the growth of new oxide either proc

the growth of new oxide either proceeds at the interface between metal and oxide or at the interface between oxide and electrolyte (compact anodic TiO2 layers may in principle grow at either interfaces, but under most experimental conditions oxide grows at the metal–oxide interface). Under a constant voltage U, the field F = U/d drops constantly, thus lowering the driving force (for solid-state ion migration) with increasing film thickness d. The result is an (exponential) drop in the anodic current with time (Figure 2a) until the field effect is lost (that is, is on the order of kT). At this point, a (practically) finite thickness is reached that mainly depends on the anodization
voltage. For many transition metals (so-called valve metals), this final thickness is given by d = fU, where f is the so-called growth factor of the oxide (typically in the range of 2– 4 nm V1). Typically, the layer which is grown at the oxide/ electrolyte interface consists of less-dense oxide containing oxyhydroxides,[117, 118] while the layer at the metal–oxide interface consists of dense and stable TiO2-

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเติบโตของออกไซด์ใหม่ทั้งเงินสดรับ ที่รอยต่อระหว่างโลหะและออกไซด์ หรือ ที่รอยต่อระหว่างออกไซด์และอิเล็กโทรไลต์ (anodic TiO2 ชั้นอาจหลักการเติบโต ที่อินเทอร์เฟซทั้ง แต่ภาย ใต้เงื่อนไขทดลองสุดออกไซด์เติบโตขึ้นที่รอยต่อโลหะ – ออกไซด์คอมแพค) ภายใต้แรงดันไฟฟ้าคง U ฟิลด์ F = U/d ลดลงอย่างต่อเนื่อง จึง ลดแรงผลักดัน (สำหรับการโยกย้าย solid-state ไอออน) ด้วยการเพิ่มความหนาของฟิล์ม d ผลที่ได้คือ การปล่อย (เนน) ในปัจจุบันไลกับเวลา (รูปที่ 2a) จนถึงฟิลด์ ผลจะหายไป (นั่นคือ ว่านอต) ที่จุดนี้ ความหนาแน่นอน (จริง) ถึงที่ส่วนใหญ่ขึ้นอยู่กับ anodization ที่แรงดันไฟฟ้า สำหรับการเปลี่ยนโลหะ (โลหะเรียกว่าวาล์ว), ความหนาสุดท้ายนี้ถูกกำหนด โดย d = fU ปัจจัยการเจริญเติบโตเรียกว่าออกไซด์การ f (โดยทั่วไปในช่วง 2-4 nm V 1) โดยทั่วไป ชั้นซึ่งปลูกที่เป็น / อินเทอร์เฟซของอิเล็กโทรไลต์ประกอบด้วยความหนาแน่นน้อยกว่าออกไซด์ที่ประกอบด้วย oxyhydroxides, [117, 118] ในขณะที่ชั้นที่รอยต่อโลหะ – ออกไซด์ประกอบด้วยความหนาแน่น และมีเสถียรภาพ TiO2 -

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเจริญเติบโตของออกไซด์ใหม่เงินอย่างใดอย่างหนึ่งที่เชื่อมต่อระหว่างโลหะและออกไซด์หรือที่เชื่อมต่อระหว่างออกไซด์และอิเล็กโทรไล (TiO2 ชั้นขนาดกะทัดรัดขั้วบวกในหลักการอาจเติบโตในอินเตอร์เฟซการอย่างใดอย่างหนึ่ง แต่ภายใต้เงื่อนไขการทดลองมากที่สุดออกไซด์เติบโตในอินเตอร์เฟซโลหะออกไซด์) ที่ ภายใต้แรงดันคงที่ U, F = สนาม U / D ลดลงอย่างต่อเนื่องจึงลดแรงผลักดัน (สำหรับการโยกย้ายไอออน solid-state) ที่เพิ่มขึ้นด้วยฟิล์มหนา D ผลที่ได้คือ (ชี้แจง) ลดลงในปัจจุบันขั้วบวกกับเวลา (รูปที่ 2A) จนกว่าผลข้อมูลจะหายไป (นั่นคือเป็นคำสั่งของโฮเทล) ที่ ณ จุดนี้ (จริง) ความหนาของ จำกัด ถึงที่ส่วนใหญ่ขึ้นอยู่กับ anodization
แรงดันไฟฟ้า สำหรับโลหะการเปลี่ยนแปลงหลายคน (ที่เรียกว่าโลหะวาล์ว) ความหนาสุดท้ายนี้จะได้รับโดย d = Fu ที่ f คือปัจจัยการเจริญเติบโตที่เรียกว่าออกไซด์ (โดยปกติในช่วง 2- 4 นาโนเมตรวี? 1) โดยปกติแล้วชั้นที่มีการเติบโตที่อินเตอร์เฟซออกไซด์ / อิเล็กประกอบด้วยน้อยหนาแน่นออกไซด์ที่มี oxyhydroxides [117, 118] ในขณะที่ชั้นที่อินเตอร์เฟซโลหะออกไซด์ประกอบด้วย TiO2- หนาแน่นและมีเสถียรภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเจริญเติบโตใหม่ของออกไซด์ทั้งรายได้ที่รอยต่อระหว่างโลหะและโลหะออกไซด์หรือที่เชื่อมต่อระหว่างออกไซด์และอิเล็กโทรไลต์ ( ขนาดกะทัดรัด ) ชั้นอาจจะในหลักการการเติบโตที่ให้อินเทอร์เฟซ แต่ภายใต้สภาวะการทดลองส่วนใหญ่เติบโตที่ออกไซด์และออกไซด์ของโลหะเชื่อม ) ภายใต้แรงดันคงที่ U , สนาม F = U / D ลดลงอย่างต่อเนื่อง ดังนั้น การลดแรงขับ ( สำหรับการเพิ่มความหนาของไอออน ) . ผลฟิล์มเป็น ( exponential ) ลดลงในการเวลาปัจจุบัน ( รูปที่ 2A ) จนถึงสนามผลจะหายไป ( คืออยู่ในใบสั่ง โอน ) ณจุดนี้ ( เกือบ ) ความหนาจำกัดถึงส่วนใหญ่ขึ้นอยู่กับโนไดเซชั่นแรงดันไฟฟ้า สำหรับโลหะเปลี่ยนมาก ( เรียกว่าวาล์วโลหะ ) นี้หนา สุดท้ายจะได้รับโดย D = กังฟูที่ F เรียกว่าปัจจัยการเจริญเติบโตของออกไซด์ ( โดยปกติจะอยู่ในช่วง 2 – 3 nm V1 ) โดยทั่วไปแล้ว ชั้น ที่ปลูกที่ออกไซด์ / อิเล็กโทรอินเตอร์เฟซประกอบด้วยหนาแน่นน้อยกว่าออกไซด์ที่มี oxyhydroxides [ 117 , 118 ] ในขณะที่ชั้นโลหะออกไซด์และอินเตอร์เฟซประกอบด้วยหนาแน่นและมั่นคง ) -