The remainder of this paper is orga

The remainder of this paper is organized as follows. Section II give a brief overview about the principle structure and electrical parameter of metal oxide semiconductor fiele-effect transistors (MOSFET) in order to facilicate the readability of the rest of the paper. Section III, IV V, VI, and VII discuss in detail the physical, material, power-thermal, technological, and economical challenges of CMOS technology, respectively. Section VIII suggests potential non-CMOS nanodevices that are able to solve CMOS limitations. Finally, section IX concludes the paper.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ส่วนเหลือของเอกสารนี้มีการจัดระเบียบดังนี้ ส่วน II ให้ภาพรวมโดยย่อเกี่ยวกับหลักโครงสร้างและไฟฟ้าพารามิเตอร์ของโลหะออกไซด์ transistors fiele ผลสารกึ่งตัวนำ (มอสเฟต) ในใบสั่ง facilicate อ่านส่วนที่เหลือของกระดาษ ส่วน III, IV V, VI, VII และหารือในรายละเอียดทางกายภาพ วัสดุ ไฟฟ้าความ ร้อน เทคโนโลยี และความประหยัดของเทคโนโลยี CMOS ตามลำดับ ส่วน VIII แนะนำ nanodevices CMOS ไม่มีศักยภาพที่สามารถแก้ข้อจำกัดของ CMOS สุดท้าย ส่วน IX สรุปกระดาษ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่เหลือของบทความนี้มีการจัดระเบียบดังต่อไปนี้ ส่วนครั้งที่สองให้ภาพรวมคร่าวๆเกี่ยวกับโครงสร้างหลักการและพารามิเตอร์ไฟฟ้าของโลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำทรานซิสเตอร์ fiele ผลกระทบ (MOSFET) เพื่อให้ facilicate อ่านส่วนที่เหลือของกระดาษ มาตรา III, IV V, VI และ VII หารือในรายละเอียดทางกายภาพวัสดุท้าทายพลังงานความร้อนเทคโนโลยีและการประหยัดของเทคโนโลยี CMOS ตามลำดับ มาตรา VIII แสดงให้เห็นศักยภาพ nanodevices CMOS ไม่ที่มีความสามารถที่จะแก้ข้อ จำกัด CMOS สุดท้ายส่วนทรงเครื่องสรุปกระดาษ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนที่เหลือของบทความนี้คือการจัดดังนี้ มาตรา 2 ให้อธิบายภาพรวมเกี่ยวกับหลักการโครงสร้างและพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์การเช่าผลทรานซิสเตอร์ ( MOSFET ) เพื่อ facilicate อ่านส่วนที่เหลือของกระดาษ ส่วนที่ III , IV V , VI , VII หารือในรายละเอียดทางกายภาพ , วัสดุ , พลังงานความร้อน , เทคโนโลยี ,และความท้าทายทางเศรษฐกิจเทคโนโลยี CMOS ตามลำดับ มาตรา 8 ให้ nanodevices ไม่ใช่ CMOS ที่มีศักยภาพที่สามารถแก้ปัญหาที่มีข้อจำกัด ในที่สุด , มาตรา 9 พบกระดาษ