Bose et al. [9] subjected powdered

Bose et al. [9] subjected powdered silicon obtained by magnesium reduction of rice husk ash at a temperature of 600-650 oC to melting and directional solidification and found that boron was the active impurity in the polycrystalline silicon ingot obtained. They determined the minority carrier life time of their polycrystalline silicon material to be of the order of 1-5μs and concluded that to be promising for photovoltaic applications. A minimum carrier lifetime requirement for efficient solar cells fabricated from multicrystalline silicon wafers is however estimated as 25 μs [11].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Bose et al. [9] ภายใต้ผงซิลิคอนได้ โดยลดแมกนีเซียมของเถ้าแกลบที่อุณหภูมิ 600-650 oC ไปหลอม และทิศทางการแข็งตัว และพบว่า โบรอน ไม่บริสุทธิ์ใช้งานอยู่ในแท่งซิลิคอนคที่ได้รับ พวกเขากำหนดเวลาชีวิตให้บริการชนกลุ่มน้อยของเนื้อหาซิลิคอนค[2] 1 5μs และข้อสรุปที่เป็นแนวโน้มสำหรับการใช้งานเซลล์แสงอาทิตย์ อย่างไรก็ตามประมาณการความต้องการอายุการใช้งานให้บริการขั้นต่ำสำหรับประดิษฐ์จากเวเฟอร์ multicrystalline ซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์มีประสิทธิภาพเป็น 25 µs [11]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Bose, et al [9] ภายใต้ซิลิคอนผงที่ได้รับจากการลดลงของแมกนีเซียมขี้เถ้าแกลบที่อุณหภูมิ 600-650 องศาเซลเซียสที่จะละลายและการแข็งตัวทิศทางและพบว่าโบรอนเป็นสิ่งเจือปนที่ใช้งานอยู่ในแท่งคริสตัลไลน์ซิลิคอนได้ พวกเขากำหนดเวลาชีวิตของชนกลุ่มน้อยผู้ให้บริการของวัสดุซิลิกอน polycrystalline ของพวกเขาจะเป็นคำสั่งของ1-5μsและได้ข้อสรุปว่ามีแนวโน้มที่จะได้รับสำหรับการใช้งานไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ ความต้องการของผู้ให้บริการอายุการใช้งานขั้นต่ำสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีประสิทธิภาพประดิษฐ์จากซิลิคอนเวเฟอร์ multicrystalline อย่างไรก็ตามเป็นที่คาดกันถึง 25 ไมโครวินาที [11]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

Bose et al . [ 9 ] ภายใต้ผงซิลิคอนแมกนีเซียมได้โดยการลดของเถ้าแกลบที่อุณหภูมิ 600-650 OC การหลอมและการทำให้ทิศทาง และพบว่ามีการใช้โบรอนบริสุทธิ์ในก้อนโลหะซิลิคอน polycrystalline ) พวกเขากำหนดเวลาชีวิตของพาหะส่วนน้อยของผลึกซิลิคอนวัสดุเป็นลำดับที่ 1-5 μและสรุปได้ว่าเป็นสัญญาสำหรับการใช้งานเซลล์แสงอาทิตย์ ความต้องการขั้นต่ำสำหรับการใช้งานเป็นผู้ให้บริการที่มีประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์ multicrystalline ที่ประดิษฐ์จากซิลิคอนเวเฟอร์ เป็นอย่างไร ประมาณ 25 μ S [ 11 ]