7nA/cm in our experiment. swanson e

7nA/cm in our experiment. swanson et al. reported the leakage current probed to be 0.6 nA/cm at 1000 v in n-type back contact silicon photovoltaic module.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

7nA/cm ในการทดลองของเรา swanson et al.รายงานการรั่วไหลของกระแสพิสูจน์จะ 0.6 นาซ.ม.ที่ 1000 v ใน n-type ซิลิคอนติดต่อกลับอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

7NA / ซม. ในการทดลองของเรา สเวนสัน, et al รายงานในปัจจุบันการตรวจสอบการรั่วไหลจะเป็น 0.6 Na / ซม. ที่ 1000 V n-พิมพ์กลับติดต่อซิลิคอนแผงเซลล์แสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

7na / ซม. ในการทดลองของเรา Swanson et al . รายงานการรั่วไหลในปัจจุบันเมื่อเป็น 0.6 na / cm ที่ 1000 V ในทั่วไปติดต่อแผงเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอน