Following this rationale, in this p

Following this rationale, in this paper we introduce for the
first time to our knowledge the concept of WDM into optical
RAM architectures in view of presenting a complete 4-cell all
optical memory row with WDM capabilities, as a combination
of a multi-wavelength Access Gate (AG) and 4 RAM cells [14],
[19]. The proposed WDM RAM architecture allows processing
of a WDM-formatted 4-bit word with the use of one AG per
RAM row, thus increasing the RAM bank scalability while significantly
relaxing the requirements in terms of active components
and power consumption. The scheme is shown to support
a 10 Gbit/s line-rate operation for the incoming 4-bit data word
streams, with a power consumption of 15 mW/Gbit/s for the
WDM-AG and 120 mW/Gbit/s for the AOFFs leading to a total
power consumption of 495 mW/Gbit/s per RAM row. A similar
electronic 4-bit RAM row comprising state-of-the-art s-RAM
cells exhibits 440 mW/Gb/s and 232 mW/Gb/s (during the Read
and Write operation, respectively [25].
The rest of the paper is organized as follows: Section II describes
the concept of the proposed 4 4 WDM optical RAM
bank and Section III presents the first fundamental building
block, the multi-wavelength Access Gate that enables the efficient
control of 4 RAM cells. Section IV presents the second
fundamental building block, the dual-wavelength bit input
RAM cell architecture that can be combined with the WDM
AG in order to process WDM-formatted words into an optical
RAM row architecture. Section V discusses the perspective of
including wavelength dimension in optical RAM architectures
and addresses the issues of re-configurability in optical cache
mapping schemes.
mapping schemes.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ต่อเหตุผลนี้ ในเอกสารนี้ เราแนะนำสำหรับการความรู้แนวคิดของ WDM เป็นแสงของเราครั้งแรกสถาปัตยกรรมหน่วยความจำในมุมมองนำเสนอทั้งหมดเป็น 4 เซลล์สมบูรณ์แถวหน่วยความจำแสงกับความสามารถของ WDM รวมมีประตูเข้าถึงหลายความยาวคลื่น (AG) และ RAM 4 เซลล์ [14],[19] นำเสนอสถาปัตยกรรม WDM RAM ช่วยให้การประมวลผลคำ 4 บิตรูปแบบ WDM ใช้ของ AG หนึ่งต่อแถวราม เพิ่มภาระ ธนาคาร RAM ขณะอย่างมีนัยสำคัญผ่อนคลายความต้องการในแง่ของส่วนประกอบที่ใช้งานอยู่และการใช้พลังงาน แบบแสดงการสนับสนุนการดำเนินการอัตรา Gbit/s 10 สำหรับขาเข้า word ข้อมูล 4 บิตกระแส ความสิ้นเปลืองพลังงาน 15 mW/Gbit/s สำหรับการWDM AG และ 120 mW/Gbit/s AOFFs นำไปทั้งหมดการใช้พลังงาน 495 mW/Gbit/s ต่อแถวราม คล้ายกันแถวราม 4 บิตอิเล็กทรอนิกส์ที่ประกอบด้วยศิลปะของ s-รามเซลล์แสดง 440 เมกะ วัตต์/Gb/s และ 232 mW/Gb/s (ในระหว่างการอ่านและเขียนการดำเนินการ ตามลำดับ [25]ส่วนเหลือของกระดาษจัดเป็นดังนี้: อธิบายส่วน IIแนวคิดของ 4 4 เสนอ RAM แสง WDMธนาคารและส่วน III แสดงอาคารพื้นฐานบล็อก เข้าหลายความยาวคลื่นที่ทำให้การมีประสิทธิภาพควบคุมของ RAM 4 เซลล์ ส่วน IV นำเสนอที่สองกลุ่มอาคารพื้นฐาน สองความยาวคลื่นบิตป้อนข้อมูลสถาปัตยกรรมเซลล์ RAM ที่สามารถใช้ร่วมกับ WDM การAG เพื่อประมวลผลคำการจัดรูปแบบ WDM เป็นการออปติคอลสถาปัตยกรรม RAM แถว ส่วน V กล่าวถึงมุมมองของรวมมิติความยาวคลื่นแสง RAM สถาปัตยกรรมและที่อยู่ที่ปัญหาของ re-configurability ในออปติคอลแคแบบแผนการแมปแบบแผนการแมป

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ต่อไปนี้เหตุผลนี้ในบทความนี้เราจะแนะนำสำหรับ
ครั้งแรกที่เรารู้แนวคิดของ WDM ลงแสง
สถาปัตยกรรมแรมในมุมมองของการนำเสนอที่สมบูรณ์ 4 เซลล์ทั้งหมด
แถวหน่วยความจำออปติคอลที่มีความสามารถ WDM เช่นการรวมกัน
ของการเข้าถึงหลายความยาวคลื่น ประตู (AG) และ 4 เซลล์ RAM [14],
[19] สถาปัตยกรรม WDM RAM เสนอช่วยให้การประมวลผล
ของคำ 4 บิต WDM รูปแบบที่มีการใช้อย่างใดอย่างหนึ่งเอจีต่อ
แถว RAM ซึ่งจะเป็นการเพิ่มขยายขีดความสามารถของธนาคารในขณะที่แรมอย่างมีนัยสำคัญ
ผ่อนคลายข้อกำหนดในแง่ของส่วนประกอบที่ใช้งาน
และการใช้พลังงาน โครงการที่แสดงให้เห็นถึงการสนับสนุน
การดำเนินงาน 10 Gbit / s เส้นอัตราสำหรับขาเข้า 4 บิตข้อมูลคำ
ลำธารที่มีการใช้พลังงาน 15 mW / Gbit / s สำหรับ
WDM-AG และ 120 mW / Gbit / s สำหรับ AOFFs นำไปสู่การรวม
การใช้พลังงาน 495 mW / Gbit / s ต่อแถวแรม ที่คล้ายกัน
อิเล็กทรอนิกส์ 4 บิตแถว RAM ประกอบไปด้วยรัฐของศิลปะ S-RAM
เซลล์จัดแสดงนิทรรศการ 440 mW / Gb / s และ 232 mW / Gb / s (ในระหว่างการอ่าน
และเขียนการดำเนินการตามลำดับ [25].
ส่วนที่เหลือของ กระดาษที่มีการจัดระเบียบดังต่อไปนี้มาตรา II อธิบาย
แนวคิดของการเสนอ 4 4 WDM RAM แสง
ธนาคารและมาตรา III นำเสนอครั้งแรกที่อาคารพื้นฐาน
บล็อกหลายความยาวคลื่นเข้าถึงประตูที่ช่วยให้มีประสิทธิภาพ
การควบคุมของเซลล์ 4 แรมมาตรา IV ของขวัญ. ที่สอง
กลุ่มอาคารพื้นฐาน Dual-ความยาวคลื่นป้อนข้อมูลบิต
สถาปัตยกรรมเซลล์แรมที่สามารถรวมกับ WDM
AG ในการประมวลผลคำ WDM จัดรูปแบบเป็นแสง
แถว RAM สถาปัตยกรรม. มาตรา V กล่าวถึงมุมมองของ
รวมทั้งมิติความยาวคลื่นในแรมออปติคอล สถาปัตยกรรม
และอยู่ในประเด็นของการ re-configurability ในออปติคอลแคช
แผนการทำแผนที่.
รูปแบบการทำแผนที่