AbstractCdTe is the best suited sem

Abstract
CdTe is the best suited semiconductor for solar cells due to its band gap value 1.47 eV which is close to solar spectrum, low sublimation temperature and high absorption coefficient in the range of solar spectrum. To improve the photovoltaic performance of CdS/CdTe thin film solar cells, the CdS window layer is alloyed with different concentration of ZnS to reduce the resistivity and increase the band gap values. The single crystal CdTe based solar cell devices were prepared by vacuum evaporation method and have undergone for different temperature at various illumination levels to enhance the cell efficiency. We have achieved 14.37% efficiency and increased short circuit current density and open circuit voltage by reducing series resistance of the cell.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทคัดย่อCdTe เป็นที่สุดเหมาะสมสารกึ่งตัวนำสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์เนื่องจากช่องว่างของวงค่า eV 1.47 ซึ่งเป็นสเปกตรัมแสง อุณหภูมิต่ำการระเหิด และสัมประสิทธิ์การดูดซึมสูงในช่วงสเปคตรัมแสงอาทิตย์ เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์เซลล์แสงอาทิตย์ฟิล์มบาง CdTe/ซี ดี ซีดีหน้าต่างชั้นเป็น alloyed กับความเข้มข้นแตกต่างกันของ ZnS เพื่อลดการต้านทานความชื้น และเพิ่มค่าช่องว่างของวง เซลล์แสงอาทิตย์อุปกรณ์ที่เตรียม โดยวิธีการระเหยสุญญากาศ และมีระดับสำหรับอุณหภูมิแตกต่างกันที่ระดับไฟส่องสว่างต่าง ๆ เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของเซลล์เดี่ยวผลึก CdTe ขึ้น เราได้บรรลุประสิทธิภาพ 14.37% และเพิ่มความหนาแน่นของกระแสไฟฟ้าลัดวงจรและแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด โดยการลดชุดความต้านทานของเซลล์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อ
CdTe เป็นสารกึ่งตัวนำที่เหมาะที่สุดสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์อันเนื่องมาจากค่าช่องว่างวง 1.47 eV ซึ่งอยู่ใกล้กับสเปกตรัมแสงอาทิตย์อุณหภูมิระเหิดต่ำและค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมสูงอยู่ในช่วงของสเปกตรัมแสงอาทิตย์ เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ของแผ่นซีดี / CdTe ฟิล์มบางเซลล์แสงอาทิตย์ชั้นหน้าต่างซีดีเป็นอัลลอยด์ที่มีความเข้มข้นแตกต่างกันของ ZnS เพื่อลดความต้านทานและเพิ่มค่าช่องว่างวง CdTe ผลึกเดี่ยวตามอุปกรณ์เซลล์แสงอาทิตย์ถูกเตรียมโดยวิธีการระเหยสูญญากาศและมีระดับอุณหภูมิที่แตกต่างกันในระดับการส่องสว่างต่างๆเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของเซลล์ เราได้ประสบความสำเร็จอย่างมีประสิทธิภาพ 14.37% และเพิ่มขึ้นลัดวงจรความหนาแน่นกระแสและแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิดโดยการลดความต้านทานชุดของเซลล์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

cdte นามธรรม
เป็นสารกึ่งตัวนำ เซลล์แสงอาทิตย์ที่เหมาะที่สุดเนื่องจากค่าช่องว่างแถบ 1.47 EV ซึ่งอยู่ใกล้กับสเปกตรัมของแสงอาทิตย์ อุณหภูมิต่ำ และมีค่าการดูดซึมสูงระเหิดในช่วงสเปกตรัมของแสงอาทิตย์ . เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของแผ่นซีดี / cdte เซลล์แสงอาทิตย์ฟิล์มบางเซลล์แสงอาทิตย์ซีดีหน้าต่างเลเยอร์เป็น alloyed กับความเข้มข้นที่แตกต่างกันของ zns เพื่อลดความต้านทานและเพิ่มช่องว่างวงค่า ผลึกเดี่ยว cdte จากเซลล์แสงอาทิตย์อุปกรณ์ถูกเตรียมโดยวิธีระเหยแบบสุญญากาศและมีระดับที่แตกต่างกัน ที่ระดับอุณหภูมิไฟส่องสว่างต่างๆเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของเซลล์ . เราได้รับ 1437% ประสิทธิภาพและเพิ่มความหนาแน่นของกระแสลัดวงจร และแรงดันเปิดวงจรโดยการลดชุดความต้านทานของเซลล์