Processing is carried on single cry

Processing is carried on single crystal silicon of high purity on which required P impurities are introduced as crystal is grown. Such wafers are about 75 to 150 mm in diameter and 0.4 mm thick and they are doped with say boron to impurity concentration of 10 to power 15/cm3 to 10 to the power 16 /cm3.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การประมวลผลจะดำเนินการในซิลิคอนผลึกเดี่ยวของความบริสุทธิ์สูงที่สิ่งสกปรก P ต้องนำมาใช้เป็นคริสตัลจะโต เวเฟอร์ดังกล่าวมีประมาณ 75 ถึง 150 mm เส้นผ่านศูนย์กลาง 0.4 มิลลิเมตร และพวกเขาจะเจือ ด้วยโบรอนพูดถึงบริสุทธิ์เข้มข้น 10 ถึง 15 พลังงาน/cm3 10 การ /cm3 อำนาจ 16

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การประมวลผลจะดำเนินการในซิลิคอนผลึกเดี่ยวของความบริสุทธิ์สูงซึ่งจำเป็นต้อง P สิ่งสกปรกที่จะนำมาเป็นคริสตัลที่ปลูก เวเฟอร์ดังกล่าวมีประมาณ 75-150 มิลลิเมตรและมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 0.4 มมหนาและพวกเขาจะพูดกับเจือโบรอนความเข้มข้นของการปนเปื้อนจาก 10 ในการใช้พลังงาน 15 / cm3 10 อำนาจ 16 / cm3

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การประมวลผลจะดำเนินการบนซิลิกอนผลึกเดี่ยวของความบริสุทธิ์สูงซึ่งต้องใช้ P ปลอมเป็นคริสตัล โตแล้ว เช่น เวเฟอร์เป็น 75 ถึง 150 มิลลิเมตรในเส้นผ่าศูนย์กลางและความหนา 0.4 มม. และพวกเขาจะเจือด้วยบอกว่าโบรอนบริสุทธิ์ความเข้มข้น 10 พลังงาน 15 ลิตร 10 ยกกำลัง 16 ลิตร