The aim of this study is to show th

The aim of this study is to show the effect of two phosphonate surfactants (PS) on the electrochemical behavior of the negative plate of lead-acid battery in the sulfuric acid medium. The characterization of the electrode interface was investigated at room temperature by a set of electrochemical techniques as linear sweep voltammetry (LSV), cyclic voltammetry (CV), electrochemical impedance spectroscopy (EIS) and chronoamperometry (CA). Scanning electron microscopy (SEM) was employed to determine the film layer's morphology deposited on the surface of working electrodes, in the presence and in the absence of the PS. When the PS was added in the acidic solution, hydrogen evolution became higher, the over-potential of hydrogen was shifted to negatives values and the growth of the anodic β-PbO2 was inhibited. SEM imaging with the presence of PS showed reduction in the growth of the anodic β-PbO2 and PbSO4 layers. EIS results indicate the decrease of the conductivity of β-PbO2 film on the lead surface electrode. The result of the CV, show a decrease in the peak related to transition of PbO to Pb demonstrates that lower PbO has been formed underneath the lead sulfate membrane in the presence of low concentration of SP indeed a decrease in the amount of formed PbSO4 on the electrode surface.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จุดมุ่งหมายของการศึกษานี้คือการ แสดงผลของ surfactants phosphonate สอง (PS) กับพฤติกรรมของแผ่นลบของแบตเตอรี่ lead ในกรดกำมะถันการไฟฟ้า คุณสมบัติของอินเทอร์เฟซสำหรับอิเล็กโทรดถูกสอบสวนที่อุณหภูมิห้อง ด้วยชุดไฟฟ้าเทคนิค voltammetry กวาดเส้น (LSV), voltammetry ทุกรอบ (CV), ความต้านทานไฟฟ้าก (EIS) และ chronoamperometry (CA) สแกน microscopy อิเล็กตรอน (SEM) ถูกว่าจ้างเพื่อตรวจสอบสัณฐานวิทยาของชั้นฟิล์มฝากบนพื้นผิวทำงานหุงต สถานะ และการขาดงานของ PS. เมื่อ PS ถูกเพิ่มลงในโซลูชันเปรี้ยว ไฮโดรเจนวิวัฒนาการกลายเป็นสูง มากเกินศักยภาพของไฮโดรเจนได้จากค่าฟิล์ม และการเติบโตของ anodic β-PbO2 ถูกห้าม ภาพใน SEM มี PS พบว่าลดอัตราการเติบโตของ anodic β-PbO2 และชั้น PbSO4 EIS ยังแสดงนำβ PbO2 ฟิล์มบนอิเล็กโทรดพื้นผิวของเป้าหมายลดลง ผลของ CV ดูลดลงสูงสุดที่เกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนของ PbO เพื่อ Pb แสดงให้เห็นว่า มีการเกิดขึ้น PbO ล่างใต้เยื่อซัลเฟตเป้าหมายในต่อหน้าของความเข้มข้นต่ำสุดของ SP แท้จริงลดลงจำนวน PbSO4 รูปแบบบนพื้นผิวอิเล็กโทรด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จุดมุ่งหมายของการศึกษาครั้งนี้คือการแสดงผลของการลดแรงตึงผิวสอง phosphonate (PS) ในพฤติกรรมไฟฟ้าของแผ่นลบของแบตเตอรี่ตะกั่วกรดในกลางกรดกำมะถัน ลักษณะของอินเตอร์เฟซอิเล็กโทรดที่ได้รับการตรวจสอบที่อุณหภูมิห้องโดยชุดของเทคนิคทางเคมีไฟฟ้าศักย์กวาดเป็นเชิงเส้น (LSV) ศักย์วงจร (CV), สเปกโทรสโกต้านทานไฟฟ้าเคมี (EIS) และ chronoamperometry (CA) กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนสแกน (SEM) ถูกจ้างมาเพื่อตรวจสอบลักษณะทางสัณฐานวิทยาชั้นของหนังเรื่องนี้วางอยู่บนพื้นผิวของขั้วไฟฟ้าทำงานในการปรากฏตัวและในกรณีที่ไม่มีของ PS เมื่อ PS ถูกเพิ่มเข้ามาในการแก้ปัญหาที่เป็นกรดไฮโดรเจนกลายเป็นวิวัฒนาการที่สูงขึ้นในช่วงที่มีศักยภาพของไฮโดรเจนก็ขยับไปเป็นค่าเชิงลบและการเจริญเติบโตของขั้วบวกβ-PbO2 ถูกยับยั้ง SEM การถ่ายภาพด้วยการปรากฏตัวของ PS แสดงให้เห็นว่าการลดลงของการเจริญเติบโตของขั้วบวกβ-PbO2 และชั้น PbSO4 ผลการ EIS บ่งชี้ถึงการลดลงของการนำβ-PbO2 ฟิล์มบนพื้นผิวอิเล็กโทรดนำ ผลจากการ CV ที่แสดงให้เห็นการลดลงของยอดเขาที่เกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนแปลงของ PbO เพื่อ Pb แสดงให้เห็นว่าต่ำกว่า PbO ได้รับการจัดตั้งขึ้นภายใต้เยื่อซัลเฟตนำในการปรากฏตัวของความเข้มข้นต่ำของ SP แน่นอนการลดลงของปริมาณของ PbSO4 ที่เกิดขึ้นใน พื้นผิวอิเล็กโทรด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

จุดมุ่งหมายของการศึกษานี้คือการแสดงผลของสารลดแรงตึงผิวฟอสโฟเนต ( PS ) ในพฤติกรรมทางเคมีไฟฟ้าของจานลบของแบตเตอรี่ตะกั่วกรดในอาหารกรดซัลฟูริค ส่วนคุณสมบัติของอินเตอร์เฟซขั้วถูกสอบสวนที่อุณหภูมิห้อง โดยชุดของเทคนิคเคมีไฟฟ้าเป็นแสงยูวีกวาดเส้น ( lsv ) ไซคลิกโวลแทมเมทรี ( CV )ไฟฟ้าเคมีอิมพีแดนซ์สเปกโทรสโกปี ( EIS ) และ chronoamperometry ( CA ) กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM ) มาใช้ในการกำหนดชั้นของฟิล์มที่ฝากบนพื้นผิวของขั้วในตนและในการขาดงานของ PS เมื่อ PS เพิ่มในสารละลายที่เป็นกรด ไฮโดรเจน เป็นวิวัฒนาการสูงกว่ามากกว่าศักยภาพของไฮโดรเจน ถูกย้ายไปลบค่าและการเจริญเติบโตของบีตา - pbo2 anodic ถูกยับยั้ง ด้วยการถ่ายภาพกับการแสดงตนของ PS มีการลดการเจริญเติบโตของการ pbo2 pbso4 บีตา - และชั้น สนับสนุนการลดลงของค่าของบีตา - pbo2 ฟิล์มบนพื้นผิวที่นำขั้วไฟฟ้า ผลของประวัติย่อแสดงการลดลงในช่วงที่เกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนของเพื่อตะกั่วสามแสดงให้เห็นว่าสามล่างได้ถูกก่อตั้งขึ้นภายใต้แผ่นตะกั่วซัลเฟตในการแสดงตนของความเข้มข้นต่ำของ SP ก็ลดจํานวนขึ้น pbso4 บนพื้นผิวขั้วไฟฟ้า