Prior to the deposition of the film

Prior to the deposition of the film, the glassy carbon electrode
was polished with water slurry of 0.30 and 0.05 lm alumina powder
on a polishing kit to a mirror-like appearance, rinsed and then
ultrasonicated with 1:1 (v/v) HNO3 aqueous solution, absolute ethanol
(99.7%) and water, respectively. Then the well-polished glassy
carbon electrode was voltammetrically cycled between 0.5 and
1.4 V (vs. Ag/AgCl) at a scan rate of 200 mV s1 in 0.50 M H2SO4
for 10 cycles, the activated electrode was placed in 2.00 mM
p-ABSA and 0.10 M phosphate buffer solution (pH 7.6) and then
it was modified by 15 cycles of potential sweep between 1.0
and 2.0 V (vs. Ag/AgCl) at a scan rate of 200 mV s1
. Subsequently,
the modified glassy carbon electrode was voltammetrically cycled
and characterized in 0.10 M acetate buffer solution (pH 4.0) until a
stable cyclic voltammogram was obtained. After that, the electrode
was rinsed with ethanol and doubly distilled water successively,
and used for the following experiments.
Stripping voltammetric measurements were performed in a
10 mL electrochemical cell, if not stated otherwise, containing
appropriate amounts of Cd(II), 3.0 mg L1 Bi(III), 2.0 mg L1 Sn(II)
and 3.0 mL of 0.10 M acetate buffer solution (pH 4.0). The preconcentration
was carried out at 1.1 V for 150 s under stirring
and after a 10 s equilibration period, the voltammogram was
recorded by applying a positive-going square-wave stripping voltammetric
potential scan from 1.2 to 0.2 V with a frequency of
35 Hz, pulse amplitude of 75 mV and scan increment of 2 mV.
Prior to the next measurement, a 30 s clean step at 0.3 V under
stirring was used to remove the residual metals and the
stannum/bismuth film. All potentials were referred to the Ag/
AgCl reference electrode.
3. Res

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ก่อนที่จะสะสมของฟิล์ม อิเล็กโทรดคาร์บอนฟิตถูกขัดเงา ด้วยสารละลายน้ำ 0.30 และผงอลูมินา lm 0.05ในชุดที่ขัดกับลักษณะเหมือนกระจก rinsed แล้วultrasonicated กับ 1:1 (v/v) ละลาย HNO3 เอทานอลแน่นอน(99.7%) และ น้ำ ตามลำดับ แล้วที่พักสวยงามฟิตคาร์บอนอิเล็กโทรด voltammetrically ล้มระหว่าง 0.5 และ1.4 V (เทียบกับ Ag/AgCl) ในอัตราการสแกน 200 mV s1 ใน 0.50 M กำมะถันสำหรับรอบ 10 อิเล็กโทรดเปิดถูกวางใน 2.00 มม.p ABSA และ 0.10 M ฟอสเฟตบัฟเฟอร์ (pH 7.6) แก้ปัญหาแล้วถูกปรับเปลี่ยน โดยรอบ 15 ของกวาดไประหว่าง 1.02.0 V (เทียบกับ Ag/AgCl) ในอัตราการสแกน 200 mV s1 และ. ในเวลาต่อมาvoltammetrically ถูกล้มไฟฟ้าคาร์บอนปรับฟิตและลักษณะในโซลูชันบัฟเฟอร์ acetate 0.10 M (pH 4.0) จนถึงการทุกรอบ voltammogram มั่นคงได้รับ หลังจากนั้น การไฟฟ้าถูก rinsed ด้วยเอทานอลและน้ำกลั่นสองเหตุการณ์ติด ๆ กันและใช้สำหรับการทดลองต่อไปนี้ปอก voltammetric วัดได้ดำเนินการในการเซลล์ electrochemical 10 mL ถ้าไม่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น ประกอบด้วยจำนวนที่เหมาะสมของ Cd(II), 3.0 มิลลิกรัม Bi(III) L1, L1 Sn(II) 2.0 มิลลิกรัมและ 3.0 mL ของ 0.10 M acetate บัฟเฟอร์ (pH 4.0) Preconcentration ที่ได้ดำเนินการที่ 1.1 V สำหรับ 150 s ใต้กวนและหลังจาก 10 s equilibration ช่วง voltammogram ถูกบันทึก โดยใช้การบวกไปสแควร์เวฟปอก voltammetricการสแกนอาจเกิดขึ้นจาก 1.2 ไป 0.2 V มีความถี่35 Hz คลื่นชีพจรของ 75 mV และการสแกนเพิ่ม 2 mVก่อนที่จะประเมินต่อไป ขั้นสะอาด s 30 ที่ 0.3 V ภายใต้ใช้กวนเอาโลหะที่เหลือและหนัง stannum/บิสมัท ศักยภาพทั้งหมดเรียกว่า Ag /AgCl อิเล็กโทรดอ้างอิง3. res

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ก่อนที่จะมีการสะสมของภาพยนตร์อิเล็กโทรดคาร์บอนเหลือบ
ถูกขัดด้วยสารละลายน้ำ 0.30 และ 0.05 ไมครอนผงอลูมินา
ในชุดขัดจะมีลักษณะเหมือนกระจกล้างแล้ว
ultrasonicated 1: 1 (v / v) HNO3 น้ำ วิธีการแก้ปัญหาเอทานอลที่แน่นอน
(99.7%) และน้ำตามลำดับ จากนั้นดีขัดเหลือบ
อิเล็กโทรดคาร์บอนกรณื voltammetrically ระหว่าง 0.5 และ
1.4 V (เทียบกับ Ag / AgCl) ในอัตราที่สแกน 200 mV s1 ใน 0.50 M H2SO4
10 รอบขั้วไฟฟ้าเปิดใช้งานอยู่ใน 2.00 มิลลิ
พี ABSA และ 0.10 M ฟอสเฟตสารละลายบัฟเฟอร์ (pH 7.6) และจากนั้น
มันจะถูกแก้ไขโดย 15 รอบของการกวาดอาจเกิดขึ้นระหว่าง 1.0
และ 2.0 V (เทียบกับ Ag / AgCl) ในอัตราที่สแกน 200 mV
s1 ต่อมา
อิเล็กโทรดคาร์บอนเหลือบถูกดัดแปลงกรณื voltammetrically
และโดดเด่นใน 0.10 M acetate สารละลายบัฟเฟอร์ (pH 4.0) จนกระทั่ง
voltammogram วงจรที่มีเสถียรภาพได้ หลังจากนั้นอิเล็กโทรด
ได้รับการล้างด้วยเอทานอลและน้ำกลั่นเป็นทวีคูณอย่างต่อเนื่อง
และใช้สำหรับการทดลองต่อไป.
ปอกวัด voltammetric ได้ดำเนินการใน
10 มิลลิลิตรเซลล์ไฟฟ้าเคมีหากไม่ได้ระบุเป็นอย่างอื่นที่มี
จำนวนที่เหมาะสมของ Cd (II) 3.0 มก. L1 Bi (III) 2.0 มก. L1 Sn (II)
และ 3.0 มิลลิลิตร 0.10 M acetate สารละลายบัฟเฟอร์ (pH 4.0) เข้มข้น
ได้ดำเนินการที่ 1.1 V 150 ภายใต้ตื่นเต้น
และหลังจากระยะเวลา 10 วินาทีสมดุล, voltammogram ถูก
บันทึกไว้โดยการใช้ในเชิงบวกที่กำลังตารางคลื่นลอก voltammetric
สแกนที่อาจเกิดขึ้น 1.2-0.2 V กับความถี่ของ
35 เฮิร์ตซ์ ความกว้างของพัลส์ 75 mV และสแกนเพิ่มขึ้น 2 mV.
ก่อนที่จะมีการวัดถัดไป 30 วินาทีขั้นตอนการทำความสะอาดที่ 0.3 V ภายใต้
กวนถูกใช้ในการลบคงเหลือและโลหะ
ดีบุก / ภาพยนตร์บิสมัท ศักยภาพทั้งหมดถูกเรียก Ag /
AgCl ขั้วอ้างอิง.
3 Res

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ก่อนที่จะมีการสะสมของภาพยนตร์ เหลือบ ขั้วไฟฟ้าคาร์บอน
ถูกขัดด้วยกากน้ำ 0.30 และ 0.05 โดยผงอลูมินา
บนชุดขัดกระจกเช่นลักษณะ , ล้างแล้ว
ultrasonicated กับ 1 : 1 ( v / v ) กรดดินประสิวสารละลายสัมบูรณ์เอทานอล
( 99.7% ) และน้ำ ตามลำดับ จากนั้นก็ขัดเหลือบ
ขั้วไฟฟ้าคาร์บอนเป็น voltammetrically กรณืระหว่าง 0.5
1.4 V ( vs .โดย 0.46% ) ที่อัตราการสแกน 200 MV S1 ใน 0.50 เมตรกรดซัลฟิวริก
10 รอบ ใช้ขั้วไฟฟ้าอยู่ใน 2.00 mm
p-absa 0.10 M ฟอสเฟตบัฟเฟอร์ โซลูชั่น ( pH 7.6 ) และจากนั้น
มันถูกแก้ไขโดย 15 รอบศักยภาพระหว่าง 1.0 และ 2.0 V
กวาด ( vs Ag / 0.46% ) ที่อัตราการสแกน 200 MV S1
ต่อมา
ดัดแปลงขั้วไฟฟ้าคาร์บอนก็เหลือบ voltammetrically และลักษณะในกรณื
010 M acetate สารละลายบัฟเฟอร์ ( pH 4.0 ) จนเป็นวงกลม voltammogram
มั่นคงได้ . หลังจากนั้นไฟฟ้า
ถูกล้างด้วยน้ำและเอทานอลเป็นทวีคูณอย่างต่อเนื่อง
และใช้สำหรับการทดลองการวัดการลอกมาก

10 ml ใช้ในเซลล์ ถ้าไม่ได้ระบุไว้เป็นอย่างอื่นที่มี
ในปริมาณที่เหมาะสมของซีดี ( 2 ) 3.0 มก. L1 บี ( 3 ) 20 มิลลิกรัม L1 SN ( II )
และ 3.0 มิลลิลิตรของสารละลายบัฟเฟอร์ , 0.10 เมตร ( pH 4.0 ) การเพิ่มความเข้มข้น
ครั้งนี้ที่ 1.1 V 150 อยู่กวน
และหลังจาก 10 งวด equilibration , voltammogram คือ
บันทึกโดยใช้บวกไปตารางคลื่นที่มีศักยภาพมาก
การสแกน 1.2 0.2 V กับความถี่ของ
35 Hz , ชีพจรความกว้าง 75 MV และสแกนเพิ่ม 2 เพลง .
ก่อนถึงวัดถัดไป 30 สะอาดขั้นตอนที่ 0.3 V ภายใต้
กวนถูกใช้ตัดโลหะตกค้างและ
/ ความถี่สูงฟิล์ม ทั้งหมด ศักยภาพหมายถึง AG /
0.46% อ้างอิงขั้ว .
3 เรส