Fig. 8 SiNW transistor arrays fabri

Fig. 8 SiNW transistor arrays fabricated on flexible plastics. (a) DF optical image of a top-gated multi-NW transistor device. Scale bar: 50 mm. Inset,
photograph of a plastic substrate containing 3  3 NWFETs device arrays with each array containing 400 devices. (b) Typical Ids–Vds curves of a multi-
NW FET. (Vg
3 V to 3 V, from top to bottom). (c) Typical Ids–Vg characteristics with Vds at
1 V. Inset, histogram of Ion showing uniform device
characteristics. (d) Histogram of Vt from analysis of over 60 randomly chosen devices in the array. Adapted from Ref. 27.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 8 SiNW ทรานซิสเตอร์อาร์เรย์หลังสร้างบนพลาสติกยืดหยุ่น (ก) DF ภาพแสงของอุปกรณ์ทรานซิสเตอร์ gated ด้าน multi-NW แถบมาตราส่วน: 50 mm. แทรกภาพถ่ายของพื้นผิวเป็นพลาสติกประกอบด้วย 3 3 NWFETs อุปกรณ์เรย์กับอาร์เรย์แต่ละประกอบด้วยอุปกรณ์ 400 (ข) โดยทั่วไปรหัส – Vds โค้งหลายแบบ-NW FET (Vg 3 โวลต์เป็น 3 V จากบนลงล่าง) ลักษณะ (c) ปกติรหัส – Vg กับ Vds 1 V. แทรกภาพ ฮิสโตแกรมของไอออนแสดงรูปอุปกรณ์ลักษณะการ (d) ฮิสโตแกรมของ Vt จากวิเคราะห์กว่า 60 แบบสุ่มเลือกอุปกรณ์ในอาร์เรย์ ดัดแปลงจากอ้างอิง 27

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 8 SiNW อาร์เรย์ประดิษฐ์ทรานซิสเตอร์บนพลาสติกที่มีความยืดหยุ่น (ก) ภาพแสง DF หลาย NW อุปกรณ์ทรานซิสเตอร์บนรั้วรอบขอบชิด บาร์ขนาด: 50 มม ภาพประกอบ,
รูปถ่ายของพื้นผิวพลาสติกที่มี 3? 3 NWFETs อาร์เรย์อุปกรณ์ที่มีอาร์เรย์ที่มี 400 อุปกรณ์แต่ละ (ข) โดยทั่วไปเส้นโค้งหมายเลข-Vds ของหลาย
FET NW (Vg? 3 V 3 V, จากบนลงล่าง) (ค) ลักษณะโดยทั่วไปหมายเลข-Vg กับ Vds ที่? 1 V. ภาพประกอบ, กราฟไอออนแสดงอุปกรณ์เครื่องแบบ
ลักษณะ (ง) Histogram ของ Vt จากการวิเคราะห์กว่า 60 อุปกรณ์ที่สุ่มเลือกในอาร์เรย์ ที่ดัดแปลงมาจากการอ้างอิง 27

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพที่ 8 sinw อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์ประดิษฐ์บนพลาสติกที่มีความยืดหยุ่น ( ภาพด้านบน ) DF แสงหลาย gated NW อุปกรณ์ทรานซิสเตอร์ บาร์ขนาด 50 มม. สิ่งที่ใส่เข้าไป
รูปถ่ายของพื้นผิวพลาสติกอุปกรณ์ประกอบด้วยอาร์เรย์ 3  3 nwfets กับแต่ละแถวประกอบด้วย 400 อุปกรณ์ ( ข ) โดยทั่วไปรหัส– VDS เส้นโค้งของ multi -
NW เฟต . ( 2
3 V 2 V , จากบนลงล่าง )( C ) โดยทั่วไปรหัส– VG กับลักษณะที่
VDS 1 V . สิ่งที่ใส่เข้าไป , Histogram แสดงลักษณะของไอออนอุปกรณ์
ยูนิฟอร์ม ( D ) ความถี่ของ VT จากการวิเคราะห์มากกว่า 60 แบบสุ่มเลือกอุปกรณ์ในอาร์เรย์ . ดัดแปลงจาก 27 Ref .