Semi-Insulating Polycrystalline Sil

Semi-Insulating Polycrystalline Silicon (SIPOS) films were deposited on Si02/Si, Si, and sapphire
substrates by the chemical vapor deposition of silane and nitroiJs oxide at atmospheric and low
pressures.X -ray diffraction wasu sedt o identify the phasesp resent, and to study structural properties
like grain size ands train as a function of the flow rate ratio, ~, = [N20]/[SiH4].oBothA PCVaDn dL PCVD
films containeda toleast four phases: polycrystallines ilicon (grain size > 300A ), microcrystallines ilicon
(grain size 15-25A ), amorphoussil icon (grain size < 9 A), anda n additional phase,a s yet unidentified,
termed SixOy. The Si(222) reflection was observed, which is forbidden for crystalline silicon. SIPOS
depositedo n sapphirea ppearedto havea different structure than that depositedo n Si02/Si or on Si.
Grain size decreasedw ith increasing -y. As-depositedfi lms were either unstrainedo r in compression.
No major structural differences were observedb etweenA PCVaDn d LPCVDfil ms. On annealing at 550 -
750 o C, the SilO. phasea nd amorphousi licon disappeared.T he intensity of the forbidden Si(222)
reflection decre^as~ed with increasing annealing temperature. No grain growth was observed on
annealing. Strain changedfr om compressivet o tensile on annealing. The texture of the films was
investigated by the pole figure technique and was found to be different for films deposited on sapphire
substrates as comparetdo films depositedo n Si02/Si. The texture also dependedst rongly on the value
of ,/. A structural modelw asp roposedto explain the origin of the forbidden Si(222) reflection. Major
contributionsa re that this is the first observationo f the Si(222)r eflection andt he SixOyp hase

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กึ่งฉนวน Polycrystalline Silicon (SIPOS) ฟิล์มวางลงบน Si02 / ศรีศรีและไพลิน
พื้นผิวโดยการสะสมไอเคมีของไซเลนและ nitroiJs ออกไซด์ในบรรยากาศและต่ำ
วสุเลนส์ pressures.X -ray sedt o ระบุไม่พอใจ phasesp และ เพื่อศึกษาคุณสมบัติโครงสร้าง
เช่น ands ขนาดเม็ดฝึกอบรมเป็นหน้าที่ของอัตราส่วนอัตราการไหล, ~ = [N20] / [SiH4] .oBothA PCVaDn dL PCVD
ภาพยนตร์ containeda toleast สี่ขั้นตอน: polycrystallines ilicon (ขนาดเม็ด> 300A) microcrystallines ilicon
(ขนาดเม็ด 15-25A) ไอคอน amorphoussil (ขนาดเม็ด <9) anda n เฟสเพิ่มเติมที่ยังไม่ปรากฏชื่อ
เรียกว่า SixOy ศรี (222) สะท้อนเป็นข้อสังเกตซึ่งเป็นสิ่งต้องห้ามสำหรับผลึกซิลิคอน SIPOS
depositedo n sapphirea ppearedto havea โครงสร้างที่แตกต่างกันกว่า depositedo n Si02 / ศรีหรือศรี.
ขนาดข้าว decreasedw ith เพิ่มขึ้น -y As-LMS depositedfi มีทั้งอา unstrainedo ในการบีบอัด.
ไม่มีความแตกต่างของโครงสร้างหลักเป็น observedb etweenA PCVaDn d มิลลิ LPCVDfil ในการอบที่ 550 -
750 องศาเซลเซียสไซโล phasea ครั้ง amorphousi licon disappeared.T เขาเข้มของต้องห้ามศรี (222)
สะท้อน decre ^ ~ เป็นเอ็ดอบที่มีอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น การเจริญเติบโตของข้าวไม่มีการตั้งข้อสังเกตใน
การหลอม สายพันธุ์ changedfr อ้อม compressivet o แรงดึงในการหลอม พื้นผิวของภาพยนตร์ที่ได้รับการ
ตรวจสอบโดยใช้เทคนิครูปเสาและถูกพบว่ามีความแตกต่างกันสำหรับภาพยนตร์ที่วางอยู่บนแซฟไฟร์
พื้นผิวเป็นภาพยนตร์ comparetdo depositedo n Si02 / ศรี เนื้อยัง dependedst rongly มูลค่า
ของ / modelw โครงสร้างงูเห่า roposedto อธิบายที่มาของต้องห้ามศรี (222) สะท้อนให้เห็นถึง เมเจอร์
contributionsa อีกครั้งว่านี่เป็นครั้งแรก observationo ฉศรี (222) อา eflection andt เขา SixOyp hase

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กึ่งฉนวนซิลิคอน polycrystalline ( sipos ) ภาพยนตร์ที่ฝากเงินใน si02 / ซื่อ ซื่อ และ ไพลิน
พื้นผิวโดย chemical vapor deposition เลน nitroijs และออกไซด์ในบรรยากาศและความดันต่ำ
. การเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์วสุ sedt O ระบุ phasesp ไม่พอใจ และศึกษาสมบัติโครงสร้าง
ชอบขนาดเกรนและรถไฟเป็นฟังก์ชัน ของอัตราส่วนอัตราการไหล ~ = [ 20 ] / [ sih4 ]obotha pcvadn DL pcvd
ภาพยนตร์ containeda toleast สี่ขั้นตอน : polycrystallines ilicon ( ขนาดเม็ด > 300a ) ไมโครคริสตัลลีน ilicon
( ขนาด 15-25a เม็ด ) , ไอคอน amorphoussil ( ขนาดเม็ด < 9 ) , คุณ N เฟสเพิ่มเติมเป็น termed ยังไม่ปรากฏหลักฐาน
sixoy . ศรี ( 222 ) การสะท้อน ) ซึ่งเป็นสิ่งต้องห้ามสำหรับผลึกซิลิคอน sipos
depositedo N sapphirea ppearedto มีโครงสร้างที่แตกต่างกันกว่าที่ depositedo N si02 / ศรีหรือศรี .
decreasedw ขนาดเม็ด ith เพิ่ม - วาย เป็น depositedfi LMS เป็น unstrainedo r ในการบีบอัด
ไม่มีความแตกต่างทางโครงสร้างหลัก ( observedb etweena pcvadn D lpcvdfil คุณในการหลอมที่ 550 -
750 O C , ไซโล phasea ND amorphousi licon หายไป เขาเข้มของต้องห้าม ( 222 )
ศรีสะท้อน decre
~ เอ็ดกับการเพิ่มอุณหภูมิการอบอ่อน . ไม่พบการเจริญเติบโตของเมล็ดข้าวในการอบ
. สายพันธุ์ changedfr โอม compressivet O แรงดึงในการอบ . พื้นผิวของฟิล์ม
สอบสวนโดยเทคนิครูปเสาและพบว่าแตกต่างกันสำหรับภาพยนตร์ฝากบนพื้นผิว เช่น ไพลิน
comparetdo ภาพยนตร์ depositedo N si02 / ซี เนื้อยัง dependedst rongly ค่า
, / . เป็นโครงสร้าง modelw ASP roposedto อธิบายที่มาของต้องห้ามศรี ( 222 ) สะท้อน สาขา
contributionsa อีกครั้งว่า นี่เป็นครั้งแรกที่ observationo F Si ( 222 ) R eflection ค่าทีเขา sixoyp เซิล