Fig. 1. SWASV voltammograms of 1000

Fig. 1. SWASV voltammograms of 1000 μg L−1 Bi(III) in pH 4.5 acetate buffer in the absence (a) and presence (b) of 30 μg L−1 Pb(II). Experiments were performed on an in situ deposited bismuth film. Deposition time, td=120 s at −1.40 V with stirring. ΔEs=2mV, f=25 Hz, ΔEsw=40mV.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 1 Voltammograms SWASV ของ 1000 ไมโครกรัม L−1 Bi(III) ในบัฟเฟอร์อะซิเตทค่า pH 4.5 ขาด (ก) และ (ข) ของ L−1 Pb(II) 30 ไมโครกรัม ได้ดำเนินการทดลองในฟิล์มมีบิสมัทฝากในแหล่งกำเนิด เวลาสะสม td = 120 s ที่ −1.40 V ด้วย ΔEs = 2mV, f = 25 Hz, ΔEsw = 40mV

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 1. SWASV voltammograms 1000 ไมโครกรัม L-1 Bi (III) ในค่า pH 4.5 บัฟเฟอร์อะซิเตทในกรณีที่ไม่มี (ก) และการปรากฏตัว (ข) วันที่ 30 ไมโครกรัม L-1 Pb (II) การทดลองดำเนินการในในแหล่งกำเนิดภาพยนตร์บิสมัทฝาก เวลาสะสม TD = 120 วินาทีที่ -1.40 V กับกวน ΔEs = 2mV, f = 25 เฮิรตซ์ΔEsw = 40mV

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 1 swasv voltammograms 1000 μ G L − 1 บี ( 3 ) อาซีเตตบัฟเฟอร์ pH 4.5 ในกรณีที่ไม่มี ( A ) และ ( B ) มี 30 μ G L − 1 ตะกั่ว ( II ) ทดลองบนใน situ ฝาก Birthday ฟิล์ม เวลาสะสม , TD = 120 s − 1.40 V กับการกวน Δ ES = 2mv , F = 25 Hz Δ esw = 40mv .