The structure, mechanism of formati

The structure, mechanism of formation and thermal reaction of electronic defects associated with Ge in GeO2-doped silica fiber induced by fiber-drawing or γ-irradiation were studied by detecting ESR hyperfine structures due to 73Ge. The present assignment of the drawing-induced center to the Ge-E' center was confirmed from the estimated spin density on a 4s atomic orbital of 73Ge(cong30%). The radiation-induced center was found to have a larger spin density on a73Ge-4s orbital(cong35%) than the drawing-induced center, and in the structural model proposed for the center, the unpaired electron is trapped on a GeO4 group (Ge electron trapped center: GEC). Most of the GECs induced by γ-irradiation at 77 K were bleached out by annealing at RT in dry fibers, while some of the GECs changed into Ge-E' centers in irradiated GeO2-SiO2glass containing a considerable number of OH groups.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โครงสร้าง กลไกของการก่อตัวและปฏิกิริยาความร้อนของข้อบกพร่องทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เกี่ยวข้องกับ Ge ในเส้นใยซิลิกาเจือ GeO2 เหนี่ยวนำ โดยวาดเส้นใย หรือฉายรังสีγได้ศึกษา โดยการตรวจหาโครงสร้าง hyperfine ESR เนื่องจาก 73Ge การกำหนดปัจจุบันศูนย์เกิดวาด Ge-E' ศูนย์ได้รับการยืนยันจากความหนาแน่นประมาณหมุนใน 4s ที่อะตอมวงของ 73Ge(cong30%) พบว่าศูนย์การเกิดรังสีมีความหนาแน่นหมุนขนาดใหญ่บน orbital(cong35%) a73Ge 4s จากศูนย์เกิดวาด และในรูปแบบโครงสร้างสำหรับศูนย์ที่นำเสนอ อิเล็กตรอน unpaired ถูกขังอยู่ในกลุ่ม GeO4 (Ge อิเล็กตรอนติดศูนย์: นทั้ง) ของ GECs ที่เกิดจากรังสีγที่ 77 K ถูกฟอกออก โดยการหลอมที่ RT ในเส้นใยแห้ง ในขณะที่บางส่วนของ GECs ที่เปลี่ยนเป็น Ge-E' ศูนย์ใน irradiated GeO2-SiO2glass ที่ประกอบด้วยจำนวนมากของกลุ่ม OH

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โครงสร้างกลไกของการก่อตัวและการเกิดปฏิกิริยาความร้อนของข้อบกพร่องอิเล็กทรอนิกส์ที่เกี่ยวข้องกับจีอีเส้นใยซิลิกา GEO2 เจือเกิดจากใยวาดหรือγ-การฉายรังสีการศึกษาโดยการตรวจสอบโครงสร้าง ESR hyperfine เนื่องจาก 73Ge ได้รับมอบหมายในปัจจุบันของศูนย์การวาดภาพที่เกิดขึ้นไปยังศูนย์ GE-E 'ได้รับการยืนยันจากความหนาแน่นของสปินที่คาดใน 4s อะตอมโคจรของ 73Ge ( cong30%) ศูนย์รังสีที่เกิดขึ้นก็จะพบว่ามีความหนาแน่นของสปินขนาดใหญ่บน a73Ge-4S โคจร ( cong35%) มากกว่าศูนย์การวาดภาพที่เกิดขึ้นและในรูปแบบโครงสร้างที่นำเสนอสำหรับศูนย์อิเล็กตรอน unpaired ถูกขังอยู่ในกลุ่ม GeO4 ( Ge อิเล็กตรอนศูนย์ติดอยู่: จีอีซี) ส่วนใหญ่ของ GECs เกิดจากการฉายรังสีγ-77 K ถูกฟอกขาวโดยการหลอมที่ RT ในเส้นใยแห้งในขณะที่บางส่วนของ GECs เปลี่ยนเป็นศูนย์ GE-E 'ในการฉายรังสี GEO2-SiO2glass ที่มีจำนวนมากของกลุ่ม OH

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โครงสร้างและกลไกของปฏิกิริยาทางความร้อนของการก่อตัวและข้อบกพร่องอิเล็กทรอนิกส์ที่เกี่ยวข้องกับ GE ใน geo2 เจือซิลิกาไฟเบอร์ไฟเบอร์หรือการวาดภาพγ - การฉายรังสีได้ถูกศึกษา โดยการตรวจสอบจาก hyperfine โครงสร้างเนื่องจาก 73ge . งานนำเสนอของการวาดภาพการศูนย์ศูนย์ ge-e ' ได้รับการยืนยันจากประมาณปั่นความหนาแน่นบน 4S อะตอมโคจรของ 73ge ( cong30 % ) การ radiation-induced ศูนย์พบว่ามีขนาดใหญ่หมุนความหนาแน่นใน a73ge-4s เบ้าตา ( cong35 % ) มากกว่าการวาดภาพจากศูนย์ และในรูปแบบโครงสร้างเสนอศูนย์อิเล็กตรอน Unpaired ติดอยู่ในกลุ่ม geo4 ( GE อิเล็กตรอนติดศูนย์ : gec ) ที่สุดของ gecs ที่เกิดจากการฉายรังสีที่γ - 77 K ถูกฟอกออกไป annealing ที่ RT ในเส้นใยแห้ง ในขณะที่บางส่วนของ gecs เปลี่ยนเป็น ge-e ' ศูนย์ฉายรังสี geo2-sio2glass ที่มีจํานวนมาก โอ้ กลุ่ม