The analysis and simulation show th

The analysis and simulation show that the drain envelope impedance is the most
important factor for reducing the memory effect and nonlinearity. A new matching
topology is proposed for minimizing the drain and gate envelope impedances. The
matching topology consists of a series LC circuit for shorting the device at a low
frequency while maintaining a matchable impedance at the operating frequency. The
circuits are connected to the gate and drain terminals, rather than to the bias lines,
since the circuit can produce a very low impedance, not limited by the quarter-
wavelength bias line. The amplifier, with the reduced envelope impedances, provides
drastically reduced memory effects and very linear amplification performance for
wideband signals.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การวิเคราะห์และการแสดงแบบจำลองที่ต้านทานซองท่อระบายน้ำเป็นส่วนใหญ่
ปัจจัยที่สำคัญในการลดผลหน่วยความจำและไม่เป็นเชิงเส้น การจับคู่ใหม่
โครงสร้างมีการเสนอเพื่อลดการระบายน้ำและประตู impedances ซองจดหมาย
โครงสร้างการจับคู่ประกอบด้วยวงจร LC ชุดสำหรับ shorting อุปกรณ์ที่ต่ำ
ความถี่ในขณะที่รักษาความต้านทาน matchable ที่ความถี่ในการดำเนินงาน
วงจรเชื่อมต่อกับประตูและอาคารระบายน้ำมากกว่าที่จะสายอคติ,
ตั้งแต่วงจรสามารถผลิตความต้านทานต่ำมากไม่ จำกัด โดยส่วนสี่
สายอคติความยาวคลื่น เครื่องขยายเสียงกับ impedances ซองลดลงให้
ลดลงอย่างมากผลกระทบหน่วยความจำและผลการดำเนินงานขยายเชิงเส้นมากสำหรับ
สัญญาณ wideband

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การวิเคราะห์และการจำลองแสดงให้เห็นว่าการระบายแบบซองเป็นปัจจัยสำคัญที่สุด
ลดความทรงจำที่มีค่า . โทโพโลยีที่ตรงกัน
ใหม่เสนอลดระบายน้ำประตูซอง impedances .
การจับคู่โครงสร้างประกอบด้วยชุดวงจร LC สำหรับ shorting อุปกรณ์ที่น้อย
ความถี่ในขณะที่รักษาความต้านทานซึ่งเข้ากันที่ความถี่ปฏิบัติการ
วงจรเชื่อมต่อกับประตูแล้วเอาขั้วมากกว่าอคติเส้น
ตั้งแต่วงจรสามารถผลิตความต้านทานต่ำมากไม่ จำกัด โดยไตรมาส -
ความยาวคลื่นอคติบรรทัด เครื่องขยายเสียง พร้อมลด impedances
ซองให้ลดลงอย่างมากผลหน่วยความจำและประสิทธิภาพการทำงานแบบเชิงเส้นสำหรับสัญญาณสัญญาณมาก
.