Since the supply voltage, Vnn, has

Since the supply voltage, Vnn, has not been scaling as
fast as channel length, L, the power density has in fact been
growing[15]. There are two types of power density dissipate
by per unit area of integrated circuit (IC) chips namely
dynamic power density and static power density [18]. Dynamic
power density is dissipated when transistor is switched on.
While static power density dissipation originates from the
leakage source-drain current when transistor is switched off.
Figure 4 depicts both dynamic power density and static
power density based on measured in dustrial data as mentioned
in [15], at junction temperature of Tj =25°e. The former

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เนื่องจากไม่มีการปรับแรงดันไฟฟ้า Vnn เป็น
เร็วที่ช่องความยาว L ความหนาแน่นของพลังงานในความเป็นจริงแล้ว
[15] การเจริญเติบโต มีความหนาแน่นของพลังงานสองชนิดกระจายไป
โดยต่อหน่วยพื้นที่รวมวงจร (IC) ชิได้แก่
ไดนามิกพลังงานความหนาแน่นและความหนาแน่นคงที่พลังงาน [18] ไดนามิก
พลังงานความหนาแน่นเป็น dissipated เมื่อทรานซิสเตอร์มีสลับบน
ในขณะที่กระจายความหนาแน่นของพลังงานคงเกิดจาก
รั่วท่อระบายน้ำแหล่งปัจจุบันเมื่อทรานซิสเตอร์สลับ off.
รูปที่ 4 แสดงให้เห็นความหนาแน่นของพลังงานแบบไดนามิกและแบบคง
ความหนาแน่นของพลังงานตามวัดใน dustrial ข้อมูลดังกล่าว
ใน [15], อุณหภูมิชุมทางของ Tj = 25 ° e อดีต

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เนื่องจากแรงดัน, VNN ไม่ได้รับการปรับเป็น
อย่างรวดเร็วเป็นระยะเวลาช่อง, L, ความหนาแน่นของพลังงานที่ได้รับในความเป็นจริง
ที่เพิ่มขึ้น [15] มีสองประเภทของความหนาแน่นพลังงานจะกระจาย
โดยต่อหน่วยพื้นที่ของวงจรรวม (IC) ชิปคือ
ความหนาแน่นพลังงานแบบไดนามิกและความหนาแน่นพลังงานคงที่ [18] แบบไดนามิก
ความหนาแน่นพลังงานเหือดหายเมื่อทรานซิสเตอร์เปิดอยู่
ในขณะที่การกระจายความหนาแน่นพลังงานคงมาจาก
การรั่วไหลของแหล่งท่อระบายน้ำในปัจจุบันเมื่อทรานซิสเตอร์จะปิด
รูปที่ 4 แสดงให้เห็นทั้งความหนาแน่นพลังงานแบบไดนามิกและแบบคงที่
ความหนาแน่นของพลังงานตามวัดในข้อมูล dustrial ตามที่กล่าวไว้
ใน [15] ที่อุณหภูมิทางแยกของ Tj = 25 °อี อดีต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เนื่องจากอุปทานแรงดัน vnn , ไม่ได้รับการปรับเป็น
เร็วความยาวช่อง L , ความหนาแน่นพลังงานได้ในความเป็นจริงถูก
เติบโต [ 15 ] มีสองประเภทของความหนาแน่นพลังงานกระจาย
โดยต่อหน่วยพื้นที่ของวงจรรวม ( IC ) ชิปคือ
ความหนาแน่นพลังงานแบบไดนามิกและความหนาแน่นพลังงานคงที่ [ 18 ] ความหนาแน่นพลังงานแบบไดนามิกจะลดลงเมื่อทรานซิสเตอร์

จะเปลี่ยนในในขณะที่การกระจายความหนาแน่นพลังงานคงที่มาจาก
ที่มารั่วท่อระบายน้ำปัจจุบันเมื่อทรานซิสเตอร์ปิด .
รูปที่ 4 แสดงให้เห็นความหนาแน่นพลังงานทั้งแบบไดนามิกและความหนาแน่น
พลังงานคงที่ขึ้นอยู่กับวัดในข้อมูล dustrial ดังกล่าว
[ 15 ] , ที่ชุมทางอุณหภูมิ = 25 ° E . อดีตทีเจ