจากกระแสไหลจากบิตสายพื้นดินใช้รอมผ่านเซลล์เนื่องจากข้อมูลที่สอดคล้องกับที่อยู่ใน ROM , ความลับคีย์สามารถถูกค้นพบในระหว่างการรั่วไหลของหน่วยความจำโดยผู้ที่ทำร้ายลดการรั่วไหลของเรขาคณิต , โครงสร้าง ROM ใหม่ต้องการ ตัวอย่างเช่น รอมประกอบด้วย nmos ทรานซิสเตอร์คู่ช่วยให้ประจุไหลจากเส้นไปนิดหน่อยพื้นดิน นากาเสนอรอมวงจรสายนิดหน่อยการแก้ไขดินและวงจรเครื่องขยายเสียงความรู้สึกเพื่อแสดงผลดังนั้น ทางเรขาคณิต การรั่วไหลสามารถซ่อนอยู่