Electron build-up patterns were rec

Electron build-up patterns were recorded with the mask centered on the double-slit. The
electron source’s intensity was reduced so that the electron detection rate in the pattern was
about 1 Hz. At this rate and kinetic energy, the average distance between consecutive electrons
was 2.3×106 m. This ensures that only one electron is present in the 1m long system at any
one time, thus eliminating electron–electron interactions. The electrostatic quadrupole lens was
set to zoom in on the central five diffraction orders. In figure 3 the build-up of the diffraction
pattern is shown. In figures 3(a)–(c), the electron hits appear to be completely random and only
after many electrons are accumulated can a pattern be discerned, figure 3(d). In figure 3(e) the
New Journal of Physics 15 (2013) 033018 (http://www.njp.org/)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีบันทึกรูปแบบอิเล็กตรอนเกิดกับมาสก์เน้นคู่ร่อง การความเข้มของแหล่งอิเล็กตรอนลดลงเพื่อให้ได้อัตราการตรวจจับอิเล็กตรอนในรูปแบบ1 Hz ที่นี้ราคาและพลังงานจลน์ ระยะเฉลี่ยระหว่างอิเล็กตรอนที่ติดต่อกันถูก 2.3 × 106 m อิเล็กตรอนเพียงตัวเดียวที่มีอยู่ในระบบยาว 1 เมตรที่แน่ใจหนึ่งครั้ง ดังนั้นจึง ตัดโต้อิเล็กตรอน – อิเล็กตรอน คือเลนส์ไฟฟ้าสถิต quadrupoleตั้งค่าการขยายสั่งกระจายห้าเซ็นทรัล ในรูปที่ 3 สะสมของการเลี้ยวเบนของแสงรูปแบบจะปรากฏขึ้น ในตัวเลข 3(a)–(c) ยิงอิเล็กตรอนปรากฏ เป็นเท่านั้น และสุ่มอย่างสมบูรณ์หลังจากอิเล็กตรอนจำนวนมากแล้วสะสม สามารถรูปแบบที่สามารถเข้าใจ รูป 3(d) ในรูป 3(e)ใหม่สมุดของฟิสิกส์ 15 (2013) 033018 (http://www.njp.org/)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อิเลคตรอนรูปแบบสร้างขึ้นถูกบันทึกไว้ด้วยหน้ากากมีศูนย์กลางอยู่ที่สองครั้งที่ร่อง
เข้มแหล่งที่มาของอิเล็กตรอนลดลงเพื่อให้อัตราการตรวจจับอิเล็กตรอนในรูปแบบที่เป็น
ประมาณ 1 เฮิร์ตซ์ ในอัตราที่นี้และพลังงานจลน์ระยะทางเฉลี่ยระหว่างอิเล็กตรอนติดต่อกัน
เป็น 2.3 × 106 เมตร นี้ช่วยให้มั่นใจว่ามีเพียงหนึ่งอิเล็กตรอนที่มีอยู่ในระบบนาน 1m ที่ใด
เวลาหนึ่งจึงช่วยลดการมีปฏิสัมพันธ์อิเล็กตรอนอิเล็กตรอน เลนส์ quadrupole ไฟฟ้าสถิตได้รับการ
ตั้งค่าให้ซูมในภาคกลางห้าคำสั่งซื้อเลนส์ ในรูปที่ 3 การสร้างขึ้นของเลนส์
รูปแบบที่จะแสดง ในรูปที่ 3 (ก) - (ค) ฮิตอิเล็กตรอนดูเหมือนจะสมบูรณ์แบบสุ่มและมีเพียง
หลังจากอิเล็กตรอนจำนวนมากมีการสะสมรูปแบบสามารถจะมองเห็นตัวเลข 3 (D) ในรูปที่ 3 (จ)
วารสารใหม่ฟิสิกส์ 15 (2013) 033018 (http://www.njp.org/)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อิเล็กตรอนสร้างลวดลายที่ถูกบันทึกไว้กับหน้ากากที่กึ่งกลางร่องคู่ ที่อิเล็กตรอนแหล่งที่มาของความเข้มลดลงเพื่อให้อิเล็กตรอนตรวจจับอัตราในรูปแบบคือเกี่ยวกับ 1 เฮิรตซ์ ในอัตรานี้ และพลังงานจลน์ ระยะห่างเฉลี่ยระหว่างอิเล็กตรอนที่ติดต่อกันเป็น 2.3 × 106 เมตร นี้ช่วยให้มั่นใจว่าเพียงหนึ่งอิเล็กตรอนอยู่ในยาว 1 เมตร ระบบใด ๆเวลาหนึ่งจึงจัดอิเล็กตรอนอิเล็กตรอนและการโต้ตอบ เลนส์เป็นคำไฟฟ้าสถิตตั้งค่าการซูมในภาคกลาง 5 โดยคำสั่ง ในรูปที่ 3 การสร้างขึ้นของการเลี้ยวเบนเป็นแบบที่แสดง ตัวเลข 3 ( A ) และ ( c ) , อิเล็กตรอนฮิตที่ปรากฏจะสมบูรณ์แบบเพียงหลังจากหลายชั่วโมงสะสม สามารถรูปแบบจะปรากฏ รูป 3 ( D ) ในรูปที่ 3 ( E )วารสารใหม่ของฟิสิกส์ 15 ( 2013 ) 033018 ( http://www.njp.org/ )