Compared with n-GaAs systems, it is

Compared with n-GaAs systems, it is hard to find suitable metal contact for p-Ge substrate to form tunneling effect. Therefore, Pt metal were chosen as contact metal due to the high work function of 5.65 eV which can reduce the height of the energy barrier between the Cu/Pt/Ti metal and the Ge substrate

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อเทียบกับระบบ n GaAs ได้หาติดต่อโลหะเหมาะสำหรับพื้นผิว p Ge แบบฟอร์มผลการทันเนล ดังนั้น มีเลือกโลหะ Pt เป็นโลหะติดต่อเนื่องจากการทำงานงานสูงของ eV 5.65 ซึ่งสามารถลดความสูงของกำแพงกั้นพลังงานระหว่างโลหะ Cu/Pt/ตี้ และพื้นผิวของ Ge

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อเทียบกับระบบ n-GaAs มันเป็นเรื่องยากที่จะหารายชื่อผู้ติดต่อโลหะเหมาะสำหรับพื้นผิวพีจีอีในรูปแบบผลการขุดเจาะอุโมงค์ ดังนั้นโลหะ Pt ถูกเลือกให้เป็นโลหะการติดต่อเกิดจากการทำงานของฟังก์ชั่นสูงของ 5.65 eV ซึ่งสามารถลดความสูงของอุปสรรคพลังงานระหว่าง Cu / Pt / โลหะ Ti และพื้นผิวจีอี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อเทียบกับระบบ n-gaas มันยากที่จะหาติดต่อโลหะเหมาะสำหรับ p-ge พื้นผิวในรูปแบบผลการก่อสร้างอุโมงค์ จึงถูกเลือกเป็นผู้ติดต่อ PT โลหะโลหะเนื่องจากการสูงทำงานหน้าที่ของ 5.65 EV ซึ่งสามารถลดความสูงของพลังงานที่กั้นระหว่าง Cu / PT / Ti โลหะและวัสดุจำกัด