The diode chip temperature strongly

The diode chip temperature strongly affects the forward
voltage drop VF, on-state carrier concentration and reverses
recovery behaviors. When commutating from the conduction
to reverse biased state, the charges stored in the diode base
region have to be swept out. Consequently, the dynamic
electrical parameters during the reverse recovery process are
possible better candidates for TESPs with P-i-N power

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อุณหภูมิชิปไดโอดอย่างยิ่งส่งผลกระทบต่อไปข้างหน้าแรงดันไฟฟ้าลดลง VF ความเข้มข้นของผู้ให้บริการในรัฐและฝืนพฤติกรรมการกู้คืน เมื่อ commutating จากการนำที่จะกลับรัฐลำเอียงค่าใช้จ่ายที่ถูกเก็บไว้ในฐานไดโอดภูมิภาคจะต้องมีการกวาดออก ดังนั้นแบบไดนามิกค่าไฟฟ้าในระหว่างขั้นตอนการกู้คืนกลับเป็นไปได้ผู้สมัครที่ดีกว่าสำหรับTESPs มีอำนาจ PIN

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไดโอดชิพอุณหภูมิอย่างยิ่งมีผลต่อข้างหน้า
แรงดันไฟฟ้า VF , ความเข้มข้นของรัฐผู้ส่งและคืน
พฤติกรรมการกู้คืน เมื่อไทจากการลำเอียง
กลับรัฐ จัดเก็บค่าธรรมเนียมในไดโอดฐาน
เขตต้องถูกกวาดออกไป ดังนั้น ตัวแปรแบบไดนามิก
ไฟฟ้าในกระบวนการกู้คืนเป็น
ย้อนกลับเป็นไปได้ผู้สมัครที่ดีสำหรับ tesps กับ p-i-n พลังงาน