Thin film of CTSwas grown by sulfid

Thin film of CTS
was grown by sulfidation of Sn–Cu metallic precursors in a
S2 atmosphere at 520 C to form orthorhombic CTS thin film
with 1.60 eV band gap, reported by Fernandes et al.9) CTS
thin film was prepared by a spray pyrolysis technique and
followed by annealing at 550 C in an atmosphere containing
sulfur to form polycrystalline orthorhombic CTS thin film
which was determined its direct energy gap of 1.8 eV by
Chalapathi et al.10)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มบางของ CTSถูกพัฒนา โดย sulfidation Sn-Cu precursors โลหะในการฟิล์มบางบรรยากาศ S2 ที่ 520 C แบบ orthorhombic CTSมีช่องว่างของวง 1.60 eV รายงาน โดย Fernandes et al.9) CTSฟิล์มบางที่เตรียม โดยเทคนิคสเปรย์ไพโรไลซิ และตาม ด้วยการอบเหนียวที่ 550 C ในบรรยากาศประกอบด้วยกำมะถันกับแบบฟอร์มค orthorhombic CTS ฟิล์มบางซึ่งได้กำหนดช่องว่างของพลังงานทางตรงของ 1.8 eV โดยChalapathi et al.10)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบางของ CTS
ได้รับการเติบโตขึ้นโดย sulfidation ของ SN-Cu สารตั้งต้นโลหะใน
บรรยากาศ S2 ที่ 520? C ถึงรูปแบบ orthorhombic CTS ฟิล์มบาง
ที่มีช่องว่างแถบ 1.60 eV รายงานโดยเฟอร์นันเดและ al.9) CTS
ฟิล์มบางได้รับการจัดทำขึ้นโดยสเปรย์ เทคนิคไพโรไลซิและ
ตามด้วยการอบที่อุณหภูมิ 550 องศาเซลเซียสในบรรยากาศที่มี
กำมะถันในรูปแบบผลึกคริสตัลไลน์ CTS ฟิล์มบาง
ซึ่งกำหนดช่องว่างพลังงานโดยตรง 1.8 eV โดย
Chalapathi และ al.10)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มบางของ CTS
ถูกปลูกโดย sulfidation ดีบุกและทองแดงโลหะตั้งต้น ในบรรยากาศที่ 520 
S2 C ในรูปแบบออร์โทรอมบิก CTS ฟิล์ม
กับ 1.60 EV ช่องว่างแถบ รายงานโดย Fernandes et al . 9 ) CTS
ฟิล์มที่เตรียมโดยเทคนิคสเปรย์ไพโรไลซีสและอบอ่อนที่อุณหภูมิ 550 
ตามมาด้วย องศาเซลเซียส ในบรรยากาศที่มีกำมะถันในรูปแบบผลึกออร์โทรอมบิก CTS

ฟิล์มบาง ๆซึ่งถูกกำหนดโดยช่องว่างพลังงานของ 1.8 eV ด้วย
chalapathi et al . 10 )