Prior to the growth of ZnO nanowire

Prior to the growth of ZnO nanowires, we first deposited a
50-nm thick Ga-doped ZnO thin film onto glass substrates by rf
magnetron sputtering. X-ray diffraction measurement showed
that the sputtered ZnO:Ga film was oriented along the (0 0 2)
direction. Using four-point resistivity measurement, we found
that the sheet resistance of the sputtered ZnO:Ga film was around
200 /sq. We then used standard photolithography to partially
etch away the ZnO:Ga film and define the comb-like pattern.
During wet etching, the template was dipped in 2% HCl for
3 min to remove the exposed ZnO:Ga. As shown in Fig. 1,
we designed our etching mask so that fingers of the comb-like

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ก่อนที่จะมีการเจริญเติบโตของเส้นลวดนาโนซิงค์ออกไซด์อันดับแรกเราฝาก
50 นาโนเมตรหนา Ga เจือ ZnO ฟิล์มบาง ๆ ลงบนพื้นผิวแก้วโดย RF
แมกสปัตเตอร์ X-ray วัดเลนส์แสดงให้เห็น
ว่า ZnO sputtered: ฟิล์ม Ga ได้รับการมุ่งเน้นไปตาม (0 0 2)
ทิศทาง โดยใช้การวัดความต้านทานสี่จุดที่เราพบ
ว่าแผ่นความต้านทานของ ZnO sputtered: ฟิล์ม Ga อยู่ที่ประมาณ
200 บาท / ตาราง จากนั้นเราจะใช้ photolithography มาตรฐานบางส่วน
จำหลักไป ZnO: ฟิล์ม Ga และกำหนดรูปแบบหวีเหมือน
ในระหว่างการแกะสลักเปียกแม่แบบถูกจุ่มลงใน 2% HCl สำหรับ
3 นาทีเพื่อขจัด ZnO สัมผัส: Ga ดังแสดงในรูป 1
เราได้ออกแบบหน้ากากแกะสลักของเราเพื่อให้นิ้วมือของหวีเหมือน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ก่อนที่จะมีการเติบโตของซิงค์ออกไซด์นาโนที่เราฝากครั้งแรก50 nm กายหนาด้วยเช่นกันฟิล์มบาง ๆบนพื้นผิวแก้ว RFแมกนีตรอนสปัตเตอริง . การวัดการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ พบที่เคลือบอนุภาคซิงค์ออกไซด์ฟิล์ม GA ที่มุ่งเน้นตาม ( 0 0 ( 2 )ทิศทาง การวัดค่าความต้านทาน 4 จุด ที่เราพบที่แผ่นความต้านทานของฟิล์ม ZnO sputtered GA รอบ200 / ตารางเมตร เราใช้มาตรฐาน 43 บางส่วนกัดไปซิงค์ออกไซด์ฟิล์มกาหวีชอบและกำหนดรูปแบบในระหว่างการเปียก , แม่แบบถูกจุ่มลงใน 2% HCl สำหรับ3 นาทีลบสัมผัสไฟฟ้า : กา ดังแสดงในรูปที่ 1เราได้ออกแบบหน้ากากแกะสลักของเราเพื่อให้นิ้วของหวีเหมือน