After exposure to every desired H2

After exposure to every desired H2 concentration, the resistance of 2 nm Pt thin film sensors decreased, the rate of
decline reached saturation and then after cleaning with dry air, the resistance of the sensor increased rapidly to its base line

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หลังจากสัมผัสกับความเข้มข้นของ H2 ทุกที่ต้องการ ความต้านทานของเซ็นเซอร์ฟิล์ม Pt nm 2 ลดลง อัตราการปฏิเสธถึงความเข้มแล้ว หลังจากทำความสะอาดด้วยอากาศแห้ง ความต้านทานของเซ็นเซอร์เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วของเส้นฐาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หลังจากที่สัมผัสกับทุกความเข้มข้น H2 ต้องการความต้านทานของ 2 นาโนเมตร Pt เซ็นเซอร์ฟิล์มบาง ๆ ลดลงอัตรา
การลดลงถึงความอิ่มตัวแล้วหลังจากการทำความสะอาดที่มีอากาศแห้งต้านทานของเซ็นเซอร์เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วถึงเส้นฐานของมัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หลังจากการเปิดรับทุกคนที่ต้องการ H2 ของความต้านทานของฟิล์ม 2 nm PT เซนเซอร์ลดลง , อัตราการลดลงถึงจุดอิ่มตัวแล้ว หลังจากการทำความสะอาดอากาศแห้ง , ความต้านทานของเซ็นเซอร์ที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วของบรรทัดฐาน